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一种半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:13372412
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本发明公开了一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层,叠层间为隔离沟槽;从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层,以形成开口;填充开口及隔离沟槽,以分别形成第一绝缘层和隔离;在...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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