一种低温多晶硅薄膜晶体管及显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及显示面板，解决了现有低温多晶硅薄膜晶体管提供的驱动电流较大的问题，实现了显示面板的高分辨显示。其中，该低温多晶硅薄膜晶体管包括从下到上依次排布的绝缘层、有源层，以及位于有源层之上相对排布的源极和漏极，在源极和漏极之间的有源层上表面形成至少一个凹槽，所述凹槽的延伸方向与源极和漏极正相对方向交错或平行。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体管
，具体涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)及显示面板。
技术介绍
图1a所示为现有技术中的低温多晶硅薄膜晶体管的俯视图。图1b所示为图1a中低温多晶硅薄膜晶体管沿A1-A2线的截面示意图。结合图1a和图1b可以看出，该LTPSTFT包括从下到上依次排布的基板10、绝缘层11、有源层12、栅极绝缘层13、栅极16，以及与栅极绝缘层13位于同一层并位于栅极绝缘层13两端的源极14和漏极15。当给该TFT接通合适电压时，位于源极14和漏极15之间的有源层12的上表面会形成从源极14到漏极15方向(即图1a中A2-A1)上的沟道，通常将沟道所在的区域称为沟道区20，其中，从源极14到漏极15之间的距离为沟道区的长度，垂直于沟道区长度方向的距离为沟道区的宽度。这种低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)是主动式有机电致发光(OLED)显示屏的重要组成部件，用于为OLED显示屏中的像素单元提供驱动电流。对于现有的OLED显示屏而言，为了提高OLED显示屏的分辨率，可以通过减小单个像素的发光面积以在固定尺寸的显示屏当中排列更多的像素单元来实现。然而随着单个像素面积的减小，单个像素中OLED发光所需的驱动电流就会变小，而图1a和图1b所示的LTPSTFT提供的电流值远远超出单个像素单元的需求。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，解决了现有低温多晶硅薄膜晶体管提供的驱动电流较大的问题。本技术实施例还提供了一种显示面板，实现了单个像素单元所需驱动电流较小的目的。本技术一实施例提供的一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括从下到上依次排布的绝缘层、有源层，以及位于有源层之上相对排布的源极和漏极，其特征在于，在源极和漏极之间的有源层上表面形成至少一个凹槽，所述凹槽的延伸方向与源极和漏极正相对方向交错或平行。本技术还提供了一种显示面板，包括阵列形式的上述低温多晶硅薄膜晶体管。本技术实施例提供的一种低温多晶硅薄膜晶体管及显示面板，通过在TFT有源层上表面形成至少一个，与源极和漏极正相对方向交错或平行的凹槽，增加了有源层上表面的长度，由于沟道区形成于有源层的上表面，这样，也就等同于增加了沟道区的长度。又因为沟道区的长宽比与驱动电流的大小成反比，所以在不改变沟道区宽度和占用面积的情况下，通过加长沟道区的长度，实现了降低该LTPSTFT提供的驱动电流的目的。附图说明图1a所示为现有技术中的低温多晶硅薄膜晶体管的俯视图。图1b所示为图1a中低温多晶硅薄膜晶体管沿A1-A2线的截面示意图。图2所示为本技术一实施例提供的低温多晶硅薄膜晶体管的局部结构示意图。图3所示为本技术另一实施例提供的低温多晶硅薄膜晶体管的局部结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图2所示为本技术一实施例提供的低温多晶硅薄膜晶体管的局部结构示意图。从图中可以看出，相比于图1a和图1b所示的现有技术中的LTPSTFT而言，根据本实施例的LTPSTFT的源极14和漏极15之间的有源层12的上表面包括至少一个梯形凹槽21，且梯形凹槽的下凹方向与源极14和漏极15相对方向垂直。根据本技术实施例的LTPSTFT，在有源区12的宽度以及占用面积不变的情况下，有源区12的长度增加了2*N个梯形凹槽的斜边长度，其中N为梯形凹槽的个数。这样，当该TFT接通电源在有源层12上表面形成沟道区时，就相当于增加了沟道区的长度。梯形凹槽的数目N最少为一个，其上限值由沟道区的长度，以及制作工艺精度共同决定，梯形凹槽的深度由有源区12的深度决定，其可以略小于有源区12的深度。由于沟道区的长宽比决定了LTPSTFT的驱动电流的大小，并且该比值与驱动电流的大小成反比，因此，在这种沟道区宽度不变，长度变大的情况下，驱动电流变小。图3所示为本技术另一实施例提供的低温多晶硅薄膜晶体管的局部结构示意图。相比于图2所示的低温多晶硅薄膜晶体管而言，根据本实施例的低温多晶硅薄膜晶体管，其梯形凹槽21形成在绝缘层11的上表面，这样后续在绝缘层11上沉积有源层12时，有源层12会复制绝缘层11的梯凹形槽21结构，也就是说，根据本实施例的低温多晶硅薄膜晶体管的梯形凹槽嵌入绝缘层11，梯形凹槽21的深度小于有源层12和绝缘层11的厚度之和。上述两个实施例中梯形凹槽21的下凹方向都是与源极14和漏极15相对方向垂直的，然而，本领域技术人员可以理解，只要梯形凹槽21的延伸方向与源极14和漏极15正相对方向平行或成一定角度交错，均可实现加长沟道区长度这一有益效果，所形成的TFT结构均在本技术保护范围之内。本技术的具体实施例是以
技术介绍
中给出的现有技术中的LTPSTFT为基础进行说明的，对于现有技术中的LTPSTFT的其他结构形式，只要在有源区12上表面包括至少一个梯形凹槽的结构都属于本专利技术的保护范围之内，并且都可以将其归为上述两个具体实施例，因此，这里不再赘述。此外，本技术实施例给出的凹槽的断面轮廓只是示例性的，除了梯形之外，也可以实施成平滑曲面或者矩形等其它不规则形状。本技术还提供了一种显示面板，包括阵列形式排布的上述低温多晶硅薄膜晶体管。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括从下到上依次排布的绝缘层、有源层，以及位于有源层两端相对布置的源极和漏极，其特征在于，在源极和漏极之间的有源层上表面形成至少一个凹槽，所述凹槽的延伸方向与源极和漏极正相对方向交错或平行。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括从下到上依次排布的绝缘层、有源层，以及位于有源层两端相对布置的源极和漏极，其特征在于，在源极和漏极之间的有源层上表面形成至少一个凹槽，所述凹槽的延伸方向与源极和漏极正相对方向交错或平行。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽的断面轮廓为梯形或平滑曲面或矩形。3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽深度小于有源层厚度。4.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁波，刘玉成，高胜，徐琳，敖伟，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32