半导体器件及其制造方法技术

防止通过激光修整切断后的熔丝元件由于具有导电性的残留物等而漏电。作为用于此的方案，在外延基板的主面上的槽内的元件分离区域上形成熔丝元件的情况下，在元件分离区域与熔丝元件之间形成导热率高且比较而言密合性低的绝缘膜。在进行激光修整以将熔丝元件切断时，将熔丝元件的一部分和熔丝元件的该一部分之下的绝缘膜去除。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件，能够利用在具有熔丝的半导体器件的制造中。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，已知有如下的激光修整：通过利用激光将电路的图案的一部分切断，由此进行电路特性的调整或不良电路的排除。激光修整通过对半导体晶片上的熔丝元件照射激光光线而执行。即，通过对由多晶硅布线或金属布线形成的多个熔丝元件中规定的熔丝照射激光光线而将该熔丝元件熔断从而进行激光修整。在专利文献1(日本特开2004-111680号公报)中记载有下述内容：通过在作为切断对象的薄膜电阻之上形成导电性膜，由此使激光对薄膜电阻的切断容易度提升。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2004-111680号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题由于熔丝元件上的层间膜的膜厚偏差、激光修整装置的性能偏差等，有时即使对熔丝元件进行激光照射，照射部的熔丝元件也不会被完全去除。该情况下，具有导电性的残留物附着于熔丝元件之下的元件分离膜的表面，该残留物跨熔丝元件的切断部而成为漏电(leak)路径，切断了的熔丝元件导通。这样的残留物残留成为半导体器件的合格率降低的原因，所以在对熔丝元件进行激光修整时，需要确实地将具有导电性的残留物去除。其他课题和新特征可以根据本说明书的记述以及附图予以明确。用于解决课题的技术方案如果对本申请所公开的实施方式中具代表性的实施方式的概要简单地进行说明，则如下所述。作为一个实施方式的半导体器件，于在元件分离区域上形成熔丝元件的情况下，在元件分离区域与熔丝元件之间形成有导热率高且比较而言密合性低的绝缘膜。另外，作为其他实施方式的半导体器件的制造方法，于在元件分离区域上形成熔丝元件的情况下，在元件分离区域与熔丝元件之前形成导热率高且比较而言密合性低的绝缘膜。专利技术效果根据一个实施方式，能够使半导体器件的可靠性提升。特别是，能够防止进行了激光修整后的熔丝元件的漏电。附图说明图1是作为实施方式1的半导体器件的俯视图。图2是作为实施方式1的半导体器件的剖视图。图3是作为实施方式1的半导体器件的俯视图。图4是作为实施方式1的半导体器件的剖视图。图5是作为实施方式1的半导体器件的制造工序中的剖视图。图6是相继于图5的半导体器件的制造工序中的剖视图。图7是相继于图6的半导体器件的制造工序中的剖视图。图8是相继于图7的半导体器件的制造工序中的剖视图。图9是相继于图8的半导体器件的制造工序中的剖视图。图10是相继于图9的半导体器件的制造工序中的剖视图。图11是相继于图10的半导体器件的制造工序中的剖视图。图12是相继于图11的半导体器件的制造工序中的剖视图。图13是相继于图12的半导体器件的制造工序中的剖视图。图14是作为实施方式2的半导体器件的制造工序中的剖视图。图15是相继于图14的半导体器件的制造工序中的剖视图。图16是相继于图15的半导体器件的制造工序中的剖视图。图17是相继于图16的半导体器件的制造工序中的剖视图。图18是相继于图17的半导体器件的制造工序中的剖视图。图19是作为实施方式2的半导体器件的俯视图。图20是作为实施方式2的半导体器件的剖视图。图21是作为实施方式2的半导体器件的变形例的剖视图。图22是作为实施方式2的半导体器件的变形例的剖视图。图23是作为比较例的半导体器件的剖视图。图24是作为比较例的半导体器件的剖视图。具体实施方式以下，基于附图详细地对实施方式进行说明。此外，在用于对实施方式进行说明的所有附图中，对具有同一功能的部件标注同一符号，省略对其的重复说明。另外，在以下的实施方式中，原则上不重复对同ー或同样部分的说明，除特别需要的情况以外。另外，符号“-”以及“+”表示导电型为N型或P型的杂质的相对浓度，例如在为N型杂质的情况下，杂质浓度按“N–”、“N+”的顺序变高。但是，有时无关杂质浓度，将各半导体层的导电型称为N型或P型。也就是，有时将具有“N–”、“N”、“N+”等各种浓度的半导体层统称为N型层，另外，“P–”、“P”、“P+”等各种浓度的半导体层统称为P型层。例如，有时将P+型层的半导体层称为P型层。<关于半导体器件的构造>本实施方式的熔丝元件在1个半导体芯片内构成电路图案的一部分，在半导体器件的制造工艺中，在必需进行电路特性的调整或不良电路的排除等的情况下被激光切断。但是，熔丝元件在半导体器件的制造工序中未必被切断。例如，在该熔丝元件所连接的电路按所期望的特性工作的情况下，该熔丝元件不被切断。所谓电路特性的调整是指：例如在相对于规定的电路并列连接有多个双极晶体管的情况下，通过使连接于各双极晶体管的基极与发射极之间熔丝切断，由此选择性地使特定双极晶体管导通，从而，对在该电路中流动的电流的大小进行调整等。利用图1～图4对本实施方式的半导体器件的构造进行说明。图1以及图3是本实施方式的半导体器件的俯视图。图2以及图4是本实施方式的半导体器件的剖视图，在图2的左侧示出图1的A-A线上的剖视图。图4是图3的B-B线上的剖视图。图1以及图2是未照射激光的情况下的图，图3以及图4是包括被照射激光而被切断了的熔丝元件的图。图1中示出多个构成本实施方式的半导体器件的熔丝元件FE。此外，图1中仅示出了形成在半导体基板上的元件分离区域(第一绝缘膜)RL和形成在元件分离区域之上的多个熔丝元件FE，省略了形成在熔丝元件FE与元件分离区域RL之间的传热用的绝缘膜TC(参照图2)、以及熔丝元件FE与元件分离区域RL之上的层间绝缘膜、布线、接触插塞、连接器(via)以及覆盖绝缘膜等的图示。如图1所示，各熔丝元件FE沿着X方向(其沿着用作半导体基板的外延基板(未图示)的主面)延伸。熔丝元件FE在长度方向(X方向)的两个端部具有在沿半导体基板(未图示)的主面的Y方向上宽度宽的接触部。Y方向相对于X方向正交。此外，以下有时将沿着外延基板的主面的方向简称为横方向。接触部是用于将接触插塞连接于熔丝元件FE的端部上表面的部分。熔丝元件FE是具有将在X方向上并排的一对接触部彼此之间相连且宽度小的延伸部的元件，在要将熔丝元件FE切断时，对该延伸部照射激光。该延伸部、也就是要通过激光照射使其切断的部分的熔丝元件FE在Y方向上的宽度为例如0.3～3μm。另外，将在X方向上并列的接触部彼此相连的该延伸部在X方向上的长度为例如1～50μm。另外，在Y方向上相邻的2个熔丝元件FE彼此的各个延本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其中，具有：半导体基板；所述半导体基板上的第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；和形成在所述第二绝缘膜上且含硅的导电膜；所述导电膜构成熔丝，所述第二绝缘膜的导热率比所述第一绝缘膜的导热率高。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其中，具有：
半导体基板；
所述半导体基板上的第一绝缘膜；
形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；和
形成在所述第二绝缘膜上且含硅的导电膜；
所述导电膜构成熔丝，
所述第二绝缘膜的导热率比所述第一绝缘膜的导热率高。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第二绝缘膜相对于所述第一绝缘膜的密合性比硅膜相对于所述第一绝缘膜的密
合性低。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
在所述导电膜的正下方的所述第一绝缘膜的上表面形成有槽，
所述第二绝缘膜的一部分埋入所述槽内。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
所述槽的侧壁相对于所述半导体基板的主面垂直地形成。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
所述槽的侧壁形成为屋檐状。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
在所述导电膜上形成有第三绝缘膜，
由所述第二绝缘膜、所述导电膜以及所述第三绝缘膜构成的层叠膜具有开口部，
通过所述开口部，所述熔丝被切断，
所述第一绝缘膜的上表面在所述开口部的底面露出。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
在所述第一绝缘膜的上表面形成的槽的侧壁在所述开口部的所述底面露出。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
在所述开口部内的侧壁，所述第二绝缘膜与所述导电膜相比，在俯视图中接近所述开
口部的中央的位置终止。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第一绝缘膜含氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：儿玉荣介，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP