允许装置互连中的变化的堆栈式存储器制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】允许装置互连中的变化的堆栈式存储器
本专利技术的实施例一般涉及电子装置的领域，并且更特别地，涉及允许在装置互连中的变化的堆栈式存储器。
技术介绍
为了为各种种类的计算操作提供具有更高带宽的存储器，正在开发具有多个紧密耦合的存储器元件的存储装置（其可以被称作3D堆栈式存储器，或者堆栈式存储器）。3D堆栈式存储器可以包括耦合DRAM（动态随机访问存储器）存储器元件的层或封装，其可以被称作存储栈。堆栈式存储器可以用来在单个装置或封装中提供大量的计算机存储器，其中装置或封装可以进一步包括系统部件，诸如存储控制器和CPU（中央处理单元）或其它系统元件。然而，堆栈式存储器可能要求在小物理面积中的大量连接。为此，连接可能在大小上被要求非常小，由此在制造中增加了成本且限制了灵活性。附图说明本专利技术的实施例通过举例的方式而不通过限制的方式在附图的图中进行图示，其中，相同的参考数字指代相同的元件。图1图示了3D堆栈式存储器的实施例；图2图示了堆栈式存储装置的实施例的元件；图3A、3B和4图示了用于具有变化数量的存储器管芯层的堆栈式存储装置的实施例的连接；图5图示了用于支持变化间距的...
【技术保护点】
一种存储装置，包括：用于所述存储装置的系统元件，所述系统元件包括多个衬垫；以及与所述系统元件连接的存储栈，所述存储栈包括一个或多个存储器管芯层、所述系统元件和所述存储栈的连接包括用于连接第一存储器管芯层和所述系统元件的所述多个衬垫的多个互连；其中，对于在所述存储栈中的单个存储器管芯层，所述多个衬垫的第一子集用于第一组互连，所述第一组互连用于所述系统元件和所述存储栈的所述连接；以及其中，对于在所述存储栈中的两个或更多的存储器管芯层，所述多个衬垫的所述第一子集和附加的第二子集用于所述第一组互连和第二组互连，所述第一组互连和第二组互连用于所述系统元件和所述存储栈的所述连接，其中所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储装置，包括：用于所述存储装置的系统元件，所述系统元件包括多个衬垫；以及与所述系统元件连接的存储栈，所述存储栈包括一个或多个存储器管芯层、所述系统元件和所述存储栈的连接包括用于连接第一存储器管芯层和所述系统元件的所述多个衬垫的多个互连；其中，对于在所述存储栈中的单个存储器管芯层，所述多个衬垫的第一子集用于第一组互连，所述第一组互连用于所述系统元件和所述存储栈的所述连接；以及其中，对于在所述存储栈中的两个或更多的存储器管芯层，所述多个衬垫的所述第一子集和附加的第二子集用于所述第一组互连和第二组互连，所述第一组互连和第二组互连用于所述系统元件和所述存储栈的所述连接，其中所述多个衬垫的所述第一子集被隔开，使得至少一个衬垫位于衬垫的所述第一子集的每一个衬垫之间，从而允许互连间距随着所述存储栈中的存储器管芯层的数量变化而变化。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中如果所述单个存储器管芯层是在所述存储栈中独有的存储器管芯层，则第一互连间距用于所述第一存储器管芯层和所述系统元件的所述互连。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中如果特定数量的存储器管芯层存在于所述存储栈中，则第二互连间距用于所述第一存储器管芯层和所述系统元件的所述互连，所述特定数量是2或更大，所述第一互连间距大于所述第二互连间距。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中针对将从每一个存储器管芯层驱动的在所述存储栈与所述存储装置的所述系统元件之间的总的逻辑存储器互连的子集构造所述存储装置。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中如果存储器管芯层的所述数量是用于所述存储器的存储器管芯层的最大数量，则所述多个衬垫中的所有所述衬垫用于互连。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述系统元件是片上系统（SoC）。7.根据权利要求1所述的存储装置，进一步包括硅中介层，所述连接包括所述系统元件和存储栈至所述硅中介层的耦合。8.根据权利要求1所述的存储装置，进一步包括非硅封装衬底，所述存储栈包括单个存储器管芯层，并且所述连接包括所述系统元件和所述单个存储器管芯层至所述非硅封装衬底的耦合。9.一种逻辑芯片，包括：用于计算机存储器的控制器；以及用于所述逻辑芯片与存储栈的连接的多个衬垫，所述存储栈包括一个或多个存储器管芯层；其中，对于在所述存储栈中的单个存储器管芯层，所述多个衬垫的第一子集用于第一组互连，所述第一组互连用于所述连接；以及其中，对于在所述存储栈中的两个或更多的存储器管芯层，所述多个衬垫的所述第一子集和附加的第二子集用于所述第一组互连和第二组互连，所述第一组互连和第二组互连...
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