一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层和第二绝缘层，并分别以导体层和连接层填充空腔及刻蚀孔，以分别形成背栅及连接孔；进行器件的后续加工。本发明专利技术的方法，实现了带背栅结构的类SOI器件。

【技术实现步骤摘要】
201410698552

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层和第二绝缘层，并分别以导体层和连接层填充空腔及刻蚀孔，以分别形成背栅及连接孔；进行器件的后续加工。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层
间为隔离沟槽；
从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；
填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；
在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；
通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；
在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层和第二绝缘层，并分
别以导体层和连接层填充空腔及刻蚀孔，以分别形成背栅及连接孔；
进行器件的后续加工。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过外延生长在半
导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，
所述第一半导体层为GexSi1-x，其中0<x<1，所述第二半导体层为硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成开口或形成空
腔时，去除第一半导体层的方法包括：采用HF、H2O2、CH3COOH和H2O
的刻蚀剂进行腐蚀去除第一半导体层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第一绝缘层和
隔离的步骤具体包括：进行氧化工艺，在开口内以及在隔离沟槽的内壁上
形成第一氧化物层；在隔离沟槽中填满第二氧化物层。
6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐烨锋，闫江，陈邦明，唐兆云，唐波，许静，李春龙，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11