半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法。

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

A semiconductor structure comprising: configuration and device communication transceiver; around the molded parts of the transceiver; extending through the conductive channel molding; the insulating layer molded parts, conductive channel and transceiver arranged above; and the insulating layer is arranged above and includes an antenna and a dielectric layer surrounding the antenna redistribution layer (RDL), wherein the antenna part extending through the insulating layer and the molded parts to connect with power transceiver. Embodiments of the present invention relate to semiconductor structures and methods of making the same.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
涉及半导体器件的电子设备对于许多现代化的应用来说是必不可少的。半导体器件已经经历了快速增长。材料和设计的技术进步产生了多代半导体器件，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。在进步和创新过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件)却已减小。这些进步增加了处理和制造半导体器件的复杂程度。随着技术发展，电子设备的设计变得更复杂且涉及大量电路以实施复杂的功能。因此，电子设备越来越需要大量的电能以支撑和实施这样的数量增加的功能。诸如移动电话、摄像机、笔记本等的日益增多的电子设备由可充电电池供电。通常通过将电子设备上的终端通过导线或电线连接至电源充电或再充电电子设备。然而，这样的引线连接方法对用户来说可能是不方便的，因为在充电期间电子设备不得不物理连接至电源。此外，由于导线的长度上的限制，电子设备不得不靠近电源放置。因此，需要不断修改电子设备中的半导体器件的结构和制造方法，以在降低制造成本和处理时间的同时，为用户带来便利且提高电子设备的性能。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：收发器，配置为与器件通信；模塑件，围绕所述收发器；导电通道，延伸穿过所述模塑件；绝缘层，设置所述模塑件、所述导电通道和所述收发器上方；以及再分布层(RDL)，设置在所述绝缘层上方，且所述再分布层包括天线和围绕所述天线的介电层，其中，所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。根据本专利技术的另一实施例，还提供了一种半导体结构，包括：充电器，配置为将充电功率从AC转换为DC；收发器，配置为发射或接收预定电磁频率的信号；模塑件，围绕所述收发器和所述充电器；多个导电通道，延伸穿过所述模塑件；天线，配置为将所述信号发射至周围环境或从周围环境接收所述信号；以及介电层，覆盖所述天线，其中，所述天线包括在所述模塑件上方延伸的伸长部分和延伸穿过所述模塑件以与所述收发器电连接的导电通道部分。根据本专利技术的又一实施例，还提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供收发器；形成模塑件以围绕所述收发器；形成延伸穿过所述模塑件的多个凹槽；在所述多个凹槽内设置导电材料以形成多个导电通道；在所述模塑件、所述多个导电通道和所述收发器上方设置绝缘层并且图案化所述绝缘层；以及在所述绝缘层上方形成再分布层(RDL)；其中，所述RDL包括设置在所述绝缘层上方的天线和覆盖所述天线的介电层，并且所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图2是根据本专利技术的一些实施例的沿图1的AA'的半导体结构的示意性截面图。图3是根据本专利技术的一些实施例的沿图1的BB'的半导体结构的示意性截面图。图4是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。图4A是根据本专利技术的一些实施例的具有收发器、充电器和共振器的衬底的示意性顶视图。图4B是根据本专利技术的一些实施例的图4A的沿着AA'的示意性截面图。图4C是根据本专利技术的一些实施例的图4A的沿着BB'的示意性截面图。图4D是根据本专利技术的一些实施例的具有模塑件的衬底的示意性顶视图。图4E是根据本专利技术的一些实施例的图4D的沿着AA'的示意性截面图。图4F是根据本专利技术的一些实施例的图4D的沿着BB'的示意性截面图。图4G是根据本专利技术的一些实施例的凹槽的示意性顶视图。图4H是根据本专利技术的一些实施例的图4G的沿着AA'的示意性截面图。图4I是根据本专利技术的一些实施例的图4G的沿着BB'的示意性截面图。图4J是根据本专利技术的一些实施例的导电通道和柱的示意性顶视图。图4K是根据本专利技术的一些实施例的图4J的沿着AA'的示意性截面图。图4L是根据本专利技术的一些实施例的图4J的沿着BB'的示意性截面图。图4M是根据本专利技术的一些实施例的绝缘层的示意性顶视图。图4N是根据本专利技术的一些实施例的图4M的沿着AA'的示意性截面图。图4O是根据本专利技术的一些实施例的图4M的沿着BB'的示意性截面图。图4P是根据本专利技术的一些实施例的再分布层(RDL)的示意性顶视图。图4Q是根据本专利技术的一些实施例的图4P的沿着AA'的示意性截面图。图4R是根据本专利技术的一些实施例的图4P的沿着BB'的示意性截面图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个组件或部件与另一个(或另一些)组件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。无线充电是通过空气给电子设备充电或再充电的技术。涉及空中发射器(例如，在充电器中)和接收器(例如，在电子设备中)之间的功率传输。发射器和接收器分别包括天线，并且从发射器中的天线发射功率且由接收器中的天线接收功率。天线通常是单独的组件，所以需要导线将天线与发射器或接收器互连。然而，这样的互连将导致线路损失并且因此影响功率传输的性能。此外，具有对较小尺寸的天线的需求，因为发射器或接收器的几何尺寸变得越来越小。不得不最小化天线以满足这样的需求而不妥协功率传输的性能和效率。本专利技术涉及一种包括集成有天线的再分布层(RDL)的半导体结构。天线设置在RDL中并且配置为与将充电功率发射至半导体结构的发射器无线通信以用于充电电子器件。天线这样地集成至RDL将最小化途径损失并且因此最小化转移覆盖，使得从天线传播的信号能够到达更远的距离。此外，来自设置在更远的距离上的发射器的信号能够由天线接收。还公开了其他实施例。图1示出了根据本专利技术的一些实施例的半导体结构100的示意性顶视图。图2示出了沿图1的AA'的半导体结构100的示意性截面图。图3示出了沿图1的BB'的半导体结构100的示意性截面图。在一些实施例中，半导体结构100包括收发器101、模塑件102、导电通道103、再分布层(RDL)105和充电器106。在一些实施例中，半导体结构100电连接至电源。在一些实施例中，半导体结构100配置为接收穿越空气或中间间隙的电磁能中的充电功率。在一些实施例中，半导体结构100是接收器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：收发器，配置为与器件通信；模塑件，围绕所述收发器；导电通道，延伸穿过所述模塑件；绝缘层，设置所述模塑件、所述导电通道和所述收发器上方；以及再分布层(RDL)，设置在所述绝缘层上方，且所述再分布层包括天线和围绕所述天线的介电层，其中，所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。

【技术特征摘要】
2015.10.30 US 14/928,6511.一种半导体结构，包括：收发器，配置为与器件通信；模塑件，围绕所述收发器；导电通道，延伸穿过所述模塑件；绝缘层，设置所述模塑件、所述导电通道和所述收发器上方；以及再分布层(RDL)，设置在所述绝缘层上方，且所述再分布层包括天线和围绕所述天线的介电层，其中，所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电通道配置为与所述天线电感耦合。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电通道是螺旋的、环形的、矩形的、圆形的或多边形的配置。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电通道具有约100um至约200um的深度。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述天线具有约2.4GHz的共振频率。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述天线配置为发射或接收约2.4GHz的预定电磁频率或蓝牙低功耗(BLE)的信号。7.根据权利要求1所述的半导体结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈颉彦，郭鸿毅，王垂堂，蔡豪益，余振华，陈韦廷，曾明鸿，林彦良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71