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本申请针对存储器装置中的存取线晶粒调制。可形成交叉点存储器阵列中的存储器单元堆叠。在一些实例中，所述存储器单元堆叠可包括存储元件。阻隔材料可形成在所述存储器单元堆叠上方。所述阻隔材料可初始地具有波状顶部表面。在某些情况下，可使所述阻隔材料的...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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