铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器制造技术

本实用新型专利技术公开一种铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器。其中，在铁电电容阵列的方案中，所述铁电电容阵列包括：第一极板，所述第一极板包括用于金属互连的若干第一电极，以及覆于所述若干第一电极上的第一金属内衬层；铁电介质层，所述铁电介质层覆于所述第一金属内衬层上；若干第二极板，所述第二极板包括覆于所述铁电介质层上的第二金属内衬层，以及覆于所述第二金属内衬层上的、用于金属互连的第二电极。通过共用第一极板，可方便地构成铁电电容阵列，既可提高阵列的密度，进而提高铁电存储器的容量，又可简化制备工艺流程，减少工艺步骤，降低制备成本。

Ferroelectric capacitor array, ferroelectric storage unit and ferroelectric memory

【技术实现步骤摘要】
铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器
本说明书涉及存储器领域，特别是涉及一种铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器。
技术介绍
目前，存储器可以分为易失性和非易失性两类存储器，其中易失性存储器在掉电时无法保存数据，非易失性存储器在掉电时仍可以保存数据。在新一代存储器中，铁电存储器(FeRAM)是一种非易失存储器，在随机存取存储器技术当中备受关注，鉴于自身具有非挥发性、读写速度快、存储密度大、功耗低、寿命长、抗辐射能力强以及与集成电路工艺兼容等优点，应用前景非常广阔，如工业仪表、汽车电子、通讯设备、消费电子、医疗仪器等数据存储应用领域。现有FeRAM制备方案中，较成熟的方案基本是采用钙钛矿结构的钙钛矿材料作为铁电材料的方案，比如锆钛酸铅Pb(Zr,Ti)O3(即PZT)、钽酸锶铋(SBT)，不仅这类铁电材料得到较多研究，相应工艺也得到广泛研究，基于这类铁电材料的FeRAM也已商用。但采用PZT或SBT制备FeRAM中，因PZT或SBT自身特点，以及所采用的铁电电容的结构，仍给FeRAM的制备过程带来很多限制，制备工艺较复杂，步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁电电容阵列，其特征在于，包括：/n第一极板，所述第一极板包括：/n用于金属互连的若干第一电极；以及/n覆于所述若干第一电极上的第一金属内衬层；/n铁电介质层，所述铁电介质层覆于所述第一金属内衬层上；以及/n若干第二极板，所述第二极板包括：/n覆于所述铁电介质层上的第二金属内衬层；以及/n覆于所述第二金属内衬层上的、用于金属互连的第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种铁电电容阵列，其特征在于，包括：
第一极板，所述第一极板包括：
用于金属互连的若干第一电极；以及
覆于所述若干第一电极上的第一金属内衬层；
铁电介质层，所述铁电介质层覆于所述第一金属内衬层上；以及
若干第二极板，所述第二极板包括：
覆于所述铁电介质层上的第二金属内衬层；以及
覆于所述第二金属内衬层上的、用于金属互连的第二电极。


2.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于，所述若干第二极板之间的间隔包括500nm；
和/或所述第二极板的长度包括600nm。


3.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于，所述铁电介质层的厚度包括5nm～20nm。


4.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于，在所述第一金属内衬层与所述铁电介质层之间设置有第一缓冲层；
和/或在所述铁电介质层与所述第二金属内衬层之间设置有第二缓冲层。


5.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于,所述第一金属内衬层的材料包括氮化钛；
和/或所述第二金属内衬层的材料包括氮化钛。


6.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于,所述铁电介质层的材料包括氧化铪。


7.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于,所述铁电介质层覆盖所述第一金属内衬层，或者所述铁电介质层间隔覆于所述第一金属内衬层上。


8.一种铁电存储单元，其特征在于，包括：
衬底；
如权利要求1至7中任意一项所述的铁电电容阵列；
晶体管，所述晶体管包括第一源漏极、第二源漏极和栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓袁军，周长胜，
申请(专利权)人：四川省豆萁科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51