【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件，具体地，涉及一种包括片上电阻器的半导体器件和一种校准片上电阻器的方法。
技术介绍
1、片上电阻器可以指集成到片上系统(soc)中用于在其输出级或输入级中进行阻抗匹配的电阻器。通常，片上电阻器的电阻值根据工艺、电压和温度而改变。因此，需要通过片上电阻器的校准来调整片上电阻器的电阻值。集成到soc中的片上电阻器的校准的局限性在于，由于校准通过外部校准手段执行，因此校准精度不高。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体器件可以包括：片上电阻器电路，其包括片上电阻器；校准电路，其被配置成对片上电阻器执行校准操作；以及校准控制电路，其被配置成控制校准电路的校准操作。校准电路包括：电流生成电路，其被配置成向片上电阻器提供校准电流；以及比较电路，其被配置成将通过校准电流和片上电阻器生成的第一输入信号的幅度与通过校准电流和外部电阻器生成的第二输入信号的幅度进行比较。
2、此外，在实施方式中，一种校准半导体器件的片上电阻器的方法是校准如下半导体器件的片上电阻器的方法...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述片上电阻器、所述校准电路和所述校准控制电路被集成到单个裸片中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述片上电阻器具有基于电阻调整码的值而变化的电阻值，所述电阻调整码是由所述校准控制电路传送的。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述电流生成电路包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一节点通过第三开关连接到所述第二节点。
7.根据权利要求6所述的半导体器件
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【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述片上电阻器、所述校准电路和所述校准控制电路被集成到单个裸片中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述片上电阻器具有基于电阻调整码的值而变化的电阻值，所述电阻调整码是由所述校准控制电路传送的。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述电流生成电路包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一节点通过第三开关连接到所述第二节点。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述校准控制电路：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述校准控制电路：当所述校准电流的值被设置时，向所述校准电路传送用于断开所述第三开关的开关控制信号。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述校准控制电路：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，当所述片上电阻器的电阻值由所述第三校准控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：金东锡，吴周原，张根珍，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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