TFT基板、有机EL显示装置及液晶显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种在将设置于有机膜上的无机膜上的抗蚀剂层剥离去除后的所述有机膜的表面上抗蚀剂残渣少的TFT基板、有机EL显示装置及液晶显示装置的制造方法。本发明专利技术的TFT基板的制造方法至少依次包括步骤1：使用由特定的组成a所表示的硬化性组合物，在TFT基板上形成有机膜的步骤；步骤2：在所述有机膜上的至少一部分上形成无机膜的步骤；步骤3：在所述无机膜上形成抗蚀剂层的步骤；步骤4：对所述抗蚀剂层进行曝光及利用水性显影液进行显影的步骤；步骤5：经由经显影的所述抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤；以及步骤6：使用由特定的组成b所表示的剥离液组合物将所述抗蚀剂层剥离去除的步骤。

Method for manufacturing TFT substrate, organic EL display device and manufacturing method thereof, and liquid crystal display device and manufacturing method thereof

An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a TFT substrate with less residue on the surface of the organic film after stripping the resist layer on an inorganic film disposed on an organic film. Manufacturing method of TFT substrate of the invention comprises the steps of: at least 1 hardening composition used by the composition of the a said, the steps of forming an organic film on the TFT substrate; step 2: the steps of forming inorganic film on at least a portion of the organic film; 3 steps: forming a resist layer the steps in the inorganic membrane; step 4: the resist layer is exposed and developed using aqueous developing solution steps; step 5: through developing the resist layer on the inorganic film etching steps; and step 6: stripping liquid composition by using the B said the resist layer stripping removal steps; composed of a with a hardenable composition consisting of specific composition, B containing amine compounds, amides, and glycols.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】TFT基板的制造方法、有机EL显示装置及其制造方法以及液晶显示装置及其制造方法
本专利技术涉及一种TFT基板的制造方法。另外，本专利技术涉及一种有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示装置及其制造方法、以及液晶显示装置及其制造方法。
技术介绍
在有机EL显示装置或液晶显示装置等中，在具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)元件的基板上设置有形成有图案的层间绝缘膜。在形成所述层间绝缘膜时广泛使用硬化性组合物，其原因在于：用以获得所需的图案形状的步骤数少、且可获得充分的平坦性。在所述显示装置中的层间绝缘膜中，除绝缘性、耐溶剂性、耐热性、硬度、及氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)溅镀适应性优异等硬化膜的物性以外，还期望高透明性。另外，为了提升TFT基板的制造步骤中的节拍时间(takttime)，而期望提升层间绝缘膜的感度。进而，随着面板的高精细化得到发展，而要求提升层间绝缘膜的解析力。为了满足所述各种特性，将化学增幅系的层间绝缘膜应用于有机EL显示装置或液晶显示装置的面板生产商增加。作为所述化学增幅系的层间绝缘膜中所使用的感光性树脂组合物，已知有例如专利文献1中所记载的。在层间绝缘膜的形成步骤的后续步骤中，形成经图案化的氧化铟锡(ITO)膜或氮化硅膜(SiNx)等无机膜层。在所述后续步骤中，通常经过如下的步骤来制造TFT基板：(1)利用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)法、溅镀法等将所述无机膜层全面形成于层间绝缘膜的上层的步骤；(2)使用抗蚀剂组合物在所述无机膜层上形成抗蚀剂层，并通过曝光、显影而形成经图案化的蚀刻抗蚀剂层的步骤；(3)利用湿式蚀刻或干式蚀刻，经由所述蚀刻抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤；(4)使用胺系的剥离液组合物将所述蚀刻抗蚀剂层剥离去除的步骤。在专利文献1的段落0237中记载有感光性树脂组合物层对于含有二甲基亚砜(Dimethylsulfoxide，DMSO)及单乙醇胺的剥离液组合物的耐受性评价。已知二甲基亚砜是良好地溶解许多有机化合物·无机化合物的安全性高的溶剂，另一方面，其为难分解性有机硫化合物，虽然急性毒性低，但对于细胞组织的渗透性高。另外，通过热分解或微生物分解，二甲基亚砜有时分解成毒性高的恶臭物质二甲基硫醚(Dimethylsulfide，DMS)。二甲基硫醚在自然界中以低浓度存在，但若通过二甲基亚砜的还原而在局部以高浓度产生二甲基硫醚，则对于生物体的高毒性令人担忧。因这些背景，不使用二甲基亚砜的剥离液的使用增加。作为不含二甲基亚砜的剥离液组合物，已知有例如专利文献2中所记载的剥离液组合物。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2013-210607号公报专利文献2：日本专利特开2008-216296号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题当将所述专利文献2中所记载的剥离液组合物应用于层间绝缘膜形成步骤的后续步骤时，在使用所述剥离液组合物将形成于层间绝缘膜上层的无机膜上所形成的蚀刻抗蚀剂膜剥离去除的步骤中，虽然可良好地剥离蚀刻抗蚀剂层，但经剥离的蚀刻抗蚀剂膜再附着于所述层间绝缘膜(有机膜)的表面，并作为蚀刻抗蚀剂残渣而残留成为问题。本专利技术所要解决的问题在于提供一种使用剥离液组合物将所述无机膜上的蚀刻抗蚀剂层剥离去除后的硬化膜(有机膜)表面的蚀刻抗蚀剂残渣少的TFT基板的制造方法。进而，本专利技术的目的在于提供一种所述硬化性组合物的硬化感度优异、且所获得的硬化膜的耐剥离液性优异的TFT基板的制造方法。进而，本专利技术的目的在于提供一种使用此种TFT基板的制造方法的有机EL显示装置、及液晶显示装置的制造方法。解决问题的技术手段本专利技术的所述课题通过以下的＜1＞、＜10＞、＜11＞、＜12＞、及＜13＞中所记载的手段来解决。以下一并记载作为优选的实施形态的＜2＞～＜9＞。＜1＞一种TFT基板的制造方法，其至少依次包括下述的步骤1～步骤6，步骤1：使用由下述组成a所表示的硬化性组合物，在具备TFT元件的基板上形成有机膜的步骤步骤2：在所述有机膜上的至少一部分上形成无机膜的步骤步骤3：使用抗蚀剂组合物在所述无机膜上形成抗蚀剂层的步骤步骤4：对所述抗蚀剂层进行曝光及利用水性显影液进行显影的步骤步骤5：经由经显影的所述抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤步骤6：使用由下述组成b所表示的剥离液组合物将所述抗蚀剂层剥离去除的步骤组成a：含有作为成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元a1的聚合体1的聚合体成分、作为成分B的光酸产生剂、作为成分C的分子量为1,000以下的交联剂、以及作为成分D的有机溶剂，成分A在所有聚合体成分中不含具有交联性基的构成单元a2，或相对于所有聚合体成分中的所有构成单元，以5摩尔％以下的比例含有具有交联性基的构成单元a2，成分C的含量为组合物的所有有机固体成分中的7质量％～30质量％，组成b：含有作为成分I的胺化合物、以及作为成分II的由下述式II-1和/或下述式II-2所表示的化合物，成分I的含量相对于剥离液组合物的总量为5质量％～70质量％，成分I及由式II-1所表示的化合物的合计含量相对于剥离液组合物的总量为50质量％～100质量％[化1]式中，R1～R3分别独立地表示氢原子或烷基，R1与R2、或R1与R3可连结而形成环，R4表示亚烷基，R5表示氢原子或烷基，n表示1～4的整数。＜2＞根据＜1＞所述的TFT基板的制造方法，其中在所述剥离液组合物中，由式II-1所表示的化合物为N-甲基吡咯烷酮、1-(羟基甲基)-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、或这些的混合物。＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的TFT基板的制造方法，其中在所述剥离液组合物中，由式II-2所表示的化合物为二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、或这些的混合物。＜4＞根据＜1＞至＜3＞中任一项所述的TFT基板的制造方法，其中所述剥离液组合物中的所述胺化合物为具有羟基的胺化合物。＜5＞根据＜4＞所述的TFT基板的制造方法，其中所述具有羟基的胺化合物为由下述式I-1所表示的化合物，[化2]式中，R6～R8分别独立地表示氢原子、烷基、羟基或羟基烷基，R6～R8的至少一个表示羟基烷基或羟基。＜6＞根据＜4＞或＜5＞所述的TFT基板的制造方法，其中所述具有羟基的胺化合物为选自由单乙醇胺、N-丙醇胺、单异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、单甲基乙醇胺、N,N-二乙基羟基胺所组成的群组中的至少一种。＜7＞根据＜1＞至＜6＞中任一项所述的TFT基板的制造方法，其中所述交联剂为选自由分子内具有两个以上的环氧基或氧杂环丁基的化合物、封闭型异氰酸酯化合物、及含有烷氧基甲基的交联剂所组成的群组中的至少一种。＜8＞根据＜1＞至＜7＞中任一项所述的TFT基板的制造方法，其中所述聚合体1的构成单元a1为具有酸基由缩醛的形式保护的基的构成单元。＜9＞根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的TFT基板的制造方法，其中所述光酸产生剂为选自由肟磺酸酯化合物、酰亚胺磺酸酯化合物及鎓盐化合物所组成的群组中的至少一种。＜10＞一种有机EL显示装置的制造方法，其包括根据＜1＞至＜9＞中任一项所述的TFT基板的制造方法。＜11＞一种液晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板的制造方法，其至少依次包括下述的步骤1～步骤6：步骤1：使用由下述组成a所表示的硬化性组合物，在具备薄膜晶体管元件的基板上形成有机膜的步骤步骤2：在所述有机膜上的至少一部分上形成无机膜的步骤步骤3：使用抗蚀剂组合物在所述无机膜上形成抗蚀剂层的步骤步骤4：对所述抗蚀剂层进行曝光及利用水性显影液进行显影的步骤步骤5：经由经显影的所述抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤步骤6：使用由下述组成b所表示的剥离液组合物将所述抗蚀剂层剥离去除的步骤组成a：含有作为成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元a1的聚合体1的聚合体成分，作为成分B的光酸产生剂，作为成分C的分子量为1,000以下的交联剂，以及作为成分D的有机溶剂，成分A在所有聚合体成分中不含具有交联性基的构成单元a2，或相对于所有聚合体成分中的所有构成单元，以5摩尔％以下的比例含有具有交联性基的构成单元a2，成分C的含量为硬化性组合物的所有有机固体成分中的7质量％～30质量％组成b：含有作为成分I的胺化合物、以及作为成分II的由下述式II‑1和/或下述式II‑2所表示的化合物，成分I的含量相对于剥离液组合物的总量为5质量％～70质量％，成分I及由式II‑1所表示的化合物的合计含量相对于剥离液组合物的总量为50质量％～100质量％[化1]...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 JP 2014-2022431.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其至少依次包括下述的步骤1～步骤6：步骤1：使用由下述组成a所表示的硬化性组合物，在具备薄膜晶体管元件的基板上形成有机膜的步骤步骤2：在所述有机膜上的至少一部分上形成无机膜的步骤步骤3：使用抗蚀剂组合物在所述无机膜上形成抗蚀剂层的步骤步骤4：对所述抗蚀剂层进行曝光及利用水性显影液进行显影的步骤步骤5：经由经显影的所述抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤步骤6：使用由下述组成b所表示的剥离液组合物将所述抗蚀剂层剥离去除的步骤组成a：含有作为成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元a1的聚合体1的聚合体成分，作为成分B的光酸产生剂，作为成分C的分子量为1,000以下的交联剂，以及作为成分D的有机溶剂，成分A在所有聚合体成分中不含具有交联性基的构成单元a2，或相对于所有聚合体成分中的所有构成单元，以5摩尔％以下的比例含有具有交联性基的构成单元a2，成分C的含量为硬化性组合物的所有有机固体成分中的7质量％～30质量％组成b：含有作为成分I的胺化合物、以及作为成分II的由下述式II-1和/或下述式II-2所表示的化合物，成分I的含量相对于剥离液组合物的总量为5质量％～70质量％，成分I及由式II-1所表示的化合物的合计含量相对于剥离液组合物的总量为50质量％～100质量％[化1]式中，R1～R3分别独立地表示氢原子、烷基或羟基烷基，R1与R2、或R1与R3可连结而形成环，R4表示亚烷基，R5表示氢原子或烷基，n表示1～4的整数。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中在所述剥离液组合物中，由式II-1所表示的化合物为N-甲基吡咯烷酮、1-(羟基甲基)-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、或这些的混...

【专利技术属性】
技术研发人员：霜山达也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP