数据存储装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置，其包括目标存储器单元和与目标存储器单元共用位线的一个或多个调整存储器单元，一个或多个调整存储器单元是与目标存储器单元相邻的相邻存储器单元，且非易失性存储器装置适于从其读出数据或将数据存储在其中；以及控制器，其适于基于目标存储器单元和相邻存储器单元的阈值电压调整调整存储器单元的阈值电压。

【技术实现步骤摘要】
数据存储装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月2日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0170805的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
各种实施例总体涉及一种数据存储装置，且更特别地，涉及一种执行改进的错误校正操作的数据存储装置。
技术介绍
数据存储装置响应于写入请求存储外部装置提供的数据。数据存储装置还可响应于读取请求向外部装置提供存储的数据。使用数据存储装置的外部装置的示例包括电脑、数码相机、移动手机等。数据存储装置可以嵌入到外部装置中或分别制造然后连接。当为了满足消费者对更大存储容量的便携式电子装置的需求而使数据存储装置的集成密度持续增加时，错误地读取数据的概率增加。因此，尽管在本领域中错误校正解码电路和方案众所周知，但最近对具有改进的错误校正性能的数据存储装置的需求增加。
技术实现思路
在一个实施例中，数据存储装置可包括：非易失性存储器装置，其包括目标存储器单元和与目标存储器单元共用位线的一个或多个调整存储器单元，一个或多个调整存储器单元是与目标存储器单元相邻的相邻存储器单元，且非易失性存储器装置适于从其读出数据或将数据存储在其中；以及控制器，其适于基于目标存储器单元和相邻存储器单元的阈值电压调整调整存储器单元的阈值电压。在一个实施例中，数据存储装置可包括：非易失性存储器装置，其包括第一存储器单元和与第一存储器单元共用位线的一个或多个第三存储器单元，与第一存储器单元相邻的一个或多个第三存储器单元为第二存储器单元，且非易失性存储器装置适于从其读出数据或将数据存储在其中；以及控制器，其适于基于从第一存储器单元读取的第一数据和从第二存储器单元读取的第二数据将第三数据存储到第三存储器单元中。在一个实施例中，一种数据存储装置的操作方法，数据存储装置包括：第一存储器单元和与第一存储器单元共用位线的一个或多个第三存储器单元，与第一存储器单元相邻的第三存储器单元中的一个或多个为第二存储器单元，该方法可包括：获取从第一存储器单元读取的第一数据；获取从第二存储器单元读取的第二数据；以及根据第一数据和第二数据，将第三数据存储到第三存储器单元中。附图说明图1为示出根据本专利技术的一个实施例的包括联接至控制器的非易失性存储器装置的数据存储装置的框图。图2为示出根据本专利技术的一个实施例的图1的存储器装置的存储块的详图。图3A和图3B为示出根据本专利技术的一个实施例的存储器装置的存储器单元的阈值电压分布的曲线图。图4-图6为示出根据本专利技术的一个实施例的图1的控制器的操作方法的简图。图7-图9为示出根据本专利技术的另一个实施例的图1的控制器的另一种操作方法的简图。图10为示出根据本专利技术的一个实施例的图1的控制器的操作方法的流程图。图11为示出根据本专利技术的一个实施例的用于图1的控制器生成待被存储在调整存储器单元中的第三数据的方法的流程图。图12为示出根据本专利技术的一个实施例的固态驱动器的框图。图13为示出根据本专利技术的一个实施例的包括数据存储装置的数据处理系统的框图。具体实施方式在下文中，将参照附图描述包括数据存储装置及其操作方法的本专利技术的各种实施例。然而，本专利技术可以不同的形式实施且不应解释为限于在本文中提出的实施例。而是，这些实施例被提供以详细地描述本专利技术至本专利技术所属领域的技术人员能够实现本专利技术的程度。应该理解的是，本专利技术的实施例不限于附图中示出的细节，附图不一定按比例绘制，且在一些情况中，为了更清晰地描述本专利技术的特定特征，比例可能已经被放大。当使用特定术语时，应理解为使用的术语是仅为了描述特定的实施例，而不旨在限制本专利技术的范围。图1为示出根据本专利技术的一个实施例的数据存储装置10的框图。数据存储装置10可以被配置为响应于来自外部装置的写入请求存储外部装置提供的数据。而且，数据存储装置10可以被配置为响应于来自外部装置的读取请求向外部装置提供存储的数据。数据存储装置10可以是或包括个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、标准闪存(CF)卡、智能媒体卡、记忆棒、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、减小尺寸的多媒体卡(RS-MMC)和微型版本的MMC(微型MMC)、安全数字(SD)卡、迷你安全数字(迷你-SD)卡和微型安全数字(微型-SD)卡、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)等等。数据存储装置10可以包括控制器100和非易失性存储器装置200。如图所示，控制器100与非易失性存储器装置200分离。然而，需要注意的是，本专利技术不限于这种配置。例如，控制器100可以是非易失性存储器装置200的集成部分。控制器100可以控制数据存储装置10的一般操作。例如，控制器100可以响应于从外部装置传输的写入请求将数据存储在非易失性存储器装置200中。控制器100可以响应于从外部装置传输的读取请求读取存储在非易失性存储器装置200中的数据并将读取的数据输出至外部装置。控制器100可以对从非易失性存储器装置200的目标存储器单元读取的数据执行错误校正操作。虽然未示出，但控制器100可以包括ECC(错误校正码)单元，其被配置为根据ECC算法对数据执行错误校正操作。当对从目标存储器单元读取的数据的错误校正操作失败或者从目标存储器单元读取的数据包括错误的概率高时，控制器100可以根据目标存储器单元和与目标存储器单元相邻的调整存储器单元的阈值电压调整与目标存储器单元共用位线的存储器单元(也被称为调整存储器单元)的阈值电压。例如，当目标存储器单元的阈值电压比读取电压低并且调整存储器单元的阈值电压比参考电压低时，控制器100可以将目标存储器单元当作恢复组，并将调整存储器单元的阈值电压提高至比第一电压高的电平，稍后将对此进行更详细的描述。在这种情况下，从目标存储器单元读取的数据可能包括错误，且因此对从目标存储器单元读取的数据的错误校正操作可能失败。例如，当目标存储器单元的阈值电压比读取电压高时，控制器100可以将目标存储器单元当作增强组，并将调整存储器单元的阈值电压提高至比第一电压高的电平，稍后将对此进行描述。例如，当目标存储器单元的阈值电压比读取电压低且调整存储器单元的阈值电压比参考电压高时，控制器100可以将目标存储器单元当作抑制组，并将调整存储器单元的阈值电压降低至比第二电压低的电平，稍后将对此进行更详细的描述。控制器100可以从目标存储器单元获取第一数据、从相邻存储器单元获取第二数据、根据第一数据和第二数据生成第三数据以及通过将第三数据存储在调整存储器单元中来调整调整存储器单元的阈值电压。为了将第三数据存储在调整存储器单元中，控制器100可以复制目前存储在调整存储器单元中的数据、擦除调整存储器单元以及将第三数据存储在调整存储器单元中。根据一个实施例，控制器100可以通过在相关领域中众所周知的重编程操作将第三数据存储在调整存储器单元中。调整调整存储器单元的阈值电压后，控制器100可以从目标存储器单元中读取数据。调整存储器单元的阈值电压调整后从目标存储器单元读取的数据可包括比调整存储器单元的阈值电压调整前从目标存储器单元读取的数据更少的错误位。这是因为调整存储器单元的阈值电压调整前从目标存储器单元读取的数据的至少一些错误位通过调整存储器单元的阈值电压的调整被校正。因此，对调整存储器单元的阈值电压调整本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置，其包括目标存储器单元和与所述目标存储器单元共用位线的一个或多个调整存储器单元，其中所述一个或多个调整存储器单元中的一个或多个是与所述目标存储器单元相邻的存储器单元，所述非易失性存储器装置适于从所述目标存储器单元和所述调整存储器单元中读出数据或将数据存储在所述目标存储器单元和所述调整存储器单元中；以及控制器，其适于基于所述目标存储器单元和一个或多个相邻存储器单元的阈值电压调整所述一个或多个调整存储器单元的阈值电压。

【技术特征摘要】
2015.12.02 KR 10-2015-01708051.一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置，其包括目标存储器单元和与所述目标存储器单元共用位线的一个或多个调整存储器单元，其中所述一个或多个调整存储器单元中的一个或多个是与所述目标存储器单元相邻的存储器单元，所述非易失性存储器装置适于从所述目标存储器单元和所述调整存储器单元中读出数据或将数据存储在所述目标存储器单元和所述调整存储器单元中；以及控制器，其适于基于所述目标存储器单元和一个或多个相邻存储器单元的阈值电压调整所述一个或多个调整存储器单元的阈值电压。2.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，当所述目标存储器单元的阈值电压低于读取电压且所述一个或多个相邻存储器单元的阈值电压低于参考电压时，所述控制器提高所述调整存储器单元的阈值电压。3.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，当所述目标存储器单元的阈值电压高于读取电压时，所述控制器提高所述调整存储器单元的阈值电压。4.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，当所述目标存储器单元的阈值电压低于读取电压且所述一个或多个相邻存储器单元的阈值电压高于参考电压时，所述控制器降低所述一个或多个调整存储器单元的阈值电压。5.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，当对从所述目标存储器单元中读取的数据的错误校正操作失败时，所述控制器调整所述一个或多个调整存储器单元的阈值电压。6.一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置，其包括第一存储器单元和与所述第一存储器单元共用位线的一个或多个第三存储器单元，所述一个或多个第三存储器单元中与所述第一存储器单元相邻的一个或多个存储器单元是一个或多个第二存储器单元，所述易失性存储器装置适于从其读出数据或将数据存储在其中；以及控制器，其适于基于从所述第一存储器单元读取的第一数据和从所述第二存储器单元读取的第二数据将第三数据存储到所述第三存储器单元中。7.根据权利要求6所述的数据存储装置，其中，当所述第一数据表示所述第一存储器单元的阈值电压低于读取电压且所述第二数据表示所述第二存储器单元的阈值电压低于参考电压时，所述控制器存储所述第三数据使得所述第三存储器单元的阈值电压高于第一电压。8.根据权利要求7所述的数据存储装置，其中，所述控制器存储所述第三数据，从而在所述第一存储器单元中引起后向模式依赖，即BPD。9.根据权利要求6所述的数据存储装置，其中，当所述第一数据表示所述第一存储器单元的阈值电压高于读取电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李载允，李炯珉，田明云，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR