低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板技术

本发明专利技术公开了一种低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板，所述制备方法包括：设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层；将所述多晶硅层图案化。能够有效降低低温多晶硅阵列基板制造的工艺，较少了制造设备的投入，进一步降低了制备成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别是涉及一种低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板。
技术介绍
伴低温多晶硅技术LTPS(LowTemperaturePoly-silicon)目前正迅速的发展，它的最大优势在于超薄、重量轻、低耗电，可以提供更艳丽的色彩和更清晰的影像。在LTPS阵列基板的制作过程中，在进行参杂时，一般是先形成多晶硅层，然后再进行通道参杂、N型参杂以及P型掺杂，不仅操作过程由于制程多而过于复杂，而且，每进行一次参杂都必须经过一次光罩，提高了整个制作工艺的成本。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板，能够有效降低低温多晶硅阵列基板制造的工艺，较少了制造设备的投入，进一步降低了制备成本。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层；将所述多晶硅层图案化。其中，所述采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层的步骤具体包括：通过化学气相沉积SiH4、Ar、H2组成的第一混合气体以及硼氢或磷氢参杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层。其中，所述采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢的步骤具体包括：通过化学气相沉积磷氢或硼氢构成的第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢。其中，所述对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层的步骤具体包括：对去氢后的所述非晶硅薄膜层使用准分子镭射退火的方式使所述掺杂离子扩散，以形成多晶硅层。其中，所述将所述多晶硅层图案化的步骤具体包括：在所述多晶硅层上沉积光阻，通过一道光罩采用同时具有掩膜和半掩膜的掩模板对所述光阻进行曝光以及显影处理；根据处理后的光阻形状对所述多晶硅层的掺磷层进行刻蚀，使所述掺磷层图案化；再次对所述光阻进行曝光以及显影处理，对位于所述掺磷层下方的掺硼层进行刻蚀，使所述掺硼层图案化。其中，所述设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层的步骤具体包括：设置所述第一基板，并在所述第一基板上形成遮光层；在所述遮光层上沉积SiNx层；在所述SiNx层上沉积SiOx层，其中，所述SiNx层以及所述SiOx层构成所述缓冲层。其中，所述将所述多晶硅层图案化的步骤之后还包括：在图案化后的多晶硅层上沉积栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极以及栅极绝缘层的表面沉积层间绝缘层，并在所述层间绝缘层上形成以一沟道分隔开的源极和漏极；在所述源极、所述漏极以及层间绝缘层的表面覆盖平坦层，并在所述平坦层的表面形成电极。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，基板以及依次形成在所述基板上的缓冲层以及多晶硅层；其中，所述多晶硅层是在采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层，采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢，以及退火处理使参杂离子扩散后形成的。为解决上述技术问题，本专利技术采用的再一个技术方案是：提供一种阵列基板显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其中，所述阵列基板包括：基板以及依次形成在所述基板上的缓冲层以及多晶硅层；其中，所述多晶硅层是采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层，采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢，以及退火处理使参杂离子扩散后形成的。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本实施方式在基板上形成缓冲层，采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层，并对该多晶硅层图案化。上述方式中，通过将第一混合气体与硼氢或磷氢参杂离子气体同时通入形成掺杂的非晶硅薄膜层的方式不仅能够简化通入气体的程序，节省时间，而且，能够减少光罩次数，而且，也节省了掺杂设备。且通过通入气体的方式进行掺杂，也能够使得参杂的更加均匀，改善低温多晶硅阵列基板的电性。附图说明图1是本专利技术低温多晶硅阵列基板的制备方法一实施方式的流程示意图；图2A是图1低温多晶硅阵列基板第一具体实施方式的机构示意图；图2B是图1低温多晶硅阵列基板第二具体实施方式的机构示意图；图2C是图1低温多晶硅阵列基板第三具体实施方式的机构示意图；图2D是图1低温多晶硅阵列基板第四具体实施方式的机构示意图；图2E是图1低温多晶硅阵列基板第五具体实施方式的机构示意图；图3是本专利技术阵列基板一实施方式的结构示意图；图4是本专利技术显示面板一实施方式的结构示意图。具体实施方式参阅图1，图1是本专利技术低温多晶硅阵列基板的制备方法一实施方式的流程示意图。同时参阅图2A～图2E对应的低温多晶硅阵列基板的结构示意图，本实施方式的制作方法包括以下步骤：101：设置一基板200，并在所述基板200上形成缓冲层202。其中，该基板200包括玻璃基板，在其他实施方式中还可以为其他基板如石英基板，在此不做限定。具体地，首先设置第一基板200，先在第一基板200上形成遮光层201，然后在该遮光层上沉积SiNx层2021，再在SiNx层2021上沉积SiOx层2022，其中，所述SiNx层2021以及所述SiOx层2022构成所述缓冲层202。其中，上述的遮光层201、SiNx层2021以及SiOx层2022均可通过化学气相沉积CVD或物理气相沉积PVD的方式来实现。102：采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层202上形成掺杂的非晶硅薄膜层。具体地，采用化学气相沉积SiH4、Ar、H2组成的第一混合气体以及硼氢或磷氢参杂离子气体的方式，在在缓冲层202上形成掺杂的非晶硅薄膜层。即在沉积第一混合气体形成非晶硅层的同时沉积硼氢或磷氢参杂离子气体，其中，每一种不同的气体均通过不同的通道进行通入后再进行混合，从而在该缓冲层202上形成掺杂了硼或磷离子的非晶硅薄膜。在具体的实施方式中，先通入硼氢参杂离子气体或先通入磷氢参杂离子气体的顺序不做限定，本实施方式中以先通入硼氢参杂离子气体再通入磷氢参杂离子气体为例来说明。在具体的实施方式中，通过化学气相沉积的方式形成掺杂的非晶硅薄膜层。在其他实施方式中，也可以通过物理气相沉积的方式形成掺杂的非晶硅薄膜层，在此不做限定。上述将第一混合气体与硼氢或磷氢参杂离子气体同时通入形成掺杂的非晶硅薄膜层的方式不仅能够简化通入气体的程序，节省时间，而且，能够减少光罩次数，而且，也节省了掺杂设备。且通过通入气体的方式进行掺杂，也能够使得参杂的更加均匀，改善低温多晶硅阵列基板的电性。103：采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢。具体地，在第一混合气体以及掺杂离子气体形成的非晶硅膜层上沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层；将所述多晶硅层图案化。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层；将所述多晶硅层图案化。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层的步骤具体包括：通过化学气相沉积SiH4、Ar、H2组成的第一混合气体以及硼氢或磷氢参杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢的步骤具体包括：通过化学气相沉积磷氢或硼氢构成的第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层的步骤具体包括：对去氢后的所述非晶硅薄膜层使用准分子镭射退火的方式使所述掺杂离子扩散，以形成多晶硅层。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述多晶硅层图案化的步骤具体包括：在所述多晶硅层上沉积光阻，通过一道光罩采用同时具有掩膜和半掩膜的掩模板对所述光阻进行曝光以及显影处理；根据处理后的光阻形状对所述多晶硅层的掺磷层进行刻蚀，使所述掺磷层图案化；再...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝晓丹，殷婉婷，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42