内存电压调节方法及电路技术

本发明专利技术实施例公开了一种内存电压调节方法，该方法通过BIOS去动态获取内存规格参数，根据不同的内存规格参数确定当前内存适用的工作电压，BIOS进而对控制信号进行编程‑‑‑‑配置为高电平或低电平，该控制信号作为输入去控制电压调节电路进行内存电压调节，从而输出给内存相匹配的工作电压这一方法。本发明专利技术提供的技术方案具有适应多种电压的优点。

Memory voltage regulating method and circuit

The embodiment of the invention discloses a memory voltage regulation method, this method uses BIOS to dynamically access memory specifications, determine the working voltage for the current memory according to the memory of different specifications, and then the control signal of BIOS programming configuration for high level or low level, the control signal is used as input to the control voltage regulating circuit of memory voltage regulation, output voltage to the memory to match this method. The technical scheme provided by the invention has the advantages of being suitable for various voltages.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机领域，尤其涉及内存电压调节方法及电路。
技术介绍
随着技术的发展，计算机已经广泛的应用于工业、农业、商业、教育、交通、国防等各个领域，在计算机高度普及化的今天，计算机的稳定性、可靠性显得尤为重要。内存(Memory，也被称为内部存储器)作为计算机最为重要的部件之一，它是外设和CPU(Central Processing Unit，中央处理器)进行沟通的桥梁，其主要作用是用于存放CPU需要处理的运算数据，以及硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行，中央处理器就会把需要运算的数据调到内存中进行处理，当处理完成后再将结果传送出来。因而，内存的稳定性直接影响到计算机的稳定性。内存在工作的过程中，需要适当的工作电压，比如DDR3内存的标准工作电压为1.5V、DDR3L的为1.35V。对于不同的内存，相匹配的工作电压对内存的稳定性，以及使用寿命有着至关重要的作用。纵观当前市面上主流的一些计算机以及用户的使用模式，标称支持DDR3内存的计算机，插上DDR3L的内存通常也是可以开机和使用的，但通过电压量测发现DDR3L的内存供电电压依然是1.5V。反之，某些标称支持DDR3L内存的计算机，插上DDR3的内存也是可以开机的，但电压量测发现DDR3内存的工作电压却是1.35V。上述这些搭配(标配支持DDR3内存的计算机，使用的却是DDR3L的内存；或者标配支持DDR3L内存的计算机，使用的却是DDR3的内存)，尤其凸显在个人计算机的DIY(Do It Yourself，用户自己单独买计算机主板、内存等进行装机)市场上。内存实际的工作电压，高于或低于其标准的工作电压，虽然计算机也可以使用，但计算机的稳定性相对比较低，会出现几率性不开机或使用过程中死机的情况。而且，内存长期在这种非标准匹配电压情况下工作，会严重影响计算机的使用寿命。所以现有的内存供电方案无法适应多种规格的内存电压。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种内存电压调节方法及电路。可以满足DDR以及DDRL多种工作电压。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种内存电压调节电路的电压调整的方法，所述方法包括如下步骤：获取插入的内存的标准工作电压信息；如该标准工作电压信息为低标准电压,则控制BIOS可编程控制信号为低电平，如该标准工作电压信息为高标准电压，则控制BIOS可编程控制信号为高电平。可选的，所述获取插入的内存的标准工作电压信息具体，包括：BIOS读取当前计算机所使用内存的串行存在侦测信息，获取当前内存支持的标准工作电压信息。可选的，所述内存电压调节电路包括：BIOS可编程控制信号、电阻、三极管T、buck电路、内存，其中，BIOS可编程控制信号连接第四电阻的一端，第四电阻的另一端连接三极管的基极，三极管的发射极接地，三极管的集电极连接第三电阻的另一端，第三电阻的一端连接buck电路的输入端，buck电路的输出端连接内存，第二电阻的一端连接第三电阻的一端，第二电阻的另一端接地，第一电阻的一端连接电压源，第一电阻的另一端连接第三电阻的一端。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：本专利技术的技术方案通过一个分压电路来实现buck电路输入电压的选择，从而适应DDR以及DDRL不同的供电电压，所以其具有支持多种电压的优点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术第一较佳实时方式提供的一种内存电压调节电路的结构示意图；图2是本专利技术第二较佳实施方式提供的一种内存电压调节方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。参阅图1，如图1所示为本专利技术第一较佳实时方式提供的一种内存电压调节电路结构示意图，如图1所示，BIOS可编程控制信号、电阻、三极管T、buck电路、内存，其中，BIOS可编程控制信号连接第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接三极管T的基极，三极管T的发射极接地，三极管T的集电极连接第三电阻R3的另一端，第三电阻R3的一端连接buck电路的输入端，buck电路的输出端连接内存(对内存供电)，第二电阻R2的一端连接第三电阻R3的一端，第二电阻R2的另一端接地，第一电阻R1的一端连接电压源VCC1，第一电阻R1的另一端连接第三电阻R3的一端。其实现原理为，用户可以通过BIOS可编程控制信号来选择内存的供电电压，具体实现原理为，如果用户选择BIOS可编程控制信号为低电平，则三极管T关闭，电压源通过R1、R2导通，buck电路输入端的电压为电阻R2的电压，如果用户选择BIOS可编程控制信号为高电平，则三极管T导通，电压源通过R1、R2以及R3导通，此时，buck的输入电压为R2//R3的电压，所以可以通过选择开关来控制内存的输入电压，从来实现二种内存的供电。参阅图2，图2为本专利技术第二较佳实施方式提供的一种内存电压调节方法，该方法在如图1所示的电路中实现，该方法如图2所示，包括如下步骤：步骤S201、获取插入的内存的标准工作电压信息；上述步骤S201的实现方式具体可以为：BIOS读取当前计算机所使用内存的SPD(Serial Presence Detect，串行存在侦测。是指包含了内存配置信息的二进制文件，被烧录在EEPROM芯片中)信息，获取当前内存支持的标准工作电压信息。步骤S202、如该标准工作电压信息为高标准工作电压值(例如：1.5V),则控制BIOS可编程控制信号为高电平，如该标准工作电压信息为低标准工作电压值(例如1.35V)，则控制BIOS可编程控制信号为低电平。上述BIOS可编程控制信号可以具有如下特征：a、BIOS可编程控制信号是电导通的逻辑硬件控制信号；b、BIOS可以对该可编程控制信号进行编程，实现读写操作；c、该可编程控制信号作为输入信号，连接到“内存电压调节电路”。以上所揭露的仅为本专利技术一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内存电压调节电路的电压调整的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：获取插入的内存的标准工作电压信息；如该标准工作电压信息为低标准电压,则控制BIOS可编程控制信号为低电平，如该标准工作电压信息为高标准电压，则控制BIOS可编程控制信号为高电平。

【技术特征摘要】
1.一种内存电压调节电路的电压调整的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：获取插入的内存的标准工作电压信息；如该标准工作电压信息为低标准电压,则控制BIOS可编程控制信号为低电平，如该标准工作电压信息为高标准电压，则控制BIOS可编程控制信号为高电平。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取插入的内存的标准工作电压信息具体，包括：BIOS读取当前计算机所使用内存的串行存在侦测信息，获取当前内存支持的标准工作电压信息。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭齐运，刘君玲，
申请(专利权)人：深圳市智微智能科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44