低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板、制作方法以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括，在沟道层上沉积形成栅极绝缘层，其中栅极绝缘层包括形成于所述沟道层表面的氧化硅层及层叠于所述氧化硅层上的氮化硅层；其中所述氮化硅层的厚度大于所述氧化硅层的厚度；以所述氮化硅层中的氢作为氢源对形成有栅极绝缘层的沟道层进行氢化；在氮化硅层背向所述氧化硅层的表面上形成凹槽，其中，所述凹槽正投影于所述沟道层中的多晶硅区域；形成位于所述凹槽内的栅极。本发明专利技术还提供一种阵列基板及显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法以及显示装置。
技术介绍
LTPS(Low Temperature Poly-silicon)阵列基板中，半导体多晶硅(Poly-Si)层与栅极绝缘层GI(SiOx/SiNx)，尤其是与GI层中的氧化物SiOx之间的界面(也就是半导体多晶硅的沟道层与栅极绝缘层连接的表面)对LTPS器件特性影响较大，若界面缺陷多，界面就会存在大量悬空键，悬空键会将电子束缚住会导致所需功耗也会增大。一般的可以通过氢化的方法来减少悬空键数量，业界一般在ILD沉积之后做氢化的动作，但由于氢化过程中氢元素的扩散受到栅极的遮挡，会使氢化不完全，影响对悬空键的消除。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法，可以有效减小半导体多晶硅界面的悬空键。本专利技术的另一目的在于提供低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及显示装置。为了实现上述目的，本专利技术实施方式提供如下技术方案：所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括，在沟道层上沉积形成栅极绝缘层，其中栅极绝缘层包括形成于所述沟道层表面的氧化硅层及层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括，在沟道层上沉积形成栅极绝缘层，其中栅极绝缘层包括形成于所述沟道层表面的氧化硅层及层叠于所述氧化硅层上的氮化硅层；其中所述氮化硅层的厚度大于所述氧化硅层的厚度；以所述氮化硅层中的氢作为氢源对形成有栅极绝缘层的沟道层进行氢化；在氮化硅层背向所述氧化硅层的表面上形成凹槽，其中，所述凹槽正投影于所述沟道层中的多晶硅区域；形成位于所述凹槽内的栅极。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括，在沟道层上沉积形成栅极绝缘层，其中栅极绝缘层包括形成于所述沟道层表面的氧化硅层及层叠于所述氧化硅层上的氮化硅层；其中所述氮化硅层的厚度大于所述氧化硅层的厚度；以所述氮化硅层中的氢作为氢源对形成有栅极绝缘层的沟道层进行氢化；在氮化硅层背向所述氧化硅层的表面上形成凹槽，其中，所述凹槽正投影于所述沟道层中的多晶硅区域；形成位于所述凹槽内的栅极。2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，所述栅极的表面与所述氮化硅层背向所述氧化硅层的表面平齐。3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为2500A-3000A。4.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，所述方法还包括在所述氧化硅层的表面及栅极上形成绝缘层的步骤。5.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，所述栅极的表面位于所述凹槽内并低于所述氮化硅层背向所述氧化硅层的表面。6.如权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐丽娟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42