半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构包括半导体衬底、第一有源区、第二有源区、第一沟槽、至少一个凸起部分以及第一电介质。第一有源区位于半导体衬底中。第二有源区位于半导体衬底中。第一沟槽位于半导体衬底中并将第一有源区和第二有源区彼此分离。凸起部分从半导体衬底凸出并且设置在第一沟槽中。第一电介质位于第一沟槽中并且覆盖凸起部分。本发明专利技术还提供了用于形成半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年12月30日提交的美国临时专利申请第62/098,101号的优先权，其全部内容通过引用结合于此作为参考。
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
浅沟槽隔离(STI)为集成电路部件，其防止相邻半导体器件之间的电流泄漏。STI通常在250纳米及更小节点的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺技术中使用。较早的CMOS技术以及非金属氧化物半导体(MOS)技术通常使用基于硅的局部氧化(LOCOS)的隔离。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一有源区，第一有源区位于半导体衬底中；第二有源区，第二有源区位于半导体衬底中；第一沟槽，第一沟槽位于半导体衬底中并将第一有源区和第二有源区彼此分离；至少一个凸起部分，至少一个凸起部分从半导体衬底凸出并且设置在第一沟槽中；以及第一电介质，第一电介质位于第一沟槽中并且覆盖凸起部分。根据本专利技术的一个实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一有源区，所述第一有源区位于所述半导体衬底中；第二有源区，所述第二有源区位于所述半导体衬底中；第一沟槽，所述第一沟槽位于所述半导体衬底中并将所述第一有源区和所述第二有源区彼此分离；至少一个凸起部分，所述至少一个凸起部分从所述半导体衬底凸出并且设置在所述第一沟槽中；以及第一电介质，所述第一电介质位于所述第一沟槽中并且覆盖所述凸起部分。

【技术特征摘要】
2014.12.30 US 62/098,101;2015.05.21 US 14/718,8411.一种半导体结构，包括：
半导体衬底；
第一有源区，所述第一有源区位于所述半导体衬底中；
第二有源区，所述第二有源区位于所述半导体衬底中；
第一沟槽，所述第一沟槽位于所述半导体衬底中并将所述第一有源区
和所述第二有源区彼此分离；
至少一个凸起部分，所述至少一个凸起部分从所述半导体衬底凸出并
且设置在所述第一沟槽中；以及
第一电介质，所述第一电介质位于所述第一沟槽中并且覆盖所述凸起
部分。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一电介质由固化
的可流动的介电材料制成。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一有源区高于所
述凸起部分。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第二有源区高于所
述凸起部分。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述凸起部分具有顶表
面，所述第一电介质具有顶表面，并且所述凸起部分的顶表面低于所述第
一电介质的顶表面。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括：
第三有源区，所述第三有源区位于所述半导体衬底中；
第二沟槽，所述第二沟槽位于所述半导体衬底中并将所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：方琮闵，郭康民，吴细闵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71