本发明专利技术公开一种阵列基板及其应用装置与组装方法。该阵列基板包括具有多个像素区的基材，其中这些像素区中的至少其一者，包括位于基材上的至少一薄膜晶体管元件、一第一电极以及与第一电极电性隔离的一第二电极。其中，第一电极和第二电极中的一者与薄膜晶体管元件电性接触，且第一电极和第二电极其中之一具有一磁力产生结构，可产生实值介于10高斯(gauss)至1000高斯的磁场。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板和应用此一基板的显示装置与及其组装方法，且特别是涉及一种阵列基板和应用此阵列基板的显示装置与及其组装方法。
技术介绍
随着消费性电子产品快速发展，下一代可携式显示器的规格要求着重于环保、轻、薄、低耗电、高分辨率与高效能等重点。薄膜晶体管液晶显示器(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT-LCD)具有效率高、寿命长、不易破损等优点，目前已经是成为市场主流。然而，薄膜晶体管液晶显示器是利用电场改变液晶的排列方向来驱动荧幕，同时由于液晶本身不发光，需要额外的背光模块提供光源，较不利于环保与薄型化的需求。主动矩阵有机发光二极管(Active-MatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)显示器具有高对比度、超广视角、低功率消耗、色彩鲜艳、显示亮度高等优点，而且因为自发光不需背光模块，因此尺寸超薄成本更低，也比较省电，是产业关注最多与最寄予厚望的新技术之一。然而，现有的主动矩阵有机发光二极管技术必须通过蒸镀法，将有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)材料制作于背板(backplane)上，制作工艺中仍有许多问题即待解决。加上，所使用的材料有老化速度快，且使用寿命与发光效率不均一的问题，不仅制作工艺良率不高，也容易产生色偏现象而影响显示品质。因此，仍有需要提供一种先进的阵列基板和应用此阵列基板的显示装置与及其组装方法，以改善现有技术所面临的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的一个实施例提供一种阵列基板，包括具有多个像素区的基材，这些像素区中的至少其一者，包括位于基材上的至少一个薄膜晶体管元件、一个第一电极以及一个与第一电极电性隔离的第二电极。其中，第一电极和第二电极其中之一者与薄膜晶体管元件电性接触，且第一电极和第二电极其中之一者具有一个磁力产生结构，可产生实值介于10高斯(gauss)至1000高斯的磁场。本专利技术的另一个实施例是有关于一种显示装置，包括一个基材以及至少一个发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)。基材具有多个像素区，且这些像素区中的至少其一者包括位于基材上的至少一个薄膜晶体管元件、一个第一电极以及一个与第一电极电性隔离的第二电极。其中，第一电极和第二电极中的一者与薄膜晶体管元件电连接。发光二极管具有与第一电极电连接的一个第三电极，以及一个与第二电极电连接的第四电极。第一电极和第三电极其中之一者，具有一个磁力产生结构；其中的另一者，具有一种可被磁力吸引的材料。本专利技术的又一个实施例是有关于一种显示装置的组装方法，包括下述步骤：首先，提供一个阵列基板，此阵列基板包括具有多个像素区的基材，这些像素区中的至少其一者，包括位于基材上的至少一个薄膜晶体管元件、一个第一电极以及一个与第一电极电性隔离的第二电极。其中，第一电极和第二电极中的一者与薄膜晶体管元件电性接触。接着，提供至少一个发光二极管，使发光二极管具有一个与第一电极电连接的第三电极，以及一个与第二电极电连接的第四电极；其中，第一电极和第三电极其中之一者，具有可产生实值介于10高斯至1000高斯的一个磁力产生结构；其中的另一者，具有一种被磁力吸引的材料。根据上述，本专利技术的实施例是提供一种阵列基板和应用此阵列基板的显示装置与及其组装方法。采用发光二极管结合阵列基板的设计概念，提供更环保、更高效率且薄型化的平面显示器，同时免去有机发光二极管显示器因制作工艺和材料使用寿命等因素所引发的良率不足与显示品质不佳的问题。另外，由于发光二极管与阵列基板之间通过二者的电极的磁力吸引来进行对位，不需额外的对准标记(alignmark)，可有效简化制作工艺步骤与降低制造成本。另外，在发光二极管与阵列基板的结合过程中，更可采用金属网罩对发光二极管进行预先对位，可进一步增进发光二极管与阵列基板之间对位的准确性。附图说明图1为本专利技术的一实施例所绘示的阵列基板的部分结构剖面示意图；图2为本专利技术的另一实施例所绘示的阵列基板的部分结构剖面示意图；图3为本专利技术的又一实施例所绘示的阵列基板的部分结构剖面示意图；图4为本专利技术的一实施例所绘示的显示装置的部分结构剖面示意图；图4A至图4C为分别根据本专利技术的不同实施例所绘示的发光二极管的部分结构俯视图；图5为本专利技术的另一实施例所绘示的显示装置的部分结构剖面示意图；图5A、图5B为图5所绘示的不同发光二极管的部分结构俯视图；图6为本专利技术的又一实施例所绘示的显示装置的部分结构剖面示意图；图6A为图6所绘示的发光二极管的部分结构俯视图；图7为本专利技术的又再一实施例所绘示的显示装置的部分结构剖面示意图；图8为本专利技术的一实施例所绘示的一种显示装置的组装方法流程图；图8A至图8F为图8所绘示的一系列制作工艺结构示意图。符号说明40：显示装置60：显示装置70：显示装置80：显示装置90：显示装置100：阵列基板101：基材101a：基材表面102：像素区103：薄膜晶体管元件103a：栅极电极103b：栅介电层103c：主动层103d：源极电极103e：漏极电极104：第一电极104a：第一电极的顶表面105：第二电极105a：第二电极的顶表面106：绝缘层107：第一开口107a：第一开口对应的侧壁107b：第一开口的底部108：第一开口108a：第一开口对应的侧壁109：磁力产生结构111：介电保护层200：阵列基板203：薄膜晶体管元件203a：栅极电极203b：栅介电层203c：主动层203d：源极电极203e：漏极电极203f：漏极电极延伸部210：绝缘层204：第一电极205：第二电极300：阵列基板304：第一电极309：磁力产生结构309a：第一线圈309b：第二线圈309c：插塞400：发光二极管400’：发光二极管400”：发光二极管401：基板402：第一型半导体层403：发光层404：第二型半导体层405：第三电极405’：第三电极405a：第三电极的顶表面406：第四电极406’：第四电极406a：第四电极的顶表面500：发光二极管500’：发光二极管501：基板502：第一型半导体层503：发光层504：第二电性半导体层504a：第二型半导体层的顶面504’：第二型半导体层505：第三电极506：第四电极507：堆叠结构508：导电粘着件509：绝缘层600：发光二极管602：第一型半导体层603：发光层604：第二型半导体层606：第四电极607：堆叠结构700：发光二极管702：第一型半导体层703：发光层704：第二型半导体层704a：第一型半导体层的顶面706：第四电极707：堆叠结构710：阵列基板714：第一电极715：第二电极801：发光二极管801a：第三电极801b：第四电极801c:底表面802：第一承载基板803：金属网罩803a：凹室804：磁力805：第二承载基板底806：真空吸引力807：阵列基板808：导电粘着层H：距离I：电流P：间距S81：提供多个发光二极管，使每一个发光二极管具有第三电极以及第四电极。其中，第四电极和第三电极其中至少一者，具有磁力产生结构或者具有可被磁力吸引的材料。并将这些发光二极管置于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括：基材，具有多个像素区，该些像素区中的至少其中之一者包括：至少一薄膜晶体管元件，位于该基材上；第一电极，位于该基材上；以及第二电极，位于该基材上，且与该第一电极电性隔离；其中，该第一电极和该第二电极中的一者与该薄膜晶体管元件电性接触，且该第一电极和该第二电极其中之一具有一磁力产生结构，可产生实值介于10高斯(gauss)至1000高斯的一磁场。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：基材，具有多个像素区，该些像素区中的至少其中之一者包括：至少一薄膜晶体管元件，位于该基材上；第一电极，位于该基材上；以及第二电极，位于该基材上，且与该第一电极电性隔离；其中，该第一电极和该第二电极中的一者与该薄膜晶体管元件电性接触，且该第一电极和该第二电极其中之一具有一磁力产生结构，可产生实值介于10高斯(gauss)至1000高斯的一磁场。2.如权利要求1所述的阵列基板，其中该磁力产生结构包括一磁性材料，且该磁性材料选自于由铁磁矿(Fe3O4)、铝镍钴合金、钕铁棚磁铁(Nd2Fe14B)、铂(Pt)、铁(Fe)、铌(Nb)、钐(Sm)、钴(Co)、氧化铁(Fe2O3)、氧化钡(BaO)、氧化锶(SrO)以及上述的任意组合所组成的一群组。3.如权利要求1所述的阵列基板，其中该磁力产生结构包括：第一线圈；以及第二线圈，与该第一线圈电连接，该第一线圈与该第二线圈于该基材上的正投影为部分重叠。4.如权利要求1所述的阵列基板，还包括绝缘层，位于该基材上，该绝缘层具有开口，以暴露至少部分该第一电极，且形成与该开口对应的一侧壁；其中该第二电极延伸覆盖部分该侧壁。5.一种显示装置，包括：基材，具有多个像素区，该些像素区中的至少其中之一者包括：至少一薄膜晶体管元件，位于该基材上；第一电极，位于该基材上；以及第二电极，位于该基材上，且与该第一电极电性隔离；其中该第一电极和该第二电极中的一者，与该薄膜晶体管元件电连接；以及发光二极管，具有第三电极与该第一电极电连接，以及第四电极与该第二电极电连接；该第一电极和该第三电极其中之一者具有磁力产生结构；其中的另一者具有一可被磁力吸引的材料。6.如权利要求5所述的显示装置，其中该磁力产生结构可产生实质介于10高斯至1000高斯的一磁场。7.如权利要求5所述的显示装置，其中该显示装置还包含：扫描线，与该薄膜晶体管元件的栅极电极电连接；数据线，与该薄膜晶体管元件的源极电极电连接；其中，该第二电极与该薄膜晶体管元件的漏极电极电连接，且该第一电极为该显示装置中的共用电极(commonelectrode)。8.如权利要求5所述的显示装置，其中该第四电极为不具磁性或不受磁场吸引的材料。9.如权利要求5所述的显示装置，还包含导电粘着件，存在于该第二电极与该第四电极之间和/或该第一电极与该第三电极之间。10.如权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭仁杰，蔡嘉豪，谢朝桦，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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