【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及一种集成芯片。
技术介绍
1、许多现代电子设备都包含电子存储器。电子存储器可以是挥发性存储器或非挥发性存储器。非挥发性存储器能够在断电时保留其存储的数据，而挥发性存储器在断电时丢失其存储的数据。需要频繁刷新的动态随机存取存储器(dynamic random-access memory,dram)是挥发性存储器。非挥发性存储器例如包括电阻式随机存取存储器(resistiverandom-access memory,rram)、磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random-access memory,mram)、铁电随机存取存储器(ferroelectric random-access memory,feram)、相变存储器(phase-change memory,pcm)等。
技术实现思路
1、本揭露的一些方面涉及了一种包含多个fefet的集成芯片。第一组的fefet在半导体衬底上方的第一垂直列中。fefet包括源极/漏极、半导体沟道、栅极以及在栅极和半导体沟道之间的资料存储层。源极/漏极由水平导电层提供。第一组中的fefet的半导体沟道由连续半导体层提供。第一组中的fefet的栅极并联连接。
2、本揭露的一些方面涉及一种集成芯片，其包括由多个介电层分隔的多个导电层的堆叠。垂直长条状的氧化物半导体在堆叠的侧壁上。垂直长条状的铁电体相邻于氧化物半导体。栅极结构是相邻于铁电体。堆叠、氧化物半导体、铁电体和栅极结构形成多个铁电场效晶体管，
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1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中：
3.根据权利要求1所述的集成芯片，更包括对应于所述第一水平导电层的顶部通孔，其中所述顶部通孔位于所述第一水平导电层的正上方，并耦合到所述第一水平导电层。
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一组中的至少两个铁电场效晶体管的源极/漏极并联连接。
5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一水平导电层围绕控制栅极结构，所述控制栅极结构提供所述第一组中的所述铁电场效晶体管的所述栅极。
6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中：
7.根据权利要求1所述的集成芯片，其中：
8.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述栅极由具有叉骨形轮廓的控制栅极结构提供。
9.一种集成芯片，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的集成芯片，更包括：
【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中：
3.根据权利要求1所述的集成芯片，更包括对应于所述第一水平导电层的顶部通孔，其中所述顶部通孔位于所述第一水平导电层的正上方，并耦合到所述第一水平导电层。
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一组中的至少两个铁电场效晶体管的源极/漏极并联连接。
5.根据权利要求1所述的集成芯片，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔治奥斯韦理安尼堤斯，荷尔本朵尔伯斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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