发光二极管调光电路制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管调光电路，以一般市场销售的双向可控硅开关调光单元(TRIAC Dimmer)，用以调变照明用的发光二极管单元。该发光二极管调光电路利用一储能整流单元的储能功能以补偿该双向可控硅开关调光单元的双向可控硅开关(TRIAC)导通相位角所造成的交流电压相位缺口，让一发光二极管不论在微光亮、全光亮或其他的光调变过程中，该发光二极管的输出能够稳定不闪烁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于照明的
，特别是一种在微光亮、全光亮或其他的光调变过程中，能够让发光二极管的输出能够稳定不闪烁的发光二极管调光电路。
技术介绍
传统的发光二极管调光电路可以接受市售的双向可控硅开关调光单元，是借由泄流电路(Bleeder Current Circuit)维持双向可控硅开关(TRIAC)正常功能的基础技术。借由将该双向可控硅开关的输出交流电压加以撷取译码，转换为调光讯号，进而变更晶体的切换频率，以固定发光二极管单元的直流电压。再者，借由调变流经发光二极管单元的电流，进而调变发光二极管单元的光输出，以达到发光二极管单元的调光效果。其中，该双向可控硅开关的调光驱动集成电路可采用如德州仪器(TI)的LM3445及意法半导体(ST)的Steval-ILL044V1的芯片。然而， 利用该等调光驱动集成电路所制成的产品，存在以下的缺点：1. 市售各种厂牌的双向可控硅开关调光单元的质量与特性并非一致，故在同一产品中，可能因搭配不同厂牌或不同类型的双向可控硅开关调光单元，使得在调相过程中，其译码双向可控硅开关的交流电压的译码器会发生译码错误，导致调变范围不同，让发光二极管单元的光输出无法达到稳定不闪烁调光效果。2. 泄流电路主要由主动元件及被动元件所组成，其主动元件的选择及被动元件的误差值均使泄流电路的电流常有变动，因而该发光二极管单元的光输出无法达到稳定不闪烁的调光效果。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种发光二极管调光电路，可适用于市售各种厂牌的双向可控硅开关调光单元，借由将现有的可调光型的电灯的电路更换为本专利技术的发光二极管调光电路，可达到节省施工时间及成本的功效。为达到上述目的，本专利技术提供一发光二极管调光电路，包含双向可控硅开关调光单元，其具有双向可控硅开关及其他被动组件；整流滤波单元，其具有全桥式整流器与第一滤波电容器，该整流滤波单元电性连接该双向可控硅开关调光单元的输出电压端；储能整流单元，其具有第一电感器与第一二极管，该储能整流单元电性连接该整流滤波单元的输出端；降压型转换模块，其具有半桥式降压积体单元，该降压型转换模块的高压侧的电源端电性连接该储能整流单元的输出端；发光二极管单元，其具有复数发光二极管，该发光二极管单元的输入端电性连接该半桥式降压积体单元的第二电感器的输出端；以及与降压滤波单元，其具有第八电阻器、第九电阻器、第五二极管、第一稳压二极管与第二电容器，该降压滤波单元的输入端电性连接该半桥式降压积体单元的第二电感器的输出端，该降压滤波单元的输出端电性连接该半桥式降压积体单元的电源供应端。该双向可控硅开关调光单元，可以采用现成的市面上各种品牌特性不同的双向可控硅开关调光单元，而达到本专利技术具有广大的共容性，即本专利技术可以采用一般市售的双向可控硅开关调光单元的特征。该整流滤波单元由全桥式整流器及滤波电容器所组成，可整流及滤波可控硅开关调光装置输出的电压。该储能整流单元由电感元件与第一二极管所构成。其中，该电感元件及该二极管元件两者串联连接。该降压型转换模块为指降压开关型变换电路而言。该发光二极管单元供调变照明。该发光二极管调光电路利用一储能整流单元的储能补足双向可控硅开关调光单元的导通相位角所造成的交流电压相位缺口，让一发光二极管不论在微光亮、全光亮或其他的光调变过程中，该发光二极管的输出能够稳定不闪烁。该降压滤波单元降低该储能整流单元的直流电压，并滤除涟波噪声，以提供半桥式降压积体单元的电源供应端所需的直流电源。本专利技术发光二极管调光电路，可借由一储能整流单元，让一发光二极管单元的光输出能够达到稳定而不闪烁的调光效果。本专利技术可利用一降压滤波单元，滤除涟波噪声，以提供半桥式降压积体单元的电源供应端所需的电源。附图说明图1为本专利技术的第一实施例的发光二极管调光电路的方块图。图2为本专利技术的第二实施例的发光二极管调光电路的实施例。图3A至图3G为本专利技术发光二极管调光电路的全功率输出的波形图。图4A至图4G为本专利技术发光二极管调光电路的半功率输出的波形图。图5A至图5G为本专利技术发光二极管调光电路的微功率输出的波形图。附图标记说明AC1, AC2 电源输入端100 双向可控硅开关调光单元200 整流滤波单元BD101 全桥式整流器C101 第一电容器300 储能整流单元L101 第一电感器D101 第一二极管400 降压型转换模块IC101 半桥式降压积体单元D102 第二二极管D103 第三二极管D104 第四二极管R104 第四电阻器R105 第五电阻器R106 第六电阻器R107 第七电阻器C103 第三电容器C104 第四电容器C105 第五电容器M101 第一金属氧化半导体场效晶体管M102 第二金属氧化半导体场效晶体管L102 第二电感器500 发光二极管单元C106 第六电容器600 降压滤波单元 R103 第三电阻器R108 第八电阻器 R109 第九电阻器D105 第五二极管ZD101 第一稳压二极管。具体实施方式参考图1，其为本专利技术的第一实施例的发光二极管调光电路的方块图。在图1中，该发光二极管调光电路包括有双向可控硅开关调光单元100、整流滤波单元200、储能整流单元300、降压型转换模块400、发光二极管单元500及降压滤波单元600。该双向可控硅开关调光单元100的电压输出至该整流滤波单元200。该整流滤波单元200的电压输出至该降压型转换模块400及储能整流单元300。该储能整流单元300的电压输出于该降压型转换模块400，该降压型转换模块400的电压输出至该发光二极管单元500及降压滤波单元600。该降压滤波单元600的电压输出至该降压型转换模块400的半桥式降压积体单元IC101的电源供应端。一并参考图2，其为本专利技术的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管调光电路，其特征在于，其包括:双向可控硅开关调光单元，其具有双向可控硅开关；整流滤波单元，其具有全桥式整流器与第一滤波电容器，该整流滤波单元电性连接该双向可控硅开关调光单元的输出电压端；储能整流单元，其具有第一电感器与第一二极管，该储能整流单元电性连接该整流滤波单元的输出端；降压型转换模块，其具有半桥式降压积体单元，该降压型转换模块的高压侧的电源端电性连接该储能整流单元的输出端；发光二极管单元，其具有复数发光二极管，该发光二极管单元的输入端电性连接该半桥式降压积体单元的第二电感器的输出端；以及降压滤波单元，其具有第八电阻器、第九电阻器、第五二极管、第一稳压二极管与第二电容器，该降压滤波单元的输入端电性连接该半桥式降压积体单元的第二电感器的输出端，该降压滤波单元的输出端电性连接该半桥式降压积体单元的电源供应端。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管调光电路，其特征在于，其包括:双向可控硅开关调光单元，其具有双向可控硅开关；整流滤波单元，其具有全桥式整流器与第一滤波电容器，该整流滤波单元电性连接该双向可控硅开关调光单元的输出电压端；储能整流单元，其具有第一电感器与第一二极管，该储能整流单元电性连接该整流滤波单元的输出端；降压型转换模块，其具有半桥式降压积体单元，该降压型转换模块的高压侧的电源端电性连接该储能整流单元的输出端；发光二极管单元，其具有复数发光二极管，该发光二极管单元的输入端电性连接该半桥式降压积体单元的第二电感器的输出端；以及降压滤波单元，其具有第八电阻器、第九电阻器、第五二极管、第一稳压二极管与第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢昭正，
申请(专利权)人：峒鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71