【技术实现步骤摘要】
存储器装置中的存取线晶粒调制交叉参考本专利申请要求ECONOMY等的2018年8月13日提交的标题为“存储器装置中的存取线晶粒调制(ACCESSLINEGRAINMODULATIONINAMEMORYDEVICE)”的第16/102,494号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请转让给本受让人且以全文引用的方式明确地并入本文中。
涉及存储器装置中的存取线晶粒调制。
技术介绍
下文大体上涉及在交叉点存储器阵列中制造存储器单元堆叠，且更确切地说涉及用于存储器装置中的存取线晶粒调制的方法。存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态，通常表示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储两个以上状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n在交叉点存储器阵列中形成存储器单元堆叠，所述存储器单元堆叠包括存储元件；/n在所述存储器单元堆叠上方形成阻隔材料；/n使所述阻隔材料的顶部表面平面化；以及/n在所述阻隔材料的所述顶部表面上形成用于所述交叉点存储器阵列的存取线的金属层。/n
【技术特征摘要】
20180813 US 16/102,4941.一种方法，其包括：
在交叉点存储器阵列中形成存储器单元堆叠，所述存储器单元堆叠包括存储元件；
在所述存储器单元堆叠上方形成阻隔材料；
使所述阻隔材料的顶部表面平面化；以及
在所述阻隔材料的所述顶部表面上形成用于所述交叉点存储器阵列的存取线的金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中使所述阻隔材料的所述顶部表面平面化包括：
向所述阻隔材料的所述顶部表面应用化学-机械平面化CMP工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述阻隔材料包括：
经由物理气相沉积PVD工艺、化学气相沉积CVD工艺、原子层沉积ALD工艺或其任何组合沉积所述阻隔材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述存储器单元堆叠包括：
形成电极层，其中所述电极层包括碳。
5.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述电极层包括：
经由物理气相沉积PVD工艺、化学气相沉积CVD工艺、原子层沉积ALD工艺或其任何组合沉积所述电极层。
6.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：
移除所述电极层的至少一部分。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属层接触所述阻隔材料的所述顶部表面。
8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述存储器单元堆叠包括：
沉积电介质材料，其中所述电介质材料插入于所述存储器单元堆叠和第二存储器单元堆叠之间。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
移除所述电介质材料的一部分和所述存储器单元堆叠的电极层的一部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中：
所述电极层的移除以第一速率发生；以及
所述电介质材料的移除以不同于所述第一速率的第二速率发生，其中移除所述电介质材料的一部分和所述电极层的一部分在所述阻隔材料下方形成波状表面。
11.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述阻隔材料包括氮化钨、硅化钨或氮化硅钨；以及
用于所述存取线的所述金属层包括钨、钽或钼。
12.一种设备，其包括：
交叉点存储器阵列中的存储器单元堆叠，所述存储器单元堆叠包括存储元件；
阻隔材料，其安置于所述存储器单元堆叠上方，所述阻隔材料包括平面化顶部表面；以及
用于存取线的金属层，其接触所述阻隔材料的所述平面化顶部表面。
13.根据权利要求12所述的设备，其中所述阻隔材料包括波状底部表面。
<...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·R·埃科诺米，S·W·鲁塞尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。