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本实用新型公开了一种ESD结构及及其等效电路。该ESD结构，其特征在于，包括：P‑衬底，以及设置在P‑衬底上的第一P+区域、第二P+区域、第三P+区域、第一N+区域、第二N+区域、第三N+区域、第四N+区域、第五N+区域以及第六N+区域；第...
该专利属于四川省豆萁科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川省豆萁科技股份有限公司授权不得商用。

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