一种阵列基板、显示装置及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法，涉及触控显示技术领域，可提高电压均一性以及显示装置的信赖度。该阵列基板包括：衬底，设置在所述衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定子像素；所述子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极；所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述第一透明电极电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与触控扫描线电连接，源极与触控引线电连接，漏极与所述第二透明电极电连接；其中，所述第一透明电极和所述第二透明电极绝缘，且在所述衬底的正投影无交叠。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示装置及其驱动方法
本专利技术涉及触控显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。
技术介绍
内嵌式电容触摸屏将触控电极结构集成在显示屏中，具有结构简单、轻、薄、成本低的优点，越来越成为触摸屏的主流技术，例如，越来越广泛应用于各种便携智能终端(诸如手机)中。在内嵌式电容触摸屏中，可以分为On-Cell触摸屏和In-Cell触控屏，其中In-Cell触控屏又可分为复合内嵌式(HybridIn-Cell，HIC)电容触摸屏和完全内嵌式(FullIn-Cell，FIC)电容触摸屏。目前内嵌式电容触摸屏主要是完全内嵌式(FullIn-Cell，FIC)电容触摸屏，现有的FIC电容触摸屏，触控电极和公共电极共用，使得在显示的过程中，公共电极电压均一性不好。在此基础上，由于触控信号并不是以基准电压为中心的正负反转信号，容易使液晶长时间的相对偏向一侧，导致电压残留，从而出现显示画面的闪烁偏大且极易漂移等现象，进而导致所述显示装置，尤其是LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅技术)等高分辨率高频率的显示装置的信赖度降低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法，可提高电压均一性以及显示装置的信赖度。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板，包括衬底，设置在所述衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定子像素；所述子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极；所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述第一透明电极电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与触控扫描线电连接，源极与触控引线电连接，漏极与所述第二透明电极电连接；其中，所述第一透明电极和所述第二透明电极绝缘，且在所述衬底的正投影无交叠。优选的，所述第二透明电极绕所述第一透明电极一周设置；或者，所述第一透明电极绕所述第二透明电极一周设置。优选的，所述子像素还包括公共电极，所述公共电极在所述衬底上的正投影与所述第一透明电极和所述第二透明电极在所述衬底上的正投影存在重叠区域。进一步优选的，所述公共电极设置在所述第一透明电极和所述第二透明电极远离所述衬底的一侧；其中，所述公共电极包括多个电连接的条形电极；或者，所述公共电极设置在所述第一透明电极和所述第二透明电极靠近所述衬底的一侧；其中，所述第一透明电极包括多个电连接的条形电极；所述第二透明电极包括多个电连接的条形电极；或者，所述公共电极设置在所述第一透明电极和所述第二透明电极靠近所述衬底的一侧；其中，所述第一透明电极包括多个电连接的条形电极；所述第二透明电极为面状电极。基于上述优选的，所述栅线与所述触控扫描线平行设置，且同步形成；所述数据线与所述触控引线平行设置，且同步形成。优选的，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管同步形成；所述第一透明电极和所述第二透明电极同步形成。第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的阵列基板。第三方面，提供一种第二方面所述的显示装置的驱动方法，包括：在每一帧，栅线逐行输入第一扫描信号，数据线输入数据信号，驱动第一透明电极用于显示；同时，触控扫描线逐行输入第二扫描信号，触控引线输入触控驱动信号，驱动第二透明电极用于触控；其中，相邻帧，所述触控引线分别输出第一电压信号和第二电压信号，第一电压高于公共电压，第二电压低于公共电压。优选的，至少在第N+1行所述栅线输入第一扫描信号后，向第N行所述触控扫描线输入第二扫描信号；其中，第N+1行所述栅线与第N+1行子像素中的第一薄膜晶体管连接，第N行所述触控扫描线与第N行所述子像素中的第二薄膜晶体管连接。优选的，在一帧时间内，当触控扫描结束后，所述方法还包括：所述触控扫描线逐行输入第二扫描信号，所述触控引线输入数据信号，驱动第二透明电极用于显示。本专利技术实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法，通过在每个子像素中设置第一薄膜晶体管、与第一薄膜晶体管的漏极连接的第一透明电极，并使第一薄膜晶体管的栅极连接栅线、源极连接数据线，当阵列基板用于显示装置时，可实现所述子像素的显示发光；在此基础上，通过在每个子像素中设置第二薄膜晶体管、与第二薄膜晶体管的漏极连接的第二透明电极，并使第二薄膜晶体管的栅极连接触控扫描线、源极连接触控引线，可在触控扫描线上施加触控驱动信号时，使第二透明电极基于自容方式，或与公共电极一起基于互容方式，可实现对触控位置的识别。基于此，一方面，当使第二透明电极基于自容方式对触控位置识别时，可使显示与触控相互独立，从而在显示的同时，可进行触控位置的识别，不会导致显示充电时间的减小；另一方面，由于无需采用触控电极和公共电极共用，因而可不影响公共电极电压的均一性；再一方面，在显示充电的同时进行触控扫描，可以为触控扫描提供基准电压，从而在相邻帧，可以调整所述触控扫描的电压分别高于公共电压或低于公共电压，因而可避免出现显示画面的闪烁偏大且极易漂移等现象；基于上述，本专利技术可提高所述显示装置的信赖度，提高所述显示装置的显示品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图一；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图二；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图三；图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图四；图5为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图五；图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图六；图7为图6中AA′向剖视示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图七；图9为图8中BB′向剖视示意图；图10为图8中CC′向剖视示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图八；图12为图11中DD′向剖视示意图；图13为图11中EE′向剖视示意图；图14为本专利技术实施例提供的一种驱动显示装置的时序图一；图15为本专利技术实施例提供的一种驱动显示装置的时序图二。附图标记：10-衬底；20-栅线；30-数据线；40-触控扫描线；50-触控引线；60-第一薄膜晶体管；70-第二薄膜晶体管；81-第一透明电极；82-第二透明电极；83-公共电极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板，如图1-5所示，包括衬底10，设置在衬底10上的栅线20和数据线30，栅线20和数据线30交叉限定子像素；所述子像素包括第一薄膜晶体管60、第二薄膜晶体管70、第一透明电极81和第二透明电极82；第一薄膜晶体管60的栅极与栅线20电连接，源极与数据线30电连接，漏极与第一透明电极81电连接；第二薄膜晶体管70的栅极与触控扫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底，设置在所述衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定子像素；其特征在于，所述子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极；所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述第一透明电极电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与触控扫描线电连接，源极与触控引线电连接，漏极与所述第二透明电极电连接；其中，所述第一透明电极和所述第二透明电极绝缘，且在所述衬底的正投影无交叠。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底，设置在所述衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定子像素；其特征在于，所述子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极；所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述第一透明电极电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与触控扫描线电连接，源极与触控引线电连接，漏极与所述第二透明电极电连接；其中，所述第一透明电极和所述第二透明电极绝缘，且在所述衬底的正投影无交叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极绕所述第一透明电极一周设置；或者，所述第一透明电极绕所述第二透明电极一周设置。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素还包括公共电极，所述公共电极在所述衬底上的正投影与所述第一透明电极和所述第二透明电极在所述衬底上的正投影存在重叠区域。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极设置在所述第一透明电极和所述第二透明电极远离所述衬底的一侧；其中，所述公共电极包括多个电连接的条形电极；或者，所述公共电极设置在所述第一透明电极和所述第二透明电极靠近所述衬底的一侧；其中，所述第一透明电极包括多个电连接的条形电极；所述第二透明电极包括多个电连接的条形电极；或者，所述公共电极设置在所述第一透明电极和所述第二透明电极靠近所述衬底的一侧；其中，所述第一透明电极包括多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李艳，谢晓波，时凌云，孙伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11