阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种阵列基板，其包括TFT基板、绝缘保护层、像素电极和公共电极，所述绝缘保护层设置在所述TFT基板上，所述像素电极和所述公共电极彼此独立地设置在所述绝缘保护层上，所述像素电极和/或所述公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制成。本发明专利技术还公开一种该阵列基板的制作方法。本发明专利技术的像素电极和公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制作而成，可以满足低阻抗需求，并且光线可以穿透超薄金属材料层，从而会大幅度提升开口率和光线穿透率。

Array substrate and manufacturing method thereof

The invention discloses an array substrate, which comprises a TFT substrate, an insulation protection layer, the pixel electrode and the common electrode, the insulating protective layer is arranged on the TFT substrate, the pixel electrode and the common electrode is arranged independently of each other in the insulation protection layer, the pixel electrode and / or the common electrode made of transparent metal oxide materials and metal materials. The invention also discloses a method for manufacturing the array substrate. The pixel electrode and the common electrode of the invention is made of transparent metal oxide materials and metal materials, can meet the demand of low impedance, and the light can penetrate the thin layer of metal materials, which will greatly enhance the opening rate and light penetration rate.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术属于显示
，具体地讲，涉及一种用于液晶面板的阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已被应用于生产生活的各个方面。液晶显示器通常为背光型液晶显示器，其包括相对设置的液晶面板和背光模块。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板(即对盒的彩膜基板(CF基板)和阵列基板(Array基板))当中放置液晶分子，两片玻璃基板通过向液晶分子通电与否来控制液晶分子改变方向，从而将背光模组的光线折射出来产生影像。目前主流的液晶面板的类型分为扭曲向列(TwistedNematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwistedNematic，STN)型、面内转换(In-PlaneSwitching，IPS)型以及垂直配向(VerticalAlignment，VA)型。其中IPS模式是利用与基板面大致平行的电场驱动液晶分子沿基板面内转动以响应的模式，由于具有较大的可视角度以及响应速度快等优点，所以被用于各种TV显示用途当中。在IPS型液晶面板中，像素电极和公共电极同时形成，二者的制作材料采用Mo/Ti电极替换原始ITO电极，从而在阻抗上有明显的优势。但是Mo/Ti金属材料透光率极低，会大幅度降低液晶面板的开口率和光线穿透率。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种能够提高开口率和光线穿透率的阵列基板及其制作方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种阵列基板，其包括TFT基板、绝缘保护层、像素电极和公共电极，所述绝缘保护层设置在所述TFT基板上，所述像素电极和所述公共电极彼此独立地设置在所述绝缘保护层上，所述像素电极和/或所述公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制成。进一步地，所述像素电极包括依次设置在所述绝缘保护层上的第一像素电极层、第二像素电极层和第三像素电极层，其中所述第一像素电极层和所述第三像素电极层采用透明金属氧化物材料制成，所述第二像素电极层采用金属材料制成。进一步地，所述第一像素电极层和/或所述第三像素电极层的厚度在30nm至50nm之间，所述第二像素电极层的厚度在9nm至20nm之间。进一步地，所述公共电极包括依次设置在所述绝缘保护层上的第一公共电极层、第二公共电极层和第三公共电极层，其中所述第一公共电极层和所述第三公共电极层采用透明金属氧化物材料制成，所述第二公共电极层采用金属材料制成。进一步地，所述第一公共电极层和/或所述第三公共电极层的厚度在30nm至50nm之间，所述第二公共电极层的厚度在9nm至20nm之间。进一步地，所述透明金属氧化物材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种，所述金属为银或金。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种阵列基板的制作方法，其包括步骤：制作TFT基板；在所述TFT基板上制作绝缘保护层；采用透明金属氧化物材料和金属材料在所述绝缘保护层上同时制作彼此独立的像素电极和公共电极。进一步地，制作TFT基板的方法包括步骤：提供基板，在所述基板上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极及扫描线；在所述栅极金属层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于所述栅极上方的半导体层；在所述半导体层和所述栅极绝缘层上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极、漏极及数据线，所述源极和所述漏极分别与所述半导体层的两端相接触。进一步地，制作绝缘保护层的方法包括：在所述源漏极金属层上形成绝缘保护层，并对所述绝缘保护层进行图案化处理，以在所述绝缘保护层上形成对应于所述漏极上方的过孔。进一步地，制作像素电极和公共电极的方法包括步骤：在绝缘保护层上依次沉积透明金属氧化物材料层、金属材料层以及金属氧化物材料层；对所述透明金属氧化物材料层、金属材料层以及金属氧化物材料层进行图案化处理，以得到像素电极和公共电极，所述像素电极包括：依次在所述绝缘保护层上的第一像素电极层、第二像素电极层和第三像素电极层，所述公共电极包括：依次在所述绝缘保护层上的第一公共电极层、第二公共电极层和第三公共电极层。本专利技术的有益效果：本专利技术中，像素电极和公共电极采用两层透明金属氧化物材料夹一层金属材料的“三明治”结构，可以满足低阻抗需求，并且光线可以穿透超薄金属材料层，其穿透率远大于Mo/Ti电极，从而会大幅度提升开口率和光线穿透率。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的实施例的阵列基板的俯视示意图；图2是图1中的一个像素单元的侧视示意图；图3是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法的流程图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在附图中始终表示相同的元件。图1是根据本专利技术的实施例的阵列基板的俯视示意图。图2是图1中的一个像素单元的侧视示意图。参照图1和图2，根据本专利技术的实施例的阵列基板包括：TFT基板100、绝缘保护层200、像素电极300以及公共电极400。作为本专利技术的一实施方式，TFT基板100包括：基板110、设于基板110上的两条扫描线120、三条数据线130及由两条扫描线120与三条数据线130相互绝缘交错划分出的四个阵列排布的像素单元。应当说明的是，在本专利技术中，并不对扫描线120和数据线130的数量作具体限定，它们可以根据实际需求设定，从而限定出的像素单元也跟随扫描线120和数据线130的数量的变化而改变。每一像素单元包括：形成于基板110上的栅极111、形成于栅极111及基板110上栅极绝缘层112、对应于栅极111上方且形成于栅极绝缘层112上的半导体层(或称有源层)113、形成于半导体层113及栅极绝缘层112上的源极114和漏极115，其中源极114和漏极115分别与半导体层113的两端相接触。绝缘保护层200形成于所述源极114、漏极115、半导体层113以及栅极绝缘层112上。所述绝缘保护层200上对应所述漏极115的上方设有过孔210。像素电极300和公共电极400形成于绝缘保护层200上，其中像素电极300通过过孔210与所述漏极115相接触。利用透明金属氧化物材料和金属材料同时图案化得到像素电极300和公共电极400，像素电极300和公共电极400彼此独立绝缘。在每一像素单元范围内的像素电极300为一体，而在不同像素单元范围内的像素电极300彼此独立绝缘。在整个阵列基板上，公共电极400为一体。在本实施例中，像素电极300和/或公共电极400采用两层透明金属氧化物材料夹一层金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括TFT基板、绝缘保护层、像素电极和公共电极，所述绝缘保护层设置在所述TFT基板上，所述像素电极和所述公共电极彼此独立地设置在所述绝缘保护层上，所述像素电极和/或所述公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制成。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括TFT基板、绝缘保护层、像素电极和公共电极，所述绝缘保护层设置在所述TFT基板上，所述像素电极和所述公共电极彼此独立地设置在所述绝缘保护层上，所述像素电极和/或所述公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制成。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括依次设置在所述绝缘保护层上的第一像素电极层、第二像素电极层和第三像素电极层，其中所述第一像素电极层和所述第三像素电极层采用透明金属氧化物材料制成，所述第二像素电极层采用金属材料制成。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极层和/或所述第三像素电极层的厚度在30nm至50nm之间，所述第二像素电极层的厚度在9nm至20nm之间。4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极包括依次设置在所述绝缘保护层上的第一公共电极层、第二公共电极层和第三公共电极层，其中所述第一公共电极层和所述第三公共电极层采用透明金属氧化物材料制成，所述第二公共电极层采用金属材料制成。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极层和/或所述第三公共电极层的厚度在30nm至50nm之间，所述第二公共电极层的厚度在9nm至20nm之间。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明金属氧化物材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种，所述金属为银或金。7.一种阵列基板的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：任维，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44