一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以省去现有技术的树脂层，节约成本，简化工艺流程。阵列基板的制作方法包括：通过构图工艺在衬底基板上制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上制作若干阵列排列的彩色光阻层，每一所述彩色光阻层与阵列基板的亚像素单元对应，相邻两所述彩色光阻层之间邻接且无间隙；对相邻两所述彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影，去除该预设区域内的彩色光阻层，在与所述漏极对应位置处暴露出部分漏极。

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method thereof, and a display device which is used for eliminating the resin layer of the prior art, saving the cost and simplifying the process flow. Including manufacturing method of array substrate by patterning process on a substrate to produce the source and drain; the source electrode and the drain electrode color photoresist layer made of an array of sub pixel units, corresponding to each of the color photoresist layer and the array substrate, between two adjacent the color light resistance layer adjacent to the two adjacent and gapless; the color photoresist layer at the interface of the preset color photoresist layer within the area of exposure and development, remove the color photoresist layer in the preset area, and the drain at the corresponding position of exposed part of the drain.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示面板(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)是目前常用的平板显示器，液晶显示面板以其体积小、功耗低、无辐射、分辨率高等优点，被广泛地应用于现代数字信息化设备中。如图1所示，现有技术的薄膜晶体管液晶显示面板中的低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon,LTPS)产品包括相对设置的阵列基板100和彩膜基板101，以及位于阵列基板100和彩膜基板101之间的液晶层111，其中，阵列基板100包括位于衬底基板102上的数据线103、位于数据线103上的树脂层107、位于树脂层107上的公共电极104、位于公共电极104上的绝缘层105、位于绝缘层105上的像素电极106；彩膜基板101包括位于衬底基板102上的彩色光阻层108，以及位于相邻的彩色光阻层108之间的黑矩阵109。综上所述，现有技术阵列基板中用树脂层充当平坦层，阻隔数据线金属层和公共电极之间的信号串扰，并在彩膜基板侧涂布彩色光阻层，这样制作不但增加显示面板厚度，而且浪费材料，造成工艺流程复杂。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以省去现有技术的树脂层，节约成本，简化工艺流程。本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法，包括：通过构图工艺在衬底基板上制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上制作若干阵列排列的彩色光阻层，每一所述彩色光阻层与阵列基板的亚像素单元对应，相邻两所述彩色光阻层之间邻接且无间隙；对相邻两所述彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影，去除该预设区域内的彩色光阻层，在与所述漏极对应位置处暴露出部分漏极。由本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，由于该方法在源极和漏极上制作有若干阵列排列的彩色光阻层，相邻两彩色光阻层之间邻接且无间隙，因此，通过本专利技术具体实施例制作形成的彩色光阻层能够起到平坦作用，并且能够阻隔源极和漏极金属层和后续制作的公共电极之间的信号串扰，因此，本专利技术具体实施例能够省去现有技术的树脂层，节约成本，简化工艺流程；另外，由于本专利技术具体实施例对相邻两彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影，去除该预设区域内的彩色光阻层，因此能够将不同颜色的光阻分隔开，能够避免彩色光阻层之间的混色发生，本专利技术具体实施例将彩色光阻层制作在阵列基板侧，能够减小显示面板的厚度。较佳地，所述彩色光阻层包括红色光阻层、绿色光阻层和蓝色光阻层。较佳地，所述在所述源极和所述漏极上制作若干阵列排列的彩色光阻层，包括：在所述源极和所述漏极上制作一层红色树脂层，对所述红色树脂层进行曝光和显影，形成与所述亚像素单元对应的红色光阻层；在完成上述步骤的衬底基板上制作一层绿色树脂层，对所述绿色树脂层进行曝光和显影，形成与所述亚像素单元对应的绿色光阻层，所述绿色光阻层与所述红色光阻层之间邻接且无间隙；在完成上述步骤的衬底基板上制作一层蓝色树脂层，对所述蓝色树脂层进行曝光和显影，形成与所述亚像素单元对应的蓝色光阻层，所述蓝色光阻层与所述绿色光阻层之间邻接且无间隙。较佳地，所述对相邻两所述彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影之后，还包括：对经过曝光和显影后的彩色光阻层在预设温度范围内进行烘烤。较佳地，所述通过构图工艺在衬底基板上制作源极和漏极之前，具体包括：在衬底基板上通过构图工艺制作遮光层；在所述遮光层上制作缓冲层，在所述缓冲层上通过构图工艺制作半导体有源层；在所述半导体有源层上制作第一绝缘层；在所述第一绝缘层上通过构图工艺制作栅极，在所述栅极上通过构图工艺制作第二绝缘层；或，在衬底基板上通过构图工艺制作栅极；在所述栅极上制作第一绝缘层，在所述第一绝缘层上通过构图工艺制作半导体有源层；在所述半导体有源层上通过构图工艺制作第二绝缘层。较佳地，所述对相邻两所述彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影之后，具体包括：在所述彩色光阻层上通过构图工艺制作公共电极，在所述公共电极上通过构图工艺制作钝化层；在所述钝化层上通过构图工艺制作像素电极，所述像素电极与暴露出来的所述漏极电连接；或，在所述彩色光阻层上通过构图工艺制作像素电极，所述像素电极与暴露出来的所述漏极电连接；在所述像素电极上通过构图工艺制作钝化层，在所述钝化层上通过构图工艺制作公共电极。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括位于衬底基板上的源极和漏极，位于所述源极和所述漏极上的若干阵列排列的彩色光阻层，每一所述彩色光阻层与阵列基板的亚像素单元对应；相邻两所述彩色光阻层之间的预设区域内存在贯穿所述彩色光阻层的间隙，与所述漏极位置对应的间隙位置处暴露出部分所述漏极。较佳地，所述阵列基板具体包括：依次位于所述衬底基板上的遮光层、缓冲层、半导体有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极、彩色光阻层、公共电极、钝化层和像素电极；或，依次位于所述衬底基板上的遮光层、缓冲层、半导体有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极、彩色光阻层、像素电极、钝化层和公共电极。较佳地，所述阵列基板具体包括：依次位于所述衬底基板上的栅极、第一绝缘层、半导体有源层、第二绝缘层、源极和漏极、彩色光阻层、公共电极、钝化层和像素电极；或，依次位于所述衬底基板上的栅极、第一绝缘层、半导体有源层、第二绝缘层、源极和漏极、彩色光阻层、像素电极、钝化层和公共电极。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。附图说明图1为现有技术的显示面板结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；图3-图9为本专利技术实施例一提供的一种阵列基板的制作过程的不同阶段的结构图；图10为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图；图11为本专利技术实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以省去现有技术的树脂层，节约成本，简化工艺流程。为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图2所示，本专利技术具体实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：S201、通过构图工艺在衬底基板上制作源极和漏极；S202、在所述源极和所述漏极上制作若干阵列排列的彩色光阻层，每一所述彩色光阻层与阵列基板的亚像素单元对应，相邻两所述彩色光阻层之间邻接且无间隙；S203、对相邻两所述彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影，去除该预设区域内的彩色光阻层，在与所述漏极对应位置处暴露出部分漏极。具体地，本专利技术具体实施例的彩色光阻层包括红色光阻层、绿色光阻层和蓝色光阻层，当然，在实际生产过程中，彩色光阻层还可以包括其它颜色的光阻层，如：还可以包括黄色光阻层。本专利技术以下的具体实施例仅以彩色光阻层包括红色光阻层、绿色光阻层和蓝色光阻层为例介绍。由本专利技术具体实施例提供的阵列基板的制作方法，由于该方法在源极和漏极上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：通过构图工艺在衬底基板上制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上制作若干阵列排列的彩色光阻层，每一所述彩色光阻层与阵列基板的亚像素单元对应，相邻两所述彩色光阻层之间邻接且无间隙；对相邻两所述彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影，去除该预设区域内的彩色光阻层，在与所述漏极对应位置处暴露出部分漏极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：通过构图工艺在衬底基板上制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上制作若干阵列排列的彩色光阻层，每一所述彩色光阻层与阵列基板的亚像素单元对应，相邻两所述彩色光阻层之间邻接且无间隙；对相邻两所述彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影，去除该预设区域内的彩色光阻层，在与所述漏极对应位置处暴露出部分漏极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻层包括红色光阻层、绿色光阻层和蓝色光阻层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述源极和所述漏极上制作若干阵列排列的彩色光阻层，包括：在所述源极和所述漏极上制作一层红色树脂层，对所述红色树脂层进行曝光和显影，形成与所述亚像素单元对应的红色光阻层；在完成上述步骤的衬底基板上制作一层绿色树脂层，对所述绿色树脂层进行曝光和显影，形成与所述亚像素单元对应的绿色光阻层，所述绿色光阻层与所述红色光阻层之间邻接且无间隙；在完成上述步骤的衬底基板上制作一层蓝色树脂层，对所述蓝色树脂层进行曝光和显影，形成与所述亚像素单元对应的蓝色光阻层，所述蓝色光阻层与所述绿色光阻层之间邻接且无间隙。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对相邻两所述彩色光阻层交界面处预设区域内的彩色光阻层进行曝光和显影之后，还包括：对经过曝光和显影后的彩色光阻层在预设温度范围内进行烘烤。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺在衬底基板上制作源极和漏极之前，具体包括：在衬底基板上通过构图工艺制作遮光层；在所述遮光层上制作缓冲层，在所述缓冲层上通过构图工艺制作半导体有源层；在所述半导体有源层上制作第一绝缘层；在所述第一绝缘层上通过构图工艺制作栅极，在所述栅极上通过构图工艺制作第二绝缘层；或，在衬底基板上通过构图工艺制作栅极；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志轩，王凤国，武新国，刘弘，王子峰，李元博，李峰，马波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11