低温多晶硅TFT基板结构制造技术

本发明专利技术提供一种低温多晶硅TFT基板结构，包括基板、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、及源/漏极；所述栅极绝缘层、及层间绝缘层上对应多晶硅层的上方设有第一过孔，所述层间绝缘层上对应栅极的上方设有第二过孔，所述源/漏极分别经由第一过孔、及第二过孔与多晶硅层、及栅极相接触，所述第一过孔、及第二过孔相互贯通构成过孔。本发明专利技术通过改进多晶硅层、栅极及过孔的平面布局结构，使本发明专利技术的低温多晶硅TFT基板结构在高像素密度的情况下，当制程中过孔发生漂移时，能够保证多晶硅层与源/漏极之间的接触面积不变或变化范围较小，从而改善由于过孔发生漂移而导致多晶硅层与源/漏极之间的接触阻抗发生变异的问题。

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅TFT基板结构
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板结构。
技术介绍
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机电致发光显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)。薄膜晶体管(TFT)是平面显示装置的重要组成部分，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)技术是新一代薄膜晶体管液晶显示器的制造技术，与传统非晶硅显示器的最大差异在于低温多晶硅显示器反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。随着全球显示面板竞争日趋激烈，各大厂商对像素密度(HighPPI,HighPixelsPerInch)的追求也越来越高，在某些领域所搭载的显示面板像素密度已高达538。对于平面显示装置的面板设计来说，更高的像素密度就意味着更小的子像素面积，在制程能力不变的情况下，电路有效布局的面积就越小，尤其是对于AMOLED显示面板，通常一个子像素里包含有2～7个TFT，这就对电路布局提出了更高的要求。请参阅图1，为一种现有低像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图，该现有低像素密度低温多晶硅TFT基板结构包括基板100、形成于所述基板100上的多晶硅层110、形成于所述多晶硅层110上覆盖所述多晶硅层110与基板100的栅极绝缘层200、形成于所述栅极绝缘层200上的栅极210、形成于所述栅极210上覆盖所述栅极210与栅极绝缘层200的层间绝缘层300、及形成于所述层间绝缘层300上的源/漏极310。所述栅极绝缘层200、及层间绝缘层300上对应所述多晶硅层110的上方设有过孔410，所述层间绝缘层300上对应所述栅极210的上方设有过孔420，所述源/漏极310分别经由所述过孔410、及过孔420与所述多晶硅层110、及栅极210相接触。请参阅图2，为图1在水平面的垂直投影示意图，其中虚线部分外围为布线区域，当所述过孔410发生漂移时，所述多晶硅层110与所述源/漏极310的接触面积不变。请参阅图3，为一种现有中像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图，为了提高像素密度，使过孔410、及过孔420相贯通构成过孔400。请参阅图4，为图3在水平面的垂直投影示意图，其中虚线部分外围为布线区域，当所述过孔400发生漂移时，所述多晶硅层110与所述源/漏极310的接触面积减小，最大减小比率约为30％，导致多晶硅层110与所述源/漏极310的接触阻抗发生变异，进而影响TFT基板的性能。请参阅图5，为一种现有高像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图，为了提高像素密度，使过孔410、及过孔420相贯通构成过孔400。请参阅图6，为图5在水平面的垂直投影示意图，其中虚线部分外围为布线区域，所述过孔400的长度与宽度均为4.75μm，所述多晶硅层110与所述源/漏极310的接触面积为4.75×4.75/2＝11.28μm2。如图7所示，假设在制程过程中，所述过孔400沿图6中的箭头方向的最大漂移距离为1.25μm，此时所述多晶硅层110与所述源/漏极310的接触面积减小了4.75×1.25≈5.94μm2。过孔400发生漂移前后面积最大减小比率为5.94/11.28×100％≈53％，导致多晶硅层110与所述源/漏极310的接触阻抗发生较大变异，严重影响TFT基板的性能。因此，有必要提供一种新的低温多晶硅TFT基板结构，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板结构，在高像素密度的情况下，当制程中过孔发生漂移时，能够保证多晶硅层和源/漏极之间的接触面积不变或变化范围较小，从而改善由于过孔发生漂移而导致多晶硅层与源/漏极之间的接触阻抗发生变异的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种低温多晶硅TFT基板结构，包括基板、形成于所述基板上的多晶硅层、形成于所述多晶硅层上覆盖所述多晶硅层与基板的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的栅极、形成于所述栅极上覆盖所述栅极与栅极绝缘层的层间绝缘层、及形成于所述层间绝缘层上的源/漏极；所述栅极绝缘层、及层间绝缘层上对应所述多晶硅层的上方设有第一过孔，所述层间绝缘层上对应所述栅极的上方设有第二过孔，所述源/漏极分别经由所述第一过孔、及第二过孔与所述多晶硅层、及栅极相接触；所述多晶硅层和栅极均为长方形结构，所述栅极的垂直投影面积位于所述多晶硅层的垂直投影面积内部，所述栅极的宽度小于所述多晶硅层的宽度，所述栅极的长度小于或等于所述多晶硅层的长度，所述第一过孔、及第二过孔相互贯通构成过孔，所述过孔的垂直投影为一长方形，其位于所述多晶硅层的垂直投影内部，所述过孔的宽度大于所述栅极的宽度且小于所述多晶硅层的宽度，所述过孔的长度小于所述多晶硅层的长度且小于或等于所述栅极的长度；所述第二过孔的垂直投影面积为所述栅极的垂直投影面积与所述过孔的垂直投影面积相互重合的部分；所述第一过孔的垂直投影面积为所述过孔的垂直投影面积减掉所述第二过孔的垂直投影面积。所述栅极的长度等于所述过孔的长度。所述过孔的长度与宽度均为4.75μm。所述栅极的宽度为3μm。所述栅极与所述过孔的垂直投影面积相互重合的部分的长度为3.75μm。所述栅极的长度等于所述多晶硅层的长度。所述栅极的宽度为3μm。所述基板为玻璃基板。所述栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。所述层间绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。本专利技术的有益效果：本专利技术的低温多晶硅TFT基板结构，通过改进多晶硅层、栅极及过孔的平面布局结构，使栅极的垂直投影面积位于多晶硅层的垂直投影面积内部，并将栅极的宽度设成小于多晶硅层的宽度，将栅极的长度设成小于或等于多晶硅层的长度，同时使过孔的垂直投影面积位于多晶硅层的垂直投影面积内部，并将过孔的宽度设成大于栅极的宽度且小于多晶硅层的宽度，将过孔的长度设成小于多晶硅层的长度且小于或等于栅极的长度，使本专利技术的低温多晶硅TFT基板结构在高像素密度的情况下，当制程中过孔发生漂移时，能够保证多晶硅层和源/漏极之间的接触面积不变或变化范围较小，从而改善由于过孔发生漂移而导致多晶硅层与源/漏极之间的接触阻抗发生变异的问题。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为一种现有低像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图；图2为图1在水平面的垂直投影示意图；图3为一种现有中像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图；图4为图3在水平面的垂直投影示意图；图5为一种现有高像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图；图6为图5在水平面的垂直投影示意图；图7为图6中过孔发生漂移后的示意图；图8为本专利技术低温多晶硅TFT基板结构的第一实施例的剖面示意图；图9为图8在水平面的垂直投影示意图；图10为图9中过孔发生漂移后的示意图；图11为本专利技术低温多晶硅TFT基板结构的第二实施例沿第一过孔处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、形成于所述基板(1)上的多晶硅层(11)、形成于所述多晶硅层(11)上覆盖所述多晶硅层(11)与基板(1)的栅极绝缘层(2)、形成于所述栅极绝缘层(2)上的栅极(21)、形成于所述栅极(21)上覆盖所述栅极(21)与栅极绝缘层(2)的层间绝缘层(3)、及形成于所述层间绝缘层(3)上的源/漏极(31)；所述栅极绝缘层(2)、及层间绝缘层(3)上对应所述多晶硅层(11)的上方设有第一过孔(41)，所述层间绝缘层(3)上对应所述栅极(21)的上方设有第二过孔(42)，所述源/漏极(31)分别经由所述第一过孔(41)、及第二过孔(42)与所述多晶硅层(11)、及栅极(21)相接触；所述多晶硅层(11)和栅极(21)均为长方形结构，所述栅极(21)的垂直投影面积位于所述多晶硅层(11)的垂直投影面积内部，所述栅极(21)的宽度小于所述多晶硅层(11)的宽度，所述栅极(21)的长度小于或等于所述多晶硅层(11)的长度，所述第一过孔(41)、及第二过孔(42)相互贯通构成过孔(40)，所述过孔(40)的垂直投影为一长方形，其位于所述多晶硅层(11)的垂直投影内部，所述过孔(40)的宽度大于所述栅极(21)的宽度且小于所述多晶硅层(11)的宽度，所述过孔(40)的长度小于所述多晶硅层(11)的长度且小于或等于所述栅极(21)的长度；所述第二过孔(42)的垂直投影面积为所述栅极(21)的垂直投影面积与所述过孔(40)的垂直投影面积相互重合的部分；所述第一过孔(41)的垂直投影面积为所述过孔(40)的垂直投影面积减掉所述第二过孔(42)的垂直投影面积。...

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、形成于所述基板(1)上的多晶硅层(11)、形成于所述多晶硅层(11)上覆盖所述多晶硅层(11)与基板(1)的栅极绝缘层(2)、形成于所述栅极绝缘层(2)上的栅极(21)、形成于所述栅极(21)上覆盖所述栅极(21)与栅极绝缘层(2)的层间绝缘层(3)及形成于所述层间绝缘层(3)上的源/漏极(31)；所述栅极绝缘层(2)及层间绝缘层(3)上对应所述多晶硅层(11)的上方设有第一过孔(41)，所述层间绝缘层(3)上对应所述栅极(21)的上方设有第二过孔(42)，所述源/漏极(31)分别经由所述第一过孔(41)及第二过孔(42)与所述多晶硅层(11)及栅极(21)相接触；所述多晶硅层(11)和栅极(21)均为长方形结构，所述栅极(21)的垂直投影面积位于所述多晶硅层(11)的垂直投影面积内部，所述栅极(21)的宽度小于所述多晶硅层(11)的宽度，所述栅极(21)的长度小于或等于所述多晶硅层(11)的长度，所述第一过孔(41)及第二过孔(42)相互贯通构成过孔(40)，所述过孔(40)的垂直投影为一长方形，其位于所述多晶硅层(11)的垂直投影内部，所述过孔(40)的宽度大于所述栅极(21)的宽度且小于所述多晶硅层(11)的宽度，所述过孔(40)的长度小于所述多晶硅层(11)的长度且小于或等于所述栅极(21)的长度；所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44