一种TFT基板的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种TFT基板的制备方法。方法包括在基板上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积第一非晶硅层，准分子激光退火处理转变为第一多晶硅层；图案化得到第一有源层；沉积栅极绝缘层，在栅极绝缘层上沉积M1层和层间绝缘层，沉积第二非晶硅层，形成第二有源层，形成过孔；沉积M2层，并对源漏电极层进行图案化，同时在第二有源层表面形成沟道；沉浸钝化层，并对钝化层图案化，在钝化层上沉积平坦层，在所述平坦层上位于所述显示TFT区域形成第四过孔，在平坦层上沉积阳极电极和像素定义层，并进行图形定义，即完成TFT基板的制备。本发明专利技术将TFT基板中驱动TFT区域和显示TFT区域的主动层用不同的技术制造，以满足不同TFT的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制备方法。
技术介绍
低温多晶硅(LTPS)技术是新一代TFT基板的制造技术，与传统非晶硅(a-Si)技术的最大差异在于，低温多晶硅显示器反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。多晶硅(Poly-Si)具有优异的电学性能，对于主动式矩阵有机发光二极管具有较好的驱动能力。因此，基于低温多晶硅季度的AMOLED显示背板目前被广泛使用。基于单纯的LTPS技术或者oxide技术的AMOLED显示背板是目前广为应用的背板制作方法，两者均有较好的电学性能可以有很好的AMOLED驱动能力。另外新的SPC结晶方式有较好的均一性和低的漏电，以及较好的稳定性，也成为AMOLED的背板制作较好的方式。LTPS目前由ELA(excimerlaserannealing)技术结晶，利用激光的瞬间脉冲照射到非晶硅表面，使其溶化并重新结晶。但是ELA结晶技术对于晶格的均一性和晶格结晶方向不能做到有效控制，所以结晶状况在整个基板的分布上很不均匀，造成显示效果画面的长程不均一，有mura出现，且漏电较高。
技术实现思路
针对上述现有技术中的问题，本申请一种T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：步骤101：提供基板，所述基板包括驱动TFT区域和显示TFT区域，在所述基板上沉积缓冲层；步骤102：在所述缓冲层上沉积第一非晶硅层，并对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火处理，使所述第一非晶硅层结晶转变为第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行图案化处理，得到位于所述驱动TFT区域的第一有源层；步骤103：在所述第一有源层及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积并图案化第一金属层，分别对应第一有源层的位置处形成第一栅电极，对应未设置第一有源层的位置处形成第二栅电极；步骤104：利用第一栅电极和第二栅电极作为遮挡层，对栅极绝缘层进行离子植入；步骤...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：步骤101：提供基板，所述基板包括驱动TFT区域和显示TFT区域，在所述基板上沉积缓冲层；步骤102：在所述缓冲层上沉积第一非晶硅层，并对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火处理，使所述第一非晶硅层结晶转变为第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行图案化处理，得到位于所述驱动TFT区域的第一有源层；步骤103：在所述第一有源层及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积并图案化第一金属层，分别对应第一有源层的位置处形成第一栅电极，对应未设置第一有源层的位置处形成第二栅电极；步骤104：利用第一栅电极和第二栅电极作为遮挡层，对栅极绝缘层进行离子植入；步骤105：然后在栅极绝缘层、第一栅电极和第二栅电极上沉积层间绝缘层，并在所述层间绝缘层上沉积第二非晶硅层，然后对第二非晶硅层进行离子植入，接着对所述第二非晶硅层进行固相晶化，使所述第二非晶硅层结晶转变为第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行图案化处理，形成第二有源层，第二有源层位于与第二栅电极相对应的位置处；步骤106：在所述栅极绝缘层和层间绝缘层上对应所述第一有源层形成第一过孔和第二过孔，在所述层间绝缘层上对应所述第二栅电极形成第三过孔；步骤107：沉积源漏电极层，并对源漏电极层进行图案化，同时在第二有源层表面形成沟道；步骤108：沉浸钝化层，并对钝化层图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓星，周星宇，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44