三维存储器元件制造技术

本发明专利技术公开了一种三维存储器元件，包括多层叠层结构，多层叠层结构包括多个导电条带及多条沟道，以定义出第一、第二、第三和第四脊状叠层；位于第一脊状叠层上的第一串行选择线开关；位于第二脊状叠层上的第一接地选择线开关；第一U形存储单元串行，串接第一串行选择线开关和第一接地选择线开关；位于第三脊状叠层上的第二串行选择线开关；位于第四脊状叠层上的第二接地选择线开关；第二U形存储单元串行，串接第二串行选择线开关和第二接地选择线开关。第一字线接触结构与第一脊状叠层的导电条带接触。第二字线接触结构与第二脊状叠层的导电条带接触；第三字线接触结构与第三和第四脊状叠层的导电条带接触。

D memory element

The invention discloses a three-dimensional memory elements, including multilayer laminated structure, multilayer laminated structure comprises a plurality of conductive strips and a plurality of channels, in order to define the first, second, third and fourth ridge ridge located in the first layer; the first serial stack selection switch is located at second ridge line; the shape of laminated on the first ground select line switch; the first U shape memory unit serial concatenation, the first choice of serial line switch and the first ground select line switch; located at third ridge stacked on the second serial line selection switch; located at fourth ridge second laminated on the ground select line switch; second U shape memory unit serial, serial line selection switch in series with second and second ground select line switch. The first word line contact structure is in contact with the conductive strip of the first ridge like stack. The second word line contact structure is in contact with a second ridge laminated conductive strip; the third word line contact structure is in contact with the conductive strip of third and fourth ridge laminated.

【技术实现步骤摘要】
三维存储器元件
本专利技术是有关于一种高密度存储器元件。特别是一种三维(ThreeDimemsional，3D)存储器元件。
技术介绍
非易失性存储器元件，例如闪存，具有在移除电源时亦不丢失储存于记忆单元中的信息的特性。已广泛运用于用于便携式音乐播放器、移动电话、数码相机等的固态大容量存储应用。为了达到具有更高密度储存容量的需求，目前已经有各种不同结构的三维存储器元件，例如具有单栅极(single-gate)存储单元、双栅极(doublegate)存储单元，和环绕式栅极(surroundinggate)存储单元的三维闪存元件，被提出。典型的三维非易失性存储器元件包含多个构建于多层叠层结构(multi-layerstacks)之中具有垂直通道的存储单元立体阵列。以具有U形存储单元串行结构的单栅极垂直通道(Single-GateVerticalChannel，SGVC)NAND存储器元件为例，一般是采用多晶硅材质的叠层导电条带来作为存储单元的栅极。由于多晶硅的阻值较大，因此在构建存储单元阵列时，需要将导电条带跟隔成多个区段，并过阶梯状的字线接触结构字线接触结构，将位于同一阶层的导电条与位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维(Three Dimemsional，3D)存储器元件，包括：一多层叠层结构(multi‑layer stacks)，包括彼此隔离的多个导电条带(conductive strips)以及多条沟道(trench)，用以至少定义出一第一脊状叠层(ridge stacks)、一第二脊状叠层、一第三脊状叠层以及一第四脊状叠层；一第一串行选择线(String Selection Line，SSL)开关，位于该第一脊状叠层之上；一第一接地选择线(Ground Selection Line，GSL)开关，位于该第二脊状叠层之上；一第一U形存储单元串行(U‑shaped cell string)，串接...

【技术特征摘要】
1.一种三维(ThreeDimemsional，3D)存储器元件，包括：一多层叠层结构(multi-layerstacks)，包括彼此隔离的多个导电条带(conductivestrips)以及多条沟道(trench)，用以至少定义出一第一脊状叠层(ridgestacks)、一第二脊状叠层、一第三脊状叠层以及一第四脊状叠层；一第一串行选择线(StringSelectionLine，SSL)开关，位于该第一脊状叠层之上；一第一接地选择线(GroundSelectionLine，GSL)开关，位于该第二脊状叠层之上；一第一U形存储单元串行(U-shapedcellstring)，串接该第一串行选择线开关和该第一接地选择线开关；一第二串行选择线开关，位于该第三脊状叠层之上；一第二接地选择线开关，位于该第四脊状叠层之上；一第二U形存储单元串行，串接该第二串行选择线开关和该第二接地选择线开关；一第一字线接触结构，与位于该第一脊状叠层上的这些导电条带接触；一第二字线接触结构，与位于该第二脊状叠层上的这些导电条带接触；以及一第三字线接触结构，与位于该第三脊状叠层和该第四脊状叠层上的这些导电条带接触。2.根据权利要求1所述的三维存储器元件，更包括一第一串行选择线接触垫，与位于该第一脊装叠层的一顶部导电条带接触；一第二串行选择线接触垫，与位于该第三脊装叠层的一顶部导电条带接触；以及一接地选择线接触垫，与位于该第二脊装叠层和该的四脊装叠层的二顶部导电条带接触。3.根据权利要求1所述的三维存储器元件，更包括：一记忆材料层，位于这些沟道的多个侧壁上；一图案化通道膜，覆盖于该记忆材料层以及这些沟道的多个底部上；以及多个存储单元，形成于该记忆材料层和该图案化通道膜与这些导电条带三者重叠的多个位置(crosspoint)。4.根据权利要求3所述的三维存储器元件，其中：...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志玮，叶腾豪，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71