具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路制造技术

本发明专利技术提出一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路，包括一驱动电流单元及一重置补偿及发光控制电路。该驱动电流单元包含一第一晶体管及一第二晶体管，其中，该第一晶体管及该第二晶体管为低温多晶硅晶体管。该重置补偿及发光控制电路耦合至该驱动电流单元，该重置补偿及发光控制电路包含一第三晶体管。该第三晶体管连接至该第一晶体管的一控制端，其中，该第三晶体管为一氧化物半导体晶体管。

【技术实现步骤摘要】
具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路
本专利技术关于液晶显示设备的
，尤指一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路。
技术介绍
主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)像素的驱动晶体管依背板工艺技术可区分为P-type及N-type驱动型式。图1为现有2T1C(twotransistorsonecapacitor)的P-type驱动晶体管的像素电路，其是搭配一般(Normal)OLED组件。P-type驱动晶体管大都应用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon、LTPS)背板技术。P-type驱动晶体管PTFT_dri的栅源极电压(Vgs)所对应的电压为数据电位及高电位ELVDD的电压，其中高电位ELVDD为一固定相对高电位。对于现有P-type驱动晶体管PTFT_dri而言，其会有驱动晶体管的临界电压偏移(thresholdvoltagedeviation)的现象。也即，LTPS的P-type驱动晶体管的临界电压(thresholdvoltage，Vt)因多晶结晶工艺，容易造成区域性的Vt变异。也即对两个尺寸相同的P-type驱动晶体管而言，当输入同等驱动电压时，却无法输出相同的电流，而造成亮度不均匀(mura)或均匀性不佳的问题。因此需对P-type驱动晶体管的临界电压(Vt)进行电压补偿。由于进行电压补偿时，会使用多颗晶体管，导致电流消耗增加。而于高分辨率应用时(例如：FHD_1080RGB*1920、QHD_1440RGB*2560)，可能因驱动电路过多，而导致电流消耗过大，进而影响手持式装置的使用时间。因此，现有的像素驱动电路仍有可以改善的空间。
技术实现思路
本专利技术的目的主要是在提供一具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路，其于一驱动电流单元上的晶体管使用低温多晶硅晶体管。低温多晶硅晶体管于导通时可提供较大的电流，具有较大的驱动能力，以驱动一有机发光二极管。同时于一重置补偿及发光控制电路中，部分晶体管改用氧化物半导体晶体管，以提供较低的漏电流，如此可消除驱动电流单元上的驱动晶体管的控制端的电压变动，进而使该驱动晶体管可提供稳定的驱动电流至一有机发光二极管，而可改善现有技术亮度不均匀或均匀性不佳的问题。同时本专利技术提出两个驱动电路的部分晶体管共享的架构，如此可大量减少晶体管的数目。为达成前述的目的，本专利技术提出一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路，包括一驱动电流单元、及一重置补偿及发光控制电路。该驱动电流单元包含一第一晶体管及一第二晶体管，其中，该第一晶体管及该第二晶体管为低温多晶硅晶体管。该重置补偿及发光控制电路，耦合至该驱动电流单元，该重置补偿及发光控制电路包含一第三晶体管，该第三晶体管连接至该第一晶体管的一控制端，其中，该第三晶体管为一氧化物半导体晶体管。附图说明图1为现有2T1C的P-type驱动晶体管的像素电路的示意图；图2是本专利技术的一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路的方块图；图3是本专利技术的一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路的一实施例的电路图；图4是本专利技术的图3的运作示意图；图5是本专利技术的一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路的另一实施例的电路图；图6是本专利技术的图5的运作示意图；图7是本专利技术的一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路的再一实施例的电路图；图8是本专利技术的图7的运作示意图；图9是低温多晶硅晶体管、氧化物半导体晶体管、及非晶硅晶体管于导通及关闭时的电流的示意图；图10是对本专利技术图3、图5、图7中电路仿真结果的示意图；图11是本专利技术的一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路的又一实施例的电路图；图12是本专利技术的图11的运作示意图；图13是本专利技术的图5中的具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路的两个实施例的电路图；图14是本专利技术图13部分晶体管的剖面示意图；图15是本专利技术的图7中的具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路的两个实施例的电路图；图16至图20是本专利技术的图5中的具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路的应用的示意图。【符号说明】驱动晶体管PTFT_dri具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路200驱动电流单元210重置补偿及发光控制电路220第一晶体管(T1)第二晶体管(T2)第三晶体管(T3)控制端(g)第一电容(Cst)第四晶体管(T4)第五晶体管(T5)第六晶体管(T6)高电位(PLVDD)第一端(a)第二端(b)重置信号(RST)参考信号(REF)第一控制信号(SN)有机发光二极管(D1)第二控制信号(EM1)数据线(Data)高电位(PLVDD)低电位(PLVSS)控制低电位(VSS)控制高电位(VDD)第一控制信号(EM)第二控制信号(SN)第一参考信号(REFN)第三控制信号(SN2)第二参考信号(REFS)重置信号(RST)电容(Cst)第一控制信号(EM)第二控制信号(SCAN1)重置信号(RST)第三控制信号(Dis)第一参考信号(REF)第四控制信号(SCAN2)第一电容(Cst)第二电容(C2)第七晶体管(T7)第一控制信号(G4)第二控制信号(G1)第三控制信号(G3)第四控制信号(G2)第五控制信号(G5)第二电容(C1)重置周期(P1)补偿周期(P2)第一时段(P21)第二时段(P22)发光周期(P3)第一时段(P31)第二时段(P32)具体实施方式图2是本专利技术的一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路200的方块图，如图2所示，该驱动电路200包括有一驱动电流单元210、及一重置补偿及发光控制电路220，其用以驱动一有机发光二极管(D1)。该驱动电流单元210至少包含一第一晶体管(T1)及一第二晶体管(T2)，其中，该第一晶体管(T1)及该第二晶体管(T2)为低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon、LTPS)晶体管。该重置补偿及发光控制电路220耦合至该驱动电流单元210，该重置补偿及发光控制电路220至少包含一第三晶体管(T3)。该第三晶体管(T3)连接至该第一晶体管(T1)的一控制端(g)，其中，该第三晶体管(T3)为一氧化物半导体晶体管。该氧化物半导体晶体管可为一氧化铟镓锌(IndiumGalliumZincOxide、IGZO)晶体管。图3是依据本专利技术一实施例的具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路200的电路图，其中，该重置补偿及发光控制电路220包含一第一电容(Cst)、该第三晶体管(T3)、一第四晶体管(T4)及一第五晶体管(T5)。该驱动电流单元210包含该第一晶体管(T1)、该第二晶体管(T2)及一第六晶体管(T6)。该第一电容(Cst)一端连接至一高电位(PLVDD)，其另一端连接至该第一晶体管(T1)的该控制端(g)、该第三晶体管(T3)的一第一端(a)及该第四晶体管(T4)的一第一端(a)。该第四晶体管(T4)的一控制端(g)连接至一重置信号(RST)，该第四晶体管(T4)的一第二端(b)连接至一参考信号(REF)。在本专利技术中，第一端(a)和第二端(b)可以是晶体管的漏极(D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路，其特征在于，包含：一驱动电流单元，包含一第一晶体管及一第二晶体管，其中，该第一晶体管及该第二晶体管为低温多晶硅晶体管；及一重置补偿及发光控制电路，耦合至该驱动电流单元，该重置补偿及发光控制电路包含一第三晶体管，该第三晶体管连接至该第一晶体管的一控制端，其中，该第三晶体管为一氧化物半导体晶体管。

【技术特征摘要】
2015.12.03 US 62/262,4301.一种具有混合晶体管的主动矩阵有机发光二极管的驱动电路，其特征在于，包含：一驱动电流单元，包含一第一晶体管及一第二晶体管，其中，该第一晶体管及该第二晶体管为低温多晶硅晶体管；及一重置补偿及发光控制电路，耦合至该驱动电流单元，该重置补偿及发光控制电路包含一第三晶体管，该第三晶体管连接至该第一晶体管的一控制端，其中，该第三晶体管为一氧化物半导体晶体管。2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，其中，该重置补偿及发光控制电路还包含一第一电容、一第四晶体管及一第五晶体管，该驱动电流单元还包含一第六晶体管，该第一电容一端连接至一高电位，其另一端连接至该第一晶体管的该控制端、该第三晶体管的一第一端及该第四晶体管的一第一端，该第四晶体管的一控制端连接至一重置信号，该第四晶体管的一第二端连接至一参考信号，该第三晶体管的一第二端连接该第一晶体管的一第二端及该第二晶体管的一第一端，该第三晶体管的一控制端连接至一第一控制信号，该第二晶体管的一第二端连接至一有机发光二极管，该第二晶体管的一控制端连接至一第二控制信号，该第五晶体管的一第一端连接至一数据线，该第五晶体管的一第二端连接至该第一晶体管的一第一端及该第六晶体管的一第二端，该第六晶体管的一第一端连接至该高电位，该第六晶体管的一控制端连接至该第二控制信号，其中，该第四晶体管为一氧化物半导体晶体管，该第二晶体管及该第六晶体管为一低温多晶硅晶体管。3.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，其中，该重置补偿及发光控制电路还包含一第一电容、一第四晶体管、一第五晶体管、及一第六晶体管，该第一晶体管的一第一端连接至一高电位，其一第二端连接至该第二晶体管的一第一端及该第三晶体管的一第一端，该第二晶体管的一第二端连接至一有机发光二极管及该第四晶体管的一第二端，其一控制端连接至一第一控制信号，该第三晶体管的一第二端连接至该第一晶体管的一控制端及该电容的一端，其一控制端连接至一第二控制信号，该电容的另一端连接至该第五晶体管的一第二端及该第六晶体管的一第一端，该第五晶体管的一第一端连接至一数据线，其一控制端连接至该第二控制信号，该第六晶体管的一第二端连接至一第一参考信号，其一控制端连接至一第三控制信号，该第四晶体管的一第一端连接至一第二参考信号，其一控制端连接至一重置信号，该第二晶体管为一低温多晶硅晶体管。4.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，其中，该重置补偿及发光控制电路还包含一电容、一第四晶体管、一第五晶体管、及一第六晶体管，该第一晶体管的一第一端连接至一高电位，其一第二端连接至该第二晶体管的一第一端及该第三晶体管的一第一端，该第二晶体管的一第二端连接至一有机发光二极管，其一控制端连接至一第一控制信号，该第三晶体管的一第二端连接至该第一晶体管的一控制端、该电容的一端及该第四晶体管的一第二端，其一控制端连接至一第二控制信号，该第四晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈联祥，郭拱辰，曾名骏，周政旭，李冠锋，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71