一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，在滤波器的工艺完成后，采用正性光阻对成膜后的多晶硅进行涂覆，采用光盾金属光罩在不透光区域内进行曝光处理，通过控制曝光强度或曝光方式对光盾金属光罩下的光阻进行多次过曝处理，使得不透光区域下方的光阻部分被光照，直至显影后的光阻边缘与门电极区域的NP区域的下边缘相重合为止，以使薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触，对未进行光阻覆盖的多晶硅区域进行N型重掺杂，以实现对多晶硅区域中两电极端进行N型重掺杂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术具体涉及一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器是在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可适用。低温多晶硅工艺复杂，耗时长。低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon；简称LTPS)，传统高分辨率LTPS工艺中，由于尺寸较小的原因器件Channel中的LSM层在Pixel中为一整块设计，在PolySi成膜后，采用一道NCD光罩对TFT沟道区域中的PolySi进行N型掺杂，以调节TFT的阈值电压，该道NCD光罩为Clear，即NCD光罩区域为透光区域，在对该工艺完成后，在采用NP光罩，如图1中两个虚线区域4所示，对源漏极两端下方的PolySi进行N型重掺杂处理，以实现TFT器件的源漏区域中源漏电极与PolySi之间维持欧姆接触，且该道光罩中的NP区域也为Clear，即NP光罩区域为透光区域，整个曝光过程均采用正性光阻。相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：对多晶硅完成滤波器工艺后，采用光阻对成膜后的多晶硅进行涂覆；采用光盾金属光罩在不透光区域内进行曝光处理，不透光区域的上边区域到门电极的NP边缘区域之间的距离为a；通过控制曝光强度或曝光方式对光盾金属光罩下的光阻进行多次过曝处理，使不透光区域下方的光阻部分得以光照，直至显影后的光阻边缘与门电极区域的NP区域的下边缘相重合，以使薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：对多晶硅完成滤波器工艺后，采用光阻对成膜后的多晶硅进行涂覆；采用光盾金属光罩在不透光区域内进行曝光处理，不透光区域的上边区域到门电极的NP边缘区域之间的距离为a；通过控制曝光强度或曝光方式对光盾金属光罩下的光阻进行多次过曝处理，使不透光区域下方的光阻部分得以光照，直至显影后的光阻边缘与门电极区域的NP区域的下边缘相重合，以使薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，距离a的取值范围为1～2um。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，光阻为正性光阻。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，曝光强度的控制通过控...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈归，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42