【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及用于光子学的垂直光栅滤波器。
技术介绍
1、硅光子已快速变成主流技术，尤其在光子集成电路(pic)中。这些电路是基于绝缘体上硅(soi)平台以达成高速光学通信。
技术实现思路
1、本技术的实施例涉及一种用于制造光子垂直光栅滤波器的方法，其包括：在衬底上的第一光学选路层中形成第一波导；在所述第一波导上方由第一电介质材料形成电介质层；在所述电介质层中蚀刻多组凹槽，各组凹槽具有一不同光栅周期；将一光栅材料沉积至所述多组凹槽中以形成脊，其中所述光栅材料具有高于所述电介质层的折射率，以获得多个布拉格光栅；及在所述衬底上的第二光学选路层中形成第二波导；其中所述第一波导、所述多个布拉格光栅及所述第二波导在垂直重叠区域中重叠。
2、本技术的实施例涉及一种垂直光子光栅滤波器，其包括：第一波导；第二波导；及多个布拉格光栅，其形成于所述第一波导与所述第二波导之间的电介质层中，所述多个布拉格光栅位于所述第一波导与所述第二波导之间的垂直重叠区域中，每一布拉格光栅具有不同光栅周期。
3、本技术的实施例涉及一种用于使光学输入中的多个波长滤波的方法，其包括：将所述光学输入发送到第一波导中，所述光学输入包括多个不同波长；使所述光学输入传递通过由位于所述第一波导上方的电介质层中的多个布拉格光栅形成的滤波器，每一布拉格光栅具有不同光栅周期；及在位于所述滤波器上方的第二波导中接收经滤波波长；及将所述第二波导中的所述经滤波波长发送到光学输出。
【技术保护点】
1.一种垂直光子光栅滤波器，其特征在于其包括：
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于所述第一波导及所述第二波导包括氮化硅。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于所述多个布拉格光栅中的每一布拉格光栅包括多个脊，其中所述脊具有高于所述电介质层的折射率。
4.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于每一布拉格光栅的所述脊具有所述布拉格光栅的周期的约20％到约80％的长度。
5.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于所述脊包括氧化铪、氧化锆、氧化铝、硅酸铪、硅酸锆、氮氧化铪、氮氧化锆、氮氧化硅、氮化硼、碳化硅、氮化硅或硅。
6.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于所述多个布拉格光栅中的每一布拉格光栅经变迹。
7.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于所述多个布拉格光栅中的每一布拉格光栅具有约200纳米到约350纳米的光栅周期。
8.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于所述多个布拉格光栅中的每一布拉格光栅具有所述布拉格光栅的光栅周期的约5％到约95％的间隔。
9.根据权利要求1所述
10.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于所述多个布拉格光栅中的每一布拉格光栅具有所述第一波导的宽度的约50％到约100％的宽度。
...【技术特征摘要】
1.一种垂直光子光栅滤波器，其特征在于其包括：
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于所述第一波导及所述第二波导包括氮化硅。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于所述多个布拉格光栅中的每一布拉格光栅包括多个脊，其中所述脊具有高于所述电介质层的折射率。
4.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于每一布拉格光栅的所述脊具有所述布拉格光栅的周期的约20％到约80％的长度。
5.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于所述脊包括氧化铪、氧化锆、氧化铝、硅酸铪、硅酸锆、氮氧化铪、氮氧化锆、氮氧化硅、氮化硼、碳化硅、氮化硅或硅。
6.根据权利要求1所述的滤...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄泰钧，斯帝芬·鲁苏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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