一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基本的制作方法，其中，所述制作方法包括：提供衬底，所述衬底包括透明基板、形成在所述透明基板上的数据电极图形层以及覆盖所述数据电极图形层的绝缘层，所述数据电极图形层包括多个数据电极；形成贯穿所述绝缘层的过孔，以暴露出部分所述数据电极；形成透明电极材料层；形成透明电极层，所述透明电极层包括透明电极和与所述透明电极相连的连接部，所述连接部位于所述过孔中，以将所述透明电极与相应的所述数据电极电连接，所述连接部上方设置有填充物。本发明专利技术还公开了一种阵列基板及显示装置。本发明专利技术公开的阵列基板的制作方法减轻了与过孔对应的连接部位置对取向膜的吸附作用。

Method for manufacturing array substrate, array substrate and display device

The invention discloses a method for manufacturing an array, which includes the basic, the fabrication method includes the following steps: providing a substrate, wherein the substrate comprises a transparent substrate, forming a data electrode pattern layer on the transparent substrate and covering the data electrode graphic layer insulating layer, the data layer includes a plurality of electrode pattern a data electrode; through the formation of insulating layer to expose the hole, part of the data electrode; forming a transparent electrode material layer; forming a transparent electrode layer, the transparent electrode layer comprises a connecting part connected with the transparent electrode and the transparent electrode, the connecting part is positioned in the through hole, to the transparent electrode is connected to the electrode with the corresponding data, set the connection portion above. The invention also discloses an array substrate and a display device. The method of making the array substrate of the invention reduces the adsorption of the connecting part position to the alignment film.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示面板的技术发展，对画面品质的要求越来越高。聚酰亚胺树脂(Polyimide，简称PI)膜增厚对提高摩擦锚定能力有显著的改善作用，且摩擦能力增强对大尺寸产品的漏光残像都有显著的改善作用。但是PI膜增厚也会带来面板污渍等问题，主要是由于过孔段差较大，PI扩散很容易受到影响而被吸附进过孔，从而导致明显的色云纹(mura)出现，严重影响画面的品质。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。作为本专利技术的第一个方面，提供一种阵列基本的制作方法，其中，所述制作方法包括：提供衬底，所述衬底包括透明基板、形成在所述透明基板上的数据电极图形层以及覆盖所述数据电极图形层的绝缘层，所述数据电极图形层包括多个数据电极；形成贯穿所述绝缘层的过孔，以暴露出部分所述数据电极；形成透明电极材料层；形成透明电极层，所述透明电极层包括透明电极和与所述透明电极相连的连接部，所述连接部位于所述过孔中，以将所述透明电极与相应的所述数据电极电连接，所述连接部上方设置有填充物。优选地，形成透明电极层的步骤包括：在形成有所述过孔的所述绝缘层的基底上沉积所述透明电极材料层；在所述透明电极材料层上涂覆光刻胶层。优选地，当所述光刻胶层由正性光刻胶材料形成时，所述形成透明电极层的步骤还包括：利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括透光区、半透光区和遮光区，所述遮光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述连接部的区域，所述半透光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述透明电极的区域，所述透光区对应所述透明电极材料层上除上述区域之外的区域；对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以获得保护图形；对设置有所述保护图形的所述透明电极材料层进行刻蚀；对所述保护图形进行灰化，以去除所述保护图形上除用于形成所述连接部的区域之外的材料。优选地，当所述光刻胶层由负性光刻胶材料形成时，所述形成透明电极层的步骤还包括：利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括透光区、半透光区和遮光区，所述透光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述连接部的区域，所述半透光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述透明电极的区域，所述遮光区对应所述透明电极材料层上除上述区域之外的区域；对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以获得保护图形；对设置有所述保护图形的所述透明电极材料层进行刻蚀；对所述保护图形进行灰化，以去除所述保护图形上除用于形成所述连接部的区域之外的材料。优选地，所述形成透明电极层的步骤还包括在对所述保护图形进行灰化的步骤之后进行的：对图形化的所述透明电极材料层进行退火，以获得所述透明电极层。优选地，所述数据电极包括源极和漏极，在形成贯穿所述绝缘层的过孔的步骤中，以暴露出部分所述漏极。优选地，所述制作方法还包括在形成透明电极层的步骤之后进行的：在所述透明电极层上形成取向膜。优选地，所述取向膜的材料包括聚酰亚胺树脂。优选地，所述透明电极材料层的材料包括氧化铟锡。优选地，所述提供衬底的步骤包括：在所述透明基板上形成栅极图形层，所述栅极图形层包括栅极；形成栅极绝缘层，以覆盖所述栅极图形层；形成有源层图形层，以覆盖所述栅极图形层，所述有源层图形层包括与所述栅极对应的有源层，且所述有源层与所述数据电极电连接。优选地，所述有源层图形层的材料包括非晶硅。作为本专利技术的第二个方面，提供一种阵列基板，其中，所述阵列基板由前文所述的制作方法制作得到。作为本专利技术的第三个方面，提供一种显示装置，其中，所述显示装置包括前文所述的阵列基板。本专利技术提供的阵列基板的制作方法，通过在连接部的上方设置填充物，以将与过孔对应的连接部位置填充，当在透明电极层上层涂覆取向膜时，减轻了与过孔对应的连接部位置对取向膜的吸附作用，通过该方法制作得到的阵列基板应用于显示装置中时避免出现色云纹，提高了显示画面的品质。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术提供的阵列基板的制作方法流程图；图2为本专利技术提供的阵列基板的制作方法中形成透明电极层的一种实施方式流程图，其中，所述光刻胶层由正性光刻胶材料制成；图3为本专利技术提供的阵列基板的制作方法中形成透明电极层的另一种实施方式流程图，其中，所述光刻胶层由负性光刻胶材料制成；图4为本专利技术提供的阵列基板的制作方法中提供衬底的步骤流程图；图5为本专利技术提供的阵列基板曝光结构示意图；图6为本专利技术提供的阵列基板显影刻蚀后的结构示意图；图7为本专利技术提供的阵列基板灰化后的结构示意图。其中，10、透明基板；11、栅极；12、栅极绝缘层；13、有源层；14、数据电极；15、绝缘层；16、透明电极；17、连接部；18、填充物；19、光刻胶层；20、透光区；21、半透光区；22、遮光区。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的第一个方面，提供一种阵列基板的制作方法，其中，如图1所示，所述制作方法包括：S101、提供衬底，所述衬底包括透明基板、形成在所述透明基板上的数据电极图形层以及覆盖所述数据电极图形层的绝缘层，所述数据电极图形层包括多个数据电极；具体地，所述衬底包括透明基板，在所述透明基板上沉积数据电极材料层，并通过构图工艺获得所述数据电极图形层，在形成数据电极图形层的基底上形成覆盖所述数据电极图形层的所述绝缘层。需要说明的是，所述数据电极材料层通常为金属层薄膜，通常采用磁控溅射的方法沉积所述金属层薄膜；其中所述构图工艺通常包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离等工艺，即在沉积的所述金属层薄膜上涂覆光刻胶以覆盖所述金属层薄膜，然后利用掩膜板曝光，形成曝光区和非曝光区，通过显影去除曝光区的光刻胶(以正性光刻胶为例)，非曝光区保留光刻胶；刻蚀所述金属层薄膜，非曝光区的所述金属层薄膜由于光刻胶的保护而未被刻蚀，最后剥离光刻胶，得到所述数据电极图形层。应当理解的是，所述衬底既可以指没有任何膜层的衬底，如透明基板，也可以指形成有其它膜层或者图案的衬底。S102、形成贯穿所述绝缘层的过孔，以暴露出部分所述数据电极；具体地，在完成S101步骤的基底上，通过刻蚀工艺形成贯穿所述绝缘层的过孔。S103、形成透明电极材料层；具体地，在完成步骤S102的基底上形成所述透明电极材料层。S104、形成透明电极层，所述透明电极层包括透明电极和与所述透明电极相连的连接部，所述连接部位于所述过孔中，以将所述透明电极与相应的所述数据电极电连接，所述连接部上方设置有填充物。具体地，在步骤S103的基底上通过构图工艺形成所述透明电极层，所述透明电极层包括所述透明电极和所述连接部，所述透明电极与所述连接部连接，由图5至图7可以看出，所述连接部位于步骤S102形成的所述过孔中，由前文所述可知，所述过孔暴露部分所述数据电极，而与所述透明电极连接的所述连接部位于所述过孔中与暴露的部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供衬底，所述衬底包括透明基板、形成在所述透明基板上的数据电极图形层以及覆盖所述数据电极图形层的绝缘层，所述数据电极图形层包括多个数据电极；形成贯穿所述绝缘层的过孔，以暴露出部分所述数据电极；形成透明电极材料层；形成透明电极层，所述透明电极层包括透明电极和与所述透明电极相连的连接部，所述连接部位于所述过孔中，以将所述透明电极与相应的所述数据电极电连接，所述连接部上方设置有填充物。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供衬底，所述衬底包括透明基板、形成在所述透明基板上的数据电极图形层以及覆盖所述数据电极图形层的绝缘层，所述数据电极图形层包括多个数据电极；形成贯穿所述绝缘层的过孔，以暴露出部分所述数据电极；形成透明电极材料层；形成透明电极层，所述透明电极层包括透明电极和与所述透明电极相连的连接部，所述连接部位于所述过孔中，以将所述透明电极与相应的所述数据电极电连接，所述连接部上方设置有填充物。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成透明电极层的步骤包括：在形成有所述过孔的所述绝缘层的基底上沉积所述透明电极材料层；在所述透明电极材料层上涂覆光刻胶层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述光刻胶层由正性光刻胶材料形成时，所述形成透明电极层的步骤还包括：利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括透光区、半透光区和遮光区，所述遮光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述连接部的区域，所述半透光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述透明电极的区域，所述透光区对应所述透明电极材料层上除上述区域之外的区域；对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以获得保护图形；对设置有所述保护图形的所述透明电极材料层进行刻蚀；对所述保护图形进行灰化，以去除所述保护图形上除用于形成所述连接部的区域之外的材料。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述光刻胶层由负性光刻胶材料形成时，所述形成透明电极层的步骤还包括：利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括透光区、半透光区和遮光区，所述透光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述连接部的区域，所述半透光区对应所述透明电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢彦春，周纪登，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11