电压电平偏移器及使用其的嵌入式非易失性存储器和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种电压电平偏移器及使用其的嵌入式非易失性存储器和系统。一种电压电平偏移器可以包括第一输入单元、第二输入单元、第一镜像单元、第二镜像单元和钳位块。第一输入单元和第二输入单元可以分别接收第一输入信号和第二输入信号，并形成负输出节点的电流路径和正输出节点的电流路径。第一镜像单元和第二镜像单元可以将第一电压提供给负输出节点和正输出节点。钳位块可以接收第二电压，并将正输出节点和负输出节点分别与第一镜像单元和第二镜像单元耦接。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年7月13日提交的申请号为10-2015-0099305的韩国申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
各种实施例总体涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种放大输入信号或改变电压电平的电压电平偏移器。
技术介绍
用于个人用途的电子产品(诸如个人计算机、平板电脑、膝上型电脑和智能电话)可以由各种电子组件来配置。电子组件可以以不同的电压电平操作，且可以从施加至电子产品的恒定电源电压产生更高电平泵电压并使用其。近来，已经开发出能够高速地操作的固态驱动器(诸如数据储存设备)。作为用于储存数据的组件的固态驱动器包括多个快闪存储器。快闪存储器包括使用浮栅的存储单元，且因其编程操作特性(电荷累积在浮栅中)而使用充分高电平的电压作为编程电压。快闪存储器可以包括诸如电压泵电路和电压电平偏移器的电路来产生编程电压。特别地，由于电压电平偏移器使用诸如电源电压的泵电压，因此配置电压电平偏移器的半导体器件可能击穿。具体地，在特定条件下，配置电压电平偏移器的晶体管的栅极氧化物可能击穿。
技术实现思路
在一个实施例中，一种电压电平偏移器可以包括：第一输入单元，被配置为接收第一输入信号并形成负输出节点的电流路径；第二输入单元，被配置为接收第二输入信号并形成正输出节点的电流路径；第一镜像单元，与正输出节点耦接，并被配置为将第一电压提供给负输出节点；第二镜像单元，与负输出节点耦接，并被配置为将第一电压提供给正输出节点；以及钳位块，被配置为接收第二电压，并将正输出节点和负输出节点分别与第一镜像单元和第二镜像单元耦接。在一个实施例中，一种电压电平偏移器可以包括：第一输入单元，被配置为接收第一输入信号，并将负输出节点与接地电压的端子耦接；第二输入单元，被配置为接收第二输入信号，并将正输出节点与接地电压的端子耦接；第一镜像单元，与正输出节点耦接，并被配置为将泵电压提供给负输出节点；第二镜像单元，与负输出节点耦接，并被配置为将泵电压提供给正输出节点；第一钳位单元，被配置为接收钳位电压并将正输出节点与第一镜像单元耦接；以及第二钳位单元，被配置为接收钳位电压并将负输出节点与第二镜像单元耦接。附图说明图1是图示根据一个实施例的电压电平偏移器的配置的示例代表的示图。图2是用来描述图1中示出的电压电平偏移器的操作的表格的示例。图3是图示根据一个实施例的数据储存设备的配置的示例的示图。图4是图示根据一个实施例的图像传感器的配置的示例的示图。图5是图示根据一个实施例的电源管理系统的配置的示例的示图。图6是图示根据一个实施例的触屏显示设备的配置的示例的示图。具体实施方式在下文中，将参照附图通过实施例的各种示例来在以下描述电压电平偏移器以及使用其的嵌入式非易失性存储器和系统。图1是图示根据一个实施例的电压电平偏移器1的配置的示例代表的示图。在图1中，电压电平偏移器1可以通过接收第一电压、第二电压和第三电压来操作。第一电压可以具有比第二电压高的电平，且第二电压可以具有比第三电压高的电平。作为电压电平偏移器1的电源电压的第一电压可以为高电压或具有高电平的泵电压VPP。泵电压VPP可以通过泵电路来产生，泵电路泵送(pump)相对低电平的外部电压。第三电压可以为接地电压VSS。第二电压的电平将在之后描述。电压电平偏移器1可以包括第一输入单元111、第二输入单元112、第一镜像单元121、第二镜像单元122和钳位块(clampingblock)130。第一输入单元111接收第一输入信号VIN。第一输入单元111可以耦接在负输出节点VOUTB与第三电压(即，接地电压VSS)的端子之间，且可以响应于第一输入信号VIN来将负输出节点VOUTB与接地电压VSS的端子耦接。相应地，第一输入单元111可以响应于第一输入信号VIN来形成负输出节点VOUTB的电流路径。第二输入单元112接收第二输入信号VINB。在非限制性意义上，第二输入信号VINB可以是关于第一输入信号VIN的补偿信号。例如，第二输入信号VINB可以在第一输入信号VIN为高电平信号时为低电平信号，以及第二输入信号VINB可以在第一输入信号VIN为低电平信号时为高电平信号。第二输入单元112可以耦接在正输出节点VOUT与接地电压VSS的端子之间，且可以响应于第二输入信号VINB来将正输出节点VOUT与接地电压VSS的端子耦接。相应地，第二输入单元112可以响应于第二输入信号VINB来形成正输出节点VOUT的电流路径。第一输入信号VIN和第二输入信号VINB可以具有比泵电压VPP相对低的外部电压的电平。在此情况下，电压电平偏移器1可以将相对低电平的输入信号转变为具有高电平的输出信号。第一镜像单元121可以耦接在第一电压(即，泵电压VPP)的端子与负输出节点VOUTB之间。而且，第一镜像单元121可以与正输出节点VOUT耦接，且可以根据正输出节点VOUT的电压电平来将泵电压VPP提供给负输出节点VOUTB。第二镜像单元122可以耦接在泵电压VPP的端子与正输出节点VOUT之间。而且，第二镜像单元122可以与负输出节点VOUTB耦接，且可以根据负输出节点VOUTB的电压电平来将泵电压VPP提供给正输出节点VOUT。钳位块130可以接收第二电压VX，并将第一镜像单元121和第二镜像单元122分别与正输出节点VOUT和负输出节点VOUTB耦接。钳位块130可以包括第一钳位单元131和第二钳位单元132。第一钳位单元131可以接收第二电压VX并将第一镜像单元121与正输出节点VOUT耦接，以及第二钳位单元132可以接收第二电压VX并将第二镜像单元122与负输出节点VOUTB耦接。由于第一钳位单元131和第二钳位单元132分别接收第二电压VX并将第一镜像单元121和第二镜像单元122分别与正输出节点VOUT和负输出节点VOUTB耦接，因此有可能钳位施加至第一镜像单元121和第二镜像单元122的电压。在图1中，第一输入单元111可以包括第一NMOS晶体管N1。第一NMOS晶体管N1可以具有接收第一输入信号VIN的栅极、与负输出节点VOUTB耦接的漏极以及与接地电压VSS的端子耦接的源极。第二输入单元112可以包括第二NMOS晶体管N2。第二NMOS晶体管N2可以具有接收第二输入信号VINB的栅极、与正输出节点VOUT耦接的漏极以及与接地电压VSS的端子耦接的源极。第一钳位单元131可以包括第一钳位晶体管CP1。第一钳位晶体管CP1可以为PMOS晶体管。第一钳位晶体管CP1可以具有接收第二电压VX的栅极、与第一镜像单元121耦接的源极以及与正输出节点VOUT耦接的漏极。第二钳位单元132可以包括第二钳位晶体管CP2。第二钳位晶体管CP2可以为PMOS晶体管。第二钳位晶体管CP2可以具有接收第二电压VX的栅极、与第二镜像单元122耦接的源极以及与负输出节点VOUTB耦接的漏极。泵电压VPP可以被偏置至第一钳位晶体管CP1和第二钳位晶体管CP2的基体。第一镜像单元121可以包括第一PMOS晶体管P1。第一PMOS晶体管P1可以具有与第一钳位晶体管CP1的源极耦接的栅极、接收泵电压VPP的源极以及与负输出节点VOUTB耦接的漏极。第二镜像单元122可以包括第二PMOS晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压电平偏移器，包括：第一输入单元，适用于接收第一输入信号并形成负输出节点的电流路径；第二输入单元，适用于接收第二输入信号并形成正输出节点的电流路径；第一镜像单元，适用于响应于来自正输出节点的输入来将第一电压提供给负输出节点；第二镜像单元，适用于响应于来自负输出节点的输入来将第一电压提供给正输出节点；以及钳位块，适用于接收第二电压，并将正输出节点和负输出节点分别与第一镜像单元和第二镜像单元耦接。

【技术特征摘要】
2015.07.13 KR 10-2015-00993051.一种电压电平偏移器，包括：第一输入单元，适用于接收第一输入信号并形成负输出节点的电流路径；第二输入单元，适用于接收第二输入信号并形成正输出节点的电流路径；第一镜像单元，适用于响应于来自正输出节点的输入来将第一电压提供给负输出节点；第二镜像单元，适用于响应于来自负输出节点的输入来将第一电压提供给正输出节点；以及钳位块，适用于接收第二电压，并将正输出节点和负输出节点分别与第一镜像单元和第二镜像单元耦接。2.如权利要求1所述的电压电平偏移器，其中，第一输入单元包括第一NMOS晶体管，其中，第一NMOS晶体管包括接收第一输入信号的栅极、与负输出节点耦接的漏极以及与第三电压的端子耦接的源极。3.如权利要求1所述的电压电平偏移器，其中，第二输入单元包括第二NMOS晶体管，其中，第二NMOS晶体管包括接收第二输入信号的栅极、与正输出节点耦接的漏极以及与第三电压的端子耦接的源极。4.如权利要求1所述的电压电平偏移器，其中，第一输入信号与第二输入信号为互补信号。5.如权利要求1所述的电压电平偏移器，其中，第二电压具有比第一电压低的电平。6.如权利要求1所述的电压电平偏移器，其中，第一镜像单元和第二镜像单元中的每个包括PMOS晶体管，以及其中，第二电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正勋，金度熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR