一种TFT基板及LCD盒制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TFT基板及LCD盒。该TFT基板包括TFT区域、快速检测区域和IC走线区域，所述TFT区域上涂布有一层取向膜，所述快速检测区域和IC走线区域的镂空位置上设置有填充物质，所述填充物质的高度与快速检测金属块和IC走线的高度一致。该TFT基板利用填充物质将快速检测区域和IC走线区域的大量镂空位置填平，使得快速检测区域和IC走线区域内的界面平坦，在滚轮扫过TFT区域时，绒毛布对TFT区域上的取向膜的摩擦以及形成的沟道也会均匀，从而消除摩擦Mura。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT基板及LCD盒
本技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种TFT基板及LCD盒。
技术介绍
如图1所示，薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）的TFT基板包括载体基板5’、设置在载体基板5’上的TFT层6’以及涂布在载体基板5’和TFT层6’上的取向膜7’，取向膜7’在制作过程中会用包裹有绒毛布的滚轮摩擦其表面形成一定方向排列的沟槽，沟槽的作用是为液晶材料8’旋转提供一个预角度，取向膜7’上的液晶材料8’会因分子之间的作用力而达到定向效果，产生配向(Align)作用，如此便可控制液晶材料8’依特定的方向与预定的倾斜角度排列，从而达到最佳显示效果。但是，滚轮在摩擦取向膜7’形成沟槽之前，会先扫过如图2-4所示的TFT区域1’外的快速检测区域2’和IC走线区域3’，而快速检测区域2’和IC走线区域3’上除了快速检测金属块21’和IC走线31’之间还存在大量的镂空位置51’，镂空位置51’与快速检测金属块21’、IC走线31’之间的高度差会导致滚轮上的绒毛布受到的压力不一致，绒毛布受力形变以及形变后的恢复情况也会不一致，这就导致在绒毛布在摩擦取向膜7’时形成的沟槽不均匀，液晶材料8’的定向也不一致，从而导致TFT-LCD出现摩擦Mura。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本技术提供一种TFT基板及LCD盒。该TFT基板利用填充物质将快速检测区域和IC走线区域的大量镂空位置填平，使得快速检测区域和IC走线区域内的界面平坦，在滚轮扫过TFT区域时，绒毛布对TFT区域上的取向膜的摩擦以及形成的沟道也会均匀，从而消除摩擦Mura。本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种TFT基板，包括TFT区域、快速检测区域和IC走线区域，所述TFT区域上涂布有一层取向膜，所述快速检测区域和IC走线区域的镂空位置上设置有填充物质，所述填充物质的高度与快速检测金属块和IC走线的高度一致。进一步地，所述填充物质为金属材料。进一步地，所述填充物质为非金属材料。进一步地，所述填充物质为点状、或/和线状、或/和块状。一种LCD盒，包括上述的TFT基板。本技术具有如下有益效果：该TFT基板利用填充物质将快速检测区域和IC走线区域的大量镂空位置填平，使得快速检测区域和IC走线区域内的界面平坦，在滚轮扫过TFT区域时，绒毛布对TFT区域上的取向膜的摩擦以及形成的沟道也会均匀，从而消除摩擦Mura。附图说明图1为TFT基板的TFT区域的结构示意图；图2为现有的TFT基板的正面示意图；图3为现有的TFT基板的快速检测区域的局部放大图；图4为现有的TFT基板的IC走线区域的局部放大图图5为本技术提供的TFT基板的正面示意图；图6为本技术提供的TFT基板的快速检测区域的局部放大图；图7为本技术提供的TFT基板的IC走线区域的局部放大图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进行详细的说明。实施例一如图5-7所示，一种TFT基板，包括TFT区域1、快速检测区域2和IC走线区域3，所述TFT区域1上涂布有一层取向膜，所述快速检测区域2和IC走线区域3的镂空位置上设置有填充物质4，所述填充物质4的高度与快速检测金属块21和IC走线31的高度一致。该TFT基板在快速检测区域2和IC走线区域3的镂空位置上设置填充物质4，填充物质4的高度与快速检测金属块21和IC走线31的高度一致，使得快速检测区域2和IC走线区域3内的界面平坦；在滚轮扫过快速检测区域2和IC走线区域3时，滚轮上的绒毛布受到的压力一致，绒毛布受力形变以及形变后的恢复情况也会一致，这样在滚轮扫过TFT区域1时，绒毛布对TFT区域1上的取向膜的摩擦以及形成的沟道也会均匀，从而消除摩擦Mura的情况。所述填充物质4可以为金属材料，也可以为非金属材料，但优选地使用金属材料，这样的话，填充物质4就可以在制作快速检测金属块21和IC走线31时一同制作形成，节省制作填充物质4所需的工序和掩膜板。所述填充物质4为点状、或/和线状、或/和块状等，填充物质4的形状应视镂空位置的形状而定，一般快速检测区域2的镂空位置形状为块状，IC走线31区域3的镂空位置形状为线状。实施例二一种LCD盒，包括实施例一所述的TFT基板。以上所述实施例仅表达了本技术的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板，包括TFT区域、快速检测区域和IC走线区域，所述TFT区域上涂布有一层取向膜，其特征在于，所述快速检测区域和IC走线区域的镂空位置上设置有填充物质，所述填充物质的高度与快速检测金属块和IC走线的高度一致。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板，包括TFT区域、快速检测区域和IC走线区域，所述TFT区域上涂布有一层取向膜，其特征在于，所述快速检测区域和IC走线区域的镂空位置上设置有填充物质，所述填充物质的高度与快速检测金属块和IC走线的高度一致。2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄崇营，周丽梅，黄柏青，林建伟，李林，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44