一种ESD结构及其等效电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及二极管，尤其涉及ESD结构及及其等效电路。
技术介绍
随着芯片的集成度越来高，在相同的面积上形成更多的电子元器件，可靠性对于芯片正常工作而言变得越来越重要。对于芯片可靠性有关键影响的是静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)。静电放电会瞬时产生大电流，从而损坏芯片中的某些电子元器件。为了防止静电放电造成的损害，需要为芯片设计ESD结构，用于在产生大电流时泄放电流，从而避免损害电子元器件。ESD结构可以通过电阻、电容、二极管保护器件可以为电阻、电容、二极管、三极管、场效应管、可控硅等来实现。使用电容、二极管、三极管、场效应管、可控硅等方式实现ESD电阻时，芯片在正常工作时，ESD结构不工作，只有在静电放电的情况下，可以通过击穿或导通来释放电荷，从而起到将电流泄放到电源的作用。现有技术中，在使用二极管实现ESD结构时，通常需要正向导通泄放电流，因此需要两个二极管串联来实现ESD结构。图1示出了采用二极管实现ESD结构时，ESD结构的等效电路图，其中两个二极管串联，二极管D2阴极与电源正极连接，二极管D2的阳极与二极管D1的阴极连接，...
【技术保护点】
一种ESD结构，其特征在于，包括：P‑衬底，以及设置在P‑衬底上的第一P+区域、第二P+区域、第三P+区域、第一N+区域、第二N+区域、第三N+区域、第四N+区域、第五N+区域以及第六N+区域；第一P+区域、第二P+区域以及第三P+区域呈“H”型结构，第一N+区域、第三N+区域以及第五N+区域位于“H”型结构一侧的凹陷区域，第二N+区域、第四N+区域以及第六N+区域位于“H”型结构另一侧的凹陷区域。
【技术特征摘要】
1.一种ESD结构，其特征在于，包括：P-衬底，以及设置在P-衬底上的第一P+区域、第二P+区域、第三P+区域、第一N+区域、第二N+区域、第三N+区域、第四N+区域、第五N+区域以及第六N+区域；第一P+区域、第二P+区域以及第三P+区域呈“H”型结构，第一N+区域、第三N+区域以及第五N+区域位于“H”型结构一侧的凹陷区域，第二N+区域、第四N+区域以及第六N+区域位于“H”型结构另一侧的凹陷区域。2.根据权利要求1所述的ESD结构，其特征在于，第一N+区域、第三N+区域以及第五N+区域依次连接，第三N+区域的宽度小于第一N+区域的宽度和第五N+区域宽度中的任一者；第二N+区域、第四N+区域以及第六N+区域依次连接，第四N+区域的宽度小于第二N+区域的宽度和第六N+区域宽度中的任一者。3.根据权利要求1所述的ESD结构，其特征在于，第一P+区域与第一N+区域和第二N+区域中的任一者之间存在间隙；第二P+区域与第一N+区域、第二N+区域、第三N+区域、第四N+区域、第五N+区域以及第六N+区域中的任一者之间存在间隙；第三P+区域与第五N+区域以及第六N+区域中的任一者之间存在间隙。4.根据权利要求1所述的ESD结构，其特征在于，该ESD结构还包括第一金属区域、第二金属区域、第三金属区域、第四金属区域以及第五金属区域；第一金属区域覆盖在第一N+区域上...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，
申请(专利权)人：四川省豆萁科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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