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本发明在硅基板１０的主面上使ＳｉＧｅ混晶的缓冲层及Ｇｅ磊晶膜生长。在Ｇｅ磊晶膜１１中，虽然高密度的缺陷从与Ｓｉ基板１０的界面被导入，但是施加７００～９００℃的热处理，来使贯穿位错１２变化成为在Ｓｉ基板界面附近的环状位错缺陷１２’。接着，对形...
该专利属于信越化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越化学工业株式会社授权不得商用。

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