【技术实现步骤摘要】
本揭露关于整合式晶片。
技术介绍
1、集成电路形成在包含数百万或数亿个晶体管装置的半导体晶粒上。晶体管装置用以充当开关且/或用以产生功率增益以便赋能逻辑功能性。集成电路亦包含用来控制增益、时间常数，及其他ic特性的被动元件。被动元件的一个类型为金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，mim)电容器。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施例，一种整合式晶片包含：一第一金属绝缘体金属电容器，在一基板上；一第二金属绝缘体金属电容器，设置在该基板上，其中该第一金属绝缘体金属电容器具有一第一外侧壁面向该第二金属绝缘体金属电容器的一第二外侧壁；一介电结构，在该第一金属绝缘体金属电容器及该第二金属绝缘体金属电容器上且侧向地介于该第一金属绝缘体金属电容器与该第二金属绝缘体金属电容器之间；一基底导电层，在该第一金属绝缘体金属电容器与该第二金属绝缘体金属电容器之间且具有一大体上平坦的上表面；以及一金属芯，在该基底导电层的该大体上平坦的上表面上。
2、根据本揭露的一些实施例...
【技术保护点】
1.一种整合式晶片，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的整合式晶片，其特征在于，其中该金属芯及该基底导电层一起为一导电结构，且该基底导电层的该大体上平坦的上表面在该导电结构的一第一最外面侧壁与相对的一第二最外侧壁之间延伸，该第一最外面侧壁侧向地介于该第一金属绝缘体金属电容器与该第二金属绝缘体金属电容器之间且具有一第一高度，该第一高度大于或等于该第二最外侧壁的一第二高度。
3.如权利要求1所述的整合式晶片，其特征在于，其中该基底导电层包含一晶种层，且该金属芯具有该晶种层的一顶部表面上的一最底表面。
4.如权利要求3所述的整合式晶...
【技术特征摘要】
1.一种整合式晶片，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的整合式晶片，其特征在于，其中该金属芯及该基底导电层一起为一导电结构，且该基底导电层的该大体上平坦的上表面在该导电结构的一第一最外面侧壁与相对的一第二最外侧壁之间延伸，该第一最外面侧壁侧向地介于该第一金属绝缘体金属电容器与该第二金属绝缘体金属电容器之间且具有一第一高度，该第一高度大于或等于该第二最外侧壁的一第二高度。
3.如权利要求1所述的整合式晶片，其特征在于，其中该基底导电层包含一晶种层，且该金属芯具有该晶种层的一顶部表面上的一最底表面。
4.如权利要求3所述的整合式晶片，其特征在于，其中该晶种层的一最底表面为平坦的，且该最底表面自该金属芯的一第一最外面侧壁延伸至该金属芯的一第二最外侧壁。
5.如权利要求3所述的整合式晶片，其特征在于，其中该晶种层的一最底表面延伸至该介电结构内的一凹部中。
6.如权利要求1～5其中任一所述的整合式晶片，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭良轩，吕志弘，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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