一种带自毁功能的存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种带自毁功能的存储器，其特征在于，主要由稳态开关，与稳态开关相连接的单片机，与单片机相连接的高压脉冲输出单元，与高压脉冲输出单元相连接的储存单元，与储存单元相连接的USB通讯接口，以及同时与稳态开关、单片机、高压脉冲输出单元、以及储存单元相连接的电源组成。本发明专利技术在触动稳态开关后产生瞬间高压脉冲，销毁储存单元，从而达到真正的数据物理销毁，整个销毁过程时间极短，并且数字销毁后无法再复原，有效的防止数据泄露。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器，具体是指一种带自毁功能的存储器。
技术介绍
当今时代，信息安全的重要性尤为突出，信息安全漏洞带来的隐患和威胁也越来越大。在金融、IT、电子政务等各个领域都涉及到信息安全保护问题。同时，这些领域也需要用到一些存储设备来存储或转移机密信息。但是，这种存储设备经常被处于不安全的应用环境，存储设备中存储的机密信息很容易被他人窃取，并用于非法用途，可能使个人、企业、单位，甚至是军队、国家面临着机密泄露的危险，造成不可估量的损失。所以提升存储设备的安全保护作用尤为重要。目前的存储系统对于数据的消除一般是采用软件擦除技术来实现，采用这种方法对数据进行消除，其时间长、并具有可恢复性，严重的威胁数据安全。因此提供一种可以快速消毁数据的存储器则是目前的当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前采用软件擦除技术对数据进行消除，时间长，并具有可恢复性的缺陷，提供一种带自毁功能的存储器。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种带自毁功能的存储器，主要由稳态开关，与稳态开关相连接的单片机，与单片机相连接的高压脉冲输出单元，与高压脉冲输出单元相连接的储存单元，与储存单元相连接的USB通讯接口，以及同时与稳态开关、单片机、高压脉冲输出单元、以及储存单元相连接的电源组成；所述高压脉冲输出单元由处理芯片U，三极管VT9，二极管D6，一端与三极管VT9的发射极相连接、另一端接地的电阻R9，负极与处理芯片U的SHDN管脚相连接、正极经电阻R10后与三极管VT9的发射极相连接的电容C6，串接在处理芯片U的SW管脚和VIN管脚之间的电感L，P极与处理芯片U的VIN管脚相连接、N极经电阻R13后与处理芯片U的FB管脚相连接的二极管D5，一端与处理芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R12，正极与三极管VT9的集电极相连接、负极与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C7，串接在电容C7的负极和二极管D6的N极之间的电阻R11，正极与二极管D6的N极相连接、负极与二极管D5的N极相连接的电容C8，N极与二极管D6的P极相连接、P极与二极管D5的N极相连接的二极管D7，N极与二极管D6的P极相连接、P极与二极管D5的N极相连接的二极管D8，N极与处理芯片U的VIN管脚相连接、P极与电源相连接的二极管D4，与三极管VT9的基极相连接的耦合电路，与耦合电路相连接的互补跟随电路，与互补跟随电路相连接的RC滤波电路组成；所述二极管D5的N极接地；所述RC滤波电路与单片机相连接；所述二极管D6的P极与储存单元相连接。所述RC滤波电路由P极与互补跟随电路相连接、N极经电阻R1后接地的二极管D1，和负极与二极管D1的P极相连接、正极与单片机相连接的电容C1组成。所述互补跟随电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的发射极相连接、正极接地的电容C2，负极与三极管VT2的发射极相连接、正极接地的电容C3，串接在三极管VT1的集电极和三极管VT2的发射极之间的电阻R3，以及串接在三极管VT1的发射极和三极管VT2的集电极之间的电阻R2组成；所述三极管VT1的基极与二极管D1的P极相连接、发射极与耦合电路相连接；所述三极管VT2的基极与三极管VT1的基极相连接、发射极与耦合电路相连接。所述耦合电路三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，三极管VT8，串接在三极管VT4的集电极和三极管VT3的集电极之间的电阻R4，正极与三极管VT3的集电极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的电容C4，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极经电阻R5后与三极管VT7的发射极相连接的电容C5，串接在电容C5的负极和三极管VT6的集电极之间的电阻R6，串接在三极管VT7的集电极和三极管VT8的发射极之间的电阻R7，串接在三极管VT6的发射极和三极管VT8的基极之间的电阻R8，以及N极与电容C4的正极相连接、P极经二极管D3后与三极管VT8的基极相连接的二极管D2组成；所述三极管VT4的基极与三极管VT1的发射极相连接、集电极与三极管VT3的发射极相连接；所述三极管VT3的集电极接地、其发射极与三极管VT5的基极相连接、基极与三极管VT5的发射极相连接；所述三极管VT5的集电极与三极管VT6的集电极相连接；所述三极管VT7的基极与三极管VT2的发射极相连接、其集电极与三极管VT8的集电极相连接；所述三极管VT8的发射极接地、其集电极与三极管VT6的基极相连接、其基极则与其发射极相连接；所述三极管VT6的集电极与三极管VT9的基极相连接。所述处理芯片U为LM2705集成芯片。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术在触动稳态开关后产生瞬间高压脉冲，销毁储存单元，从而达到真正的数据物理销毁，整个销毁过程时间极短，并且数字销毁后无法再复原，有效的防止数据泄露。(2)本专利技术的高压脉冲输出单元启动速度快，可以产生稳定的高压脉冲，从而可以快速、彻底的销毁储存单元。附图说明图1为本专利技术的整体结构图。图2为本专利技术的高压脉冲输出单元的结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由稳态开关，与稳态开关相连接的单片机，与单片机相连接的高压脉冲输出单元，与高压脉冲输出单元相连接的储存单元，与储存单元相连接的USB通讯接口，以及同时与稳态开关、单片机、高压脉冲输出单元、以及储存单元相连接的电源组成。其中，该电源用于给稳态开关、单片机、高压脉冲输出单元以及储存单元供电，其可采用电池供电模式或者USB外部取电模式。单片机可以接收稳态开关输出的触发信号，并输出启动信号给高压脉冲输出单元。该高压脉冲输出单元可以在接收到启动信号后输出强电压给储存单元，从而销毁储存单元。该储存单元用于储存数据。该USB通讯接口则作为与外部通讯设备的通讯接口。该电源，稳态开关，单片机，高压脉冲输出单元，储存单元以及USB通讯接口集成于一块电路板上，该电路板则镶嵌在一个壳体内，而稳态开关的触点则处于壳体外，以便于操作。该单片机采用AT89C2051单片机来实现，该AT89C2051单片机的P3.2管脚与稳态开关的输出端相连接，其VCC管脚与电源相连接，其P1.0管脚则与高压脉冲输出单元相连接。该储存单元采用K24C02储存芯片，该K24C02储存芯片的WP管脚与高压脉冲输出单元相连接，其VCC管脚与电源相连接，其SDA管脚与USB通讯接口相连接。当需要对储存单元内的数据进行销毁时，只要触发稳态开关的触点，这时稳态开关则输出触发信号给单片机，单片机接收到触发信号后则输出启动信号给高夺脉冲输出单元，使高压脉冲输出单元输出高电压销毁储存单元，从而彻底消除数据。为了更好的实施本专利技术，如图2所示，所述高压脉冲输出单元由处理芯片U，三极管VT9，二极管D6，一端与三极管VT9的发射极相连接、另一端接地的电阻R9，负极与处理芯片U的SHDN管脚相连接、正极经电阻R10后与三极管VT9的发射极相连接的电容C6，串接在处理芯片U的SW管脚和VIN管脚之间的电感L，P极与处理芯片U的VIN管脚相连接、N极经电阻R13后与处理芯片U的FB管脚相连接的二极管D5，一端与处理芯片U的GND管脚相连接、另本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带自毁功能的存储器，其特征在于，主要由稳态开关，与稳态开关相连接的单片机，与单片机相连接的高压脉冲输出单元，与高压脉冲输出单元相连接的储存单元，与储存单元相连接的USB通讯接口，以及同时与稳态开关、单片机、高压脉冲输出单元、以及储存单元相连接的电源组成；所述高压脉冲输出单元由处理芯片U，三极管VT9，二极管D6，一端与三极管VT9的发射极相连接、另一端接地的电阻R9，负极与处理芯片U的SHDN管脚相连接、正极经电阻R10后与三极管VT9的发射极相连接的电容C6，串接在处理芯片U的SW管脚和VIN管脚之间的电感L，P极与处理芯片U的VIN管脚相连接、N极经电阻R13后与处理芯片U的FB管脚相连接的二极管D5，一端与处理芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R12，正极与三极管VT9的集电极相连接、负极与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C7，串接在电容C7的负极和二极管D6的N极之间的电阻R11，正极与二极管D6的N极相连接、负极与二极管D5的N极相连接的电容C8，N极与二极管D6的P极相连接、P极与二极管D5的N极相连接的二极管D7，N极与二极管D6的P极相连接、P极与二极管D5的N极相连接的二极管D8，N极与处理芯片U的VIN管脚相连接、P极与电源相连接的二极管D4，与三极管VT9的基极相连接的耦合电路，与耦合电路相连接的互补跟随电路，与互补跟随电路相连接的RC滤波电路组成；所述二极管D5的N极接地；所述RC滤波电路与单片机相连接；所述二极管D6的P极与储存单元相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种带自毁功能的存储器，其特征在于，主要由稳态开关，与稳态开关相连接的单片机，与单片机相连接的高压脉冲输出单元，与高压脉冲输出单元相连接的储存单元，与储存单元相连接的USB通讯接口，以及同时与稳态开关、单片机、高压脉冲输出单元、以及储存单元相连接的电源组成；所述高压脉冲输出单元由处理芯片U，三极管VT9，二极管D6，一端与三极管VT9的发射极相连接、另一端接地的电阻R9，负极与处理芯片U的SHDN管脚相连接、正极经电阻R10后与三极管VT9的发射极相连接的电容C6，串接在处理芯片U的SW管脚和VIN管脚之间的电感L，P极与处理芯片U的VIN管脚相连接、N极经电阻R13后与处理芯片U的FB管脚相连接的二极管D5，一端与处理芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R12，正极与三极管VT9的集电极相连接、负极与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C7，串接在电容C7的负极和二极管D6的N极之间的电阻R11，正极与二极管D6的N极相连接、负极与二极管D5的N极相连接的电容C8，N极与二极管D6的P极相连接、P极与二极管D5的N极相连接的二极管D7，N极与二极管D6的P极相连接、P极与二极管D5的N极相连接的二极管D8，N极与处理芯片U的VIN管脚相连接、P极与电源相连接的二极管D4，与三极管VT9的基极相连接的耦合电路，与耦合电路相连接的互补跟随电路，与互补跟随电路相连接的RC滤波电路组成；所述二极管D5的N极接地；所述RC滤波电路与单片机相连接；所述二极管D6的P极与储存单元相连接。2.根据权利要求1所述的一种带自毁功能的存储器，其特征在于，所述RC滤波电路由P极与互补跟随电路相连接、N极经电阻R1后接地的二极管D1，和负极与二极管D1的P极相连接、正极与单片机相连接的电容C1组成。3.根据权利要求2所述的一种带自毁功能的存储器，其特征在于，所述互补跟随电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶曲，
申请(专利权)人：四川知周科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51