【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月4日提交的申请号为10-2015-0172401的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术的示例性实施例涉及一种存储器装置的编程/擦除验证操作,且更特别地,涉及一种用于通过编程/擦除验证操作检查存储器单元的状态的存储器装置及其操作方法。
技术介绍
计算机环境范式已经转变为能够在任何地方和任何时间使用的普适计算系统。因此,诸如移动电话、数码相机和笔记本电脑的便携式电子装置的使用已迅速地增加。这些便携式电子装置通常使用具有用于存储数据的一个或多个半导体存储器装置,即数据存储装置的存储器系统。存储器系统可被用作便携式电子装置的主要或辅助存储器装置。使用半导体存储器装置的存储器系统提供了优良的稳定性、耐久性、高的信息存取速度和低功耗,这是因为不像其它类型的数据存储装置,它们没有移动部件。具有这些优势的存储器系统的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡和固体驱动器(SSD)。
技术实现思路
本公开的各种实施例涉及一种用于通过编程/擦除验证操作检查存储器单元的状态的存储器装置和其操作方法。在本公开的实施例中,存储器装置可包括:多个存储块,每个存储块包括多个存储器单元;读取/写入电路,其适于读取多个存储器单元的第一组存储器单元的数据并且适于验证对第一组存储器单元的每个存储器单元的编程操作;成功/失败检查电路,其适于比较第一参考位数与第一组存储器单元中的作为读取/写入电路的验证操作的结果被验证为编程失败的第一存储器单元的数量,并且适于检查第一组存储器单元是成功还是 ...
【技术保护点】
一种存储器装置,其包括:多个存储块,每个存储块包括多个存储器单元;读取/写入电路,其适于读取所述多个存储器单元的第一组存储器单元的数据,并且适于验证对所述第一组存储器单元的每个存储器单元的编程操作;成功/失败检查电路,其适于比较第一参考位数与所述第一组存储器单元中的作为所述读取/写入电路的验证操作的结果被验证为编程失败的第一存储器单元的数量,并适于检查所述第一组存储器单元是成功还是失败;以及控制电路,其适于当作为所述成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果,发现所述第一组存储器单元成功时,基于小于所述第一参考位数的第二参考位数,控制所述成功/失败检查电路以重新检查所述第一组存储器单元是成功还是失败。
【技术特征摘要】
2015.12.04 KR 10-2015-01724011.一种存储器装置,其包括:多个存储块,每个存储块包括多个存储器单元;读取/写入电路,其适于读取所述多个存储器单元的第一组存储器单元的数据,并且适于验证对所述第一组存储器单元的每个存储器单元的编程操作;成功/失败检查电路,其适于比较第一参考位数与所述第一组存储器单元中的作为所述读取/写入电路的验证操作的结果被验证为编程失败的第一存储器单元的数量,并适于检查所述第一组存储器单元是成功还是失败;以及控制电路,其适于当作为所述成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果,发现所述第一组存储器单元成功时,基于小于所述第一参考位数的第二参考位数,控制所述成功/失败检查电路以重新检查所述第一组存储器单元是成功还是失败。2.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:电压供应电路,其适于将编程/验证电压施加至所述多个存储器单元的第一组存储器单元,用于对所述第一组存储器单元的编程/验证操作,其中,所述控制电路控制所述电压供应电路以使编程电压升高阶跃电压,使得当作为所述成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果,发现所述第一组存储器单元失败时,再次对所述第一组存储器单元执行编程/验证操作和成功/失败检查操作。3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中当在重复预设数量的编程/验证操作和成功/失败检查操作时,持续发现所述第一组存储器单元失败时,所述控制电路将所述第一组存储器单元视为编程失败页面。4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述读取/写入电路包括:多个页面缓冲器,其分别通过位线被联接至所述第一组存储器单元,并且被联接至所述成功/失败检查电路的各自的感测节点。5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述多个页面缓冲器中的每一个读取被编程在通过对应位线被联接至所述页面缓冲器的存储器单元中的数据,比较所读取的数据与锁存在所述页面缓冲器中的数据,并且根据比较结果改变对应感测节点的电势。6.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述成功/失败检查电路包括:参考电流产生单元,其适于响应于多个位的验证信号,产生参考电流;感测电流产生单元,其适于响应于所述感测节点的电势产生感测电流;以及比较单元,其适于比较所述感测电流与所述参考电流并且产生成功信号或失败信号。7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述控制电路首先启动在所述验证信号的多个位中的所述第一参考位数的位。8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中,响应于由所述比较单元输出的所述成功信号,所述控制电路启动在所述验证信号的多个位中的所述第二参考位数的位。9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述成功/失败检查电路:当所述第一存储器单元的数量小于所述第一参考位数时,确定所述第一组存储器单元成功;以及当所述第一存储器单元的数量大于所述第一参考位数时,确定所述第一组存储器单元失败。10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中当基于所述第二参考位数再次发现所述第一组存储器单元失败时,所述控制电路将所述第一组存储器单元登记并管理为具有高的性能恶化风险的页面。11.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘炳晟,高在亨,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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