具有复合间隔件的存储器件及其制造方法技术

存储器件包括第一电极、第二电极、存储元件、间隔件和阻挡结构。第二电极与第一电极相对。存储元件设置在第一电极和第二电极之间。间隔件形成在第二电极的侧壁上，并且间隔件具有设置在间隔件的顶面上的凹口。阻挡结构嵌入在间隔件的侧部中，并且阻挡结构具有越过凹口的底向上延伸的顶。此外，还公开了制造存储器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及具有复合间隔件的存储器件及其制造方法。
技术介绍
半导体产品用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。例如，诸如随机存取存储器(RAM)的存储器器件需要用于许多电子器件中。半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速发展。IC制造中的技术进步已经产生了数代IC，并且每代制造比前一代更小和更复杂的电路。已经发展若干先进技术以实现具有更小部件尺寸的技术节点，并且，例如这些技术用于制造存储器件中。但是，在部件尺寸小于特定的尺寸时，一些工艺在各个方面还不能完全地满足。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种形成存储器件的方法，包括：形成包括半导体衬底上方的存储元件的堆叠部件；形成覆盖堆叠部件和半导体衬底的间隔件薄膜；形成覆盖间隔件薄膜的阻挡层；通过蚀刻剂蚀刻阻挡层和间隔件薄膜以形成设置在堆叠部件的侧壁上的间隔件和嵌入在间隔件的侧部中的阻挡结构，其中，阻挡层具有对蚀刻剂的抗蚀刻性，阻挡层的对蚀刻剂的抗蚀刻性大于间隔件薄膜的对蚀刻剂的抗蚀刻性；形成覆盖堆叠部件、间隔件和阻挡结构的介电层。根据本专利技术的一个实施例，形成包括半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成存储器件的方法，包括：形成包括半导体衬底上方的存储元件的堆叠部件；形成覆盖所述堆叠部件和所述半导体衬底的间隔件薄膜；形成覆盖所述间隔件薄膜的阻挡层；通过蚀刻剂蚀刻所述阻挡层和所述间隔件薄膜以形成设置在所述堆叠部件的侧壁上的间隔件和嵌入在所述间隔件的侧部中的阻挡结构，其中，所述阻挡层具有对蚀刻剂的抗蚀刻性，所述阻挡层的对蚀刻剂的抗蚀刻性大于所述间隔件薄膜的对蚀刻剂的抗蚀刻性；形成覆盖所述堆叠部件、所述间隔件和所述阻挡结构的介电层。

【技术特征摘要】
2015.06.15 US 14/740,1011.一种形成存储器件的方法，包括：形成包括半导体衬底上方的存储元件的堆叠部件；形成覆盖所述堆叠部件和所述半导体衬底的间隔件薄膜；形成覆盖所述间隔件薄膜的阻挡层；通过蚀刻剂蚀刻所述阻挡层和所述间隔件薄膜以形成设置在所述堆叠部件的侧壁上的间隔件和嵌入在所述间隔件的侧部中的阻挡结构，其中，所述阻挡层具有对蚀刻剂的抗蚀刻性，所述阻挡层的对蚀刻剂的抗蚀刻性大于所述间隔件薄膜的对蚀刻剂的抗蚀刻性；形成覆盖所述堆叠部件、所述间隔件和所述阻挡结构的介电层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成包括所述半导体衬底上方的所述存储元件的所述堆叠部件的操作包括：在所述半导体衬底上方形成第一导电通孔插塞；形成与所述第一导电通孔插塞接触的第一电极层；以及在所述第一电极层上形成所述堆叠部件，其中，所述堆叠部件包括所述存储元件和堆叠在所述存储元件上的第二电极。3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一电极层的操作包括：在所述半导体衬底上方形成第一介电层，所述第一介电层具有暴露出所述第一导电通孔插塞的孔；以及形成覆盖所述第一介电层和填充所述孔的所述第一电极层。4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成位于所述第一电极层上的所述堆叠部件的操作包括：形成叠加在所述第一电极层之上的存储材料层；形成叠加在所述存储材料层之上的第二电极层；在所述第二电极层上形成图案化的掩模层；以及图案化所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋福庭，徐晨祐，刘世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71