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本发明提供了一种TFT基板的制备方法。方法包括在基板上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积第一非晶硅层，准分子激光退火处理转变为第一多晶硅层；图案化得到第一有源层；沉积栅极绝缘层，在栅极绝缘层上沉积M1层和层间绝缘层，沉积第二非晶硅层，形成第二有源层...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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