【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非失性存储器领域,特别是涉及一种非易失性存储器擦写控制方法。本专利技术还涉及一种非易失性存储器擦写控制电路。
技术介绍
对于非易失性存储器,擦写所需的电流往往要比读所需的电流大三到四个数量级,同时擦写所需的时间也比读所需的时间大三到四个数量级。对应同一个非易失性存储器的不同存储单元,其所需的擦写时间与擦写电流也不尽相同,能相差一个数量级以上。并且,随着使用次数的增多,存储单元电路会老化,从而会要求更长的擦写时间与擦写电流。由于应用时,有的存储单元的擦写次数会远远大于其它存储单元,所以随着应用时间的增长,各个存储单元之间需要的擦写时间与擦写电流的差异会越来越大。目前的非易失性存储器擦写控制电路是在电路测试后,用一组对应固定的擦写电流与擦写时间的参数来进行擦写的。而这组参数必须保证在有效的使用寿命内,对所有的存储单元都有效,这样虽然操作方便,但在性能上来说并非最优。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种非易失性存储器擦写控制方法,能有效改进非易失性存储器的擦写性能。为此,本专利技术还要提供一种非易失性存储器擦写控制电路。为解决上述技术问题,本专利技术的非易失性存储器擦写控制方法,所述非易失性存储器的每个存储单元都预留一定存储空间存储擦写参数;包括如下步骤:步骤1、当需要擦写非易失性存储器时,缓存待擦写数据和擦写参数;步骤2、从要擦写的存储单元中读出其存储的擦写参数;步骤3、以读出的擦写参数来擦写所述存储单元;步骤4、读回刚刚擦写完的数据和擦写参数,将其与之前缓存的待擦写数据和擦写参数进行比较;步骤5、如果数据比较结果和 ...
【技术保护点】
一种非易失性存储器擦写控制方法,其特征在于,所述非易失性存储器的每个存储单元都预留一定存储空间存储擦写参数;包括如下步骤:步骤1、当需要擦写非易失性存储器时,缓存待擦写数据和擦写参数;步骤2、从要擦写的存储单元中读出其存储的擦写参数;步骤3、以读出的擦写参数来擦写所述存储单元;步骤4、读回刚刚擦写完的数据和擦写参数,将其与之前缓存的待擦写数据和擦写参数进行比较;步骤5、如果数据比较结果和擦写参数比较结果均不一致,则增加擦写参数,重复步骤3、4,按照新的擦写参数继续擦写所述存储单元,直到数据比较结果和擦写参数比较结果均一致;步骤6、产生并输出擦写完成信号。
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器擦写控制方法,其特征在于,所述非易失性存储器的每个存储单元都预留一定存储空间存储擦写参数;包括如下步骤:步骤1、当需要擦写非易失性存储器时,缓存待擦写数据和擦写参数;步骤2、从要擦写的存储单元中读出其存储的擦写参数;步骤3、以读出的擦写参数来擦写所述存储单元;步骤4、读回刚刚擦写完的数据和擦写参数,将其与之前缓存的待擦写数据和擦写参数进行比较;步骤5、如果数据比较结果和擦写参数比较结果均不一致,则增加擦写参数,重复步骤3、4,按照新的擦写参数继续擦写所述存储单元,直到数据比较结果和擦写参数比较结果均一致;步骤6、产生并输出擦写完成信号。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述擦写参数,指的是擦写非易失性存储器所需的时间或电流。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:当擦写参数位数比较多时,事先设定几组擦写参数,在存储单元中存入选择哪组擦写参数的选择信号。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述增加擦写参数,是改用对应更长擦写时间与更大擦写电路的擦写参数。5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:每个存储单元对应的擦写参数的初始值是在不考虑老化情况下,电路仿真得到的能正常擦写非易失性存储器的最小擦写参数。6.一种非易失性存储器擦写控制电路,其特征在于,包括:一主控电
\t路,一比较电路,一缓存电路,一读存储器逻辑电路,一擦写存储器逻辑电路;所述非易失性存储器的每个存储单元都预留一定存储空间存储擦写参数;当主控电路收到擦写启动信...
【专利技术属性】
技术研发人员:王吉健,
申请(专利权)人:上海华虹集成电路有限责任公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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