【技术实现步骤摘要】
201610068662
【技术保护点】
一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成缓冲层(20)，利用化学气相沉积方法在所述缓冲层(20)上沉积一N型重掺杂非晶硅层(30)，利用一道光罩，采用正型光阻通过黄光、蚀刻制程对所述N型重掺杂非晶硅层(30)进行图形化处理，得到位于两侧的第一N型重掺杂非晶硅层(31)与第二N型重掺杂非晶硅层(32)；步骤2、在所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)上沉积一非晶硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层(40)，利用与所述步骤1相同的光罩，采用负型光阻通过黄光、蚀刻制程对所述多晶硅层(40)进行图形化处理，得到位于所述第一N型重掺杂非晶硅层(31)与第二N型重掺杂非晶硅层(32)之间的多晶硅段(41)；步骤3、在所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)、及多晶硅段(41)上沉积栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上形成对应于多晶硅段(41)上方的栅极(60)；然后利用栅极(60)为光罩对所述多晶硅段(41)的两侧进行N型轻掺杂，得到第一N型轻掺杂多晶硅层(42)、第二N型轻掺杂多晶硅层...
【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成缓冲层(20)，利用
化学气相沉积方法在所述缓冲层(20)上沉积一N型重掺杂非晶硅层(30)，
利用一道光罩，采用正型光阻通过黄光、蚀刻制程对所述N型重掺杂非晶硅层
(30)进行图形化处理，得到位于两侧的第一N型重掺杂非晶硅层(31)与第
二N型重掺杂非晶硅层(32)；
步骤2、在所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)上沉积一非晶
硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层(40)，利用与所述
步骤1相同的光罩，采用负型光阻通过黄光、蚀刻制程对所述多晶硅层(40)
进行图形化处理，得到位于所述第一N型重掺杂非晶硅层(31)与第二N型重
掺杂非晶硅层(32)之间的多晶硅段(41)；
步骤3、在所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)、及多晶硅段(41)
上沉积栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上形成对应于多晶硅段(41)
上方的栅极(60)；然后利用栅极(60)为光罩对所述多晶硅段(41)的两侧
进行N型轻掺杂，得到第一N型轻掺杂多晶硅层(42)、第二N型轻掺杂多晶硅
层(43)、及位于所述第一、第二N型轻掺杂多晶硅层(42、43)之间的未掺
杂多晶硅层(44)；
步骤4、在所述栅极(60)、及栅极绝缘层(50)上沉积层间绝缘层(70)，
并在所述层间绝缘层(70)及栅极绝缘层(50)上形成对应于所述第一、第二
N型重掺杂非晶硅层(31、32)上方的过孔(71)，在所述层间绝缘层(70)
上形成源/漏极(80)，所述源/漏极(80)经由过孔(71)与所述第一、第二N
型重掺杂非晶硅层(31、32)相接触。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所
述步骤1中，利用化学气相沉积方法沉积N型重掺杂非晶硅层(30)时采用的
反应气体包括甲硅烷、磷化氢、及氢气。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所
述步骤2中，所述低温结晶工艺为准分子激光退火法或金属诱导横向晶化法。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所
\t述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)、第一、第二N型轻掺杂多晶硅层
(42、43)、及未掺杂多晶硅层(44)的厚度相同，从而构成一平坦层，使得
在该平坦层上沉积的栅极绝缘层(50)的厚度均匀。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所
述基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢改平，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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