应用于动态随机存取存储器的预先充电方法技术

本发明专利技术公开了一种应用于动态随机存取存储器的预先充电方法，该方法包含以下步骤：禁能主动阵列中的多条字元线；平衡主动阵列以及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压的一半；禁能参考阵列中的多条字元线；以及预充主动阵列以及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压。根据本发明专利技术的预先充电方法，其内部电压供应可均匀地提供参考数位线电压给所有感测放大器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种预先充电方法，且特别涉及一种应用于动态随机存取存储器的预 先充电方法。
技术介绍
电源供应电压预充感测放大器（SenseAmplifier,SA)需要的参考数位线电压无 法轻易地由一般的动态随机存取存储器值ynamicRandomAccessMemories,DRAM)的外 部电源或内部产生器取得。为提供相等的1与0的数据界线，参考数位线电压理论上要与 I心心-所"0巧等，巧中VfinO是供给数据0的的最终电荷共享电压。 2 -般而言，内部电压供应可用来提供上述电压，然而，由于电阻压降（IR化op)等 等的关系，内部电压供应难W均匀地提供上述电压给所有感测放大器。由此可见，上述现有 的方式，显然仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域无不费尽也思 来谋求解决的方法，但长久W来仍未找出适当的解决方案。
技术实现思路

技术实现思路
旨在提供本公开内容的简化摘要，W使阅读者对本公开内容具备基本的 理解。该并非本公开内容的完整概述，且其用意并非在指出本专利技术实施例的重要 /关键元件或界定本专利技术的范围。 本专利技术的目的在于提供一种，该预先 充电方法克服了现有技术的上述缺陷。 本
技术实现思路
的一个技术方面是关于一种预先充电方法，其应用于动态随机存取存 储器值ynamicRandomAccessMemories,DRAM),前述方法包含W下步骤： 禁能主动阵列中的多条字元线； 平衡主动阵列W及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压的一半； 禁能参考阵列中的多条字元线；W及 预充主动阵列W及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压。 根据本专利技术一个实施例，前述预先充电方法还包含：在参考阵列的多个参考单元 存储电源供应电压的一半。 根据本专利技术另一个实施例，前述禁能参考阵列中的多条字元线的步骤是在执行完 禁能主动阵列中的多条字元线的步骤后的预设时段才执行。 根据本专利技术再一个实施例，前述在参考阵列的多个参考单元存储电源供应电压的 一半的步骤是在预设时段内执行。 根据本专利技术又一个实施例，前述预先充电方法还包含：使能主动阵列及参考阵列 中的多条字元线。 根据本专利技术另一个实施例，前述禁能主动阵列中的多条字元线的步骤执行于使能 主动阵列及参考阵列中的多条字元线的步骤之后。 根据本专利技术再一个实施例，前述禁能参考阵列中的多条字元线的步骤执行于平衡 主动阵列W及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压的一半的步骤之后。 根据本专利技术又一个实施例，前述预充主动阵列W及参考阵列中的多条数位线的电 压至电源供应电压的步骤执行于禁能参考阵列中的多条字元线的步骤之后。 根据本专利技术另一个实施例，前述预先充电方法还包含：同时使能主动阵列W及参 考阵列中的多条字元线。 根据本专利技术再一个实施例，前述同时使能主动阵列W及参考阵列中的多条字元线 的步骤执行于预充主动阵列W及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压的步骤 之后。 在参阅下文实施方式后，本专利技术本领域技术人员可轻易了解本专利技术的基本精神及 其他专利技术目的，W及本专利技术所采用的技术手段与实施方面。 本专利技术的预先充电方法，其内部电压供应可均匀地提供参考数位线电压给所有感 测放大器。【附图说明】 为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说 明如下： 图1为根据本专利技术一个实施方式的一种应用于动态随机存取存储器的预先充电 方法的流程图。 图2为根据本专利技术另一个实施方式的一种应用于动态随机存取存储器的预先充 电方法的时序图。 根据惯用的作业方式，图中各种特征与元件并未按比例绘制，其绘制方式是为了 W最佳的方式呈现与本专利技术相关的具体特征与元件。此外，在不同附图间，W相同或相似的 元件符号来指称相似的元件/部件。【具体实施方式】 为了使本公开内容的描述还加详尽与完备，下文针对了本专利技术的实施方面与具体 实施例提出了说明性的描述；但该并非实施或运用本专利技术具体实施例的唯一形式。实施方 式中涵盖了多个具体实施例的特征W及用来构建与操作该些具体实施例的方法步骤与其 顺序。然而，也可利用其他具体实施例来达成相同或均等的功能与步骤顺序。 除非本说明书另有限定，此处所用的科学与技术词汇的含义与本专利技术本领域技术 人员所理解与惯用的意义相同。此外，在不和上下文冲突的情形下，本说明书所用的单数名 词涵盖该名词的复数型；而所用的复数名词时也涵盖该名词的单数型。 图1为根据本专利技术一个实施方式的一种应用于动态随机存取存储器值ynamic RandomAccessMemories,DRAM)的预先充电方法100的流程图。如图1所示，应用于动态 随机存取存储器的预先充电方法100包含W下步骤：[002引步骤110 ;使能主动阵列W及参考阵列中的多条字元线； 步骤120 ;禁能主动阵列中的多条字元线； 步骤130 ;平衡主动阵列W及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压的 一半；[003引步骤140 ;在参考阵列的多个参考单元存储电源供应电压的一半； 步骤150 ;禁能参考阵列中的多条字元线； 步骤160 ;预充主动阵列W及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压； W及步骤170 ;同时使能主动阵列W及参考阵列中的多条字元线。 为使本专利技术更易于理解，请一并参阅图1及图2,上述图2为根据当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于动态随机存取存储器的预先充电方法，其特征在于，所述预先充电方法包含：禁能主动阵列中的多条字元线；平衡所述主动阵列以及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压的一半；禁能所述参考阵列中的多条字元线；以及预充所述主动阵列以及所述参考阵列中的所述多个数位线的电压至所述电源供应电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：史考特德纳，查尔斯英格尔斯，霍华奇尔须，金太，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71