低温共烧陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料是由La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃和Al2O3陶瓷填充相组成，按质量分数计，La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃为40wt％～60wt％，Al2O3陶瓷填充相为40wt％～60wt％。制备方法包括La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃粉体的制备，Al2O3陶瓷粉体的预处理，复合粉体的制备，复合粉体的成型和低温烧结。本发明专利技术的低温共烧陶瓷材料具有工艺窗口宽、介电损耗低、可用于高频领域等优点，制备方法简单方便，设备投入小。

【技术实现步骤摘要】
低温共烧陶瓷材料及其制备方法
本专利技术属于电子陶瓷及其制备领域，涉及一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，具体涉及一种高频用低介电损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
LTCC(LowTemperatureCofiredCeramics，即低温共烧陶瓷)技术是指将陶瓷粉与有机粘结剂混合流延成厚度精确且致密的生瓷带(GreenTape)，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压、烧结(烧结温度低于900℃)，制成内置无源元件、具有三维电路结构的一种新型高密度电子封装技术。LTCC技术具有优异的电子和机械特性，已经成为电子元器件集成化、模块化的首选方式。尤其在高频领域，LTCC技术具有阻抗可控、高Q值、组装密度高和体积小等优点，是实现小型化、高密度和高可靠性微波/毫米波电路组件最有效的办法之一。但是随着系统级封装技术的不断进步以及各类电子装备对元器件性能的要求越来越高，集成的无源器件越来越多，体积也越来越小，尤其是使用频率也越来越高，传统的LTCC材料由于材料体系的限制已难以满足高频下器件高密度封装的实际应用要求，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料是由La2O3‑B2O3‑Al2O3微晶玻璃和Al2O3陶瓷填充相组成，其中，按质量分数计，所述La2O3‑B2O3‑Al2O3微晶玻璃为40wt％～60wt％，所述Al2O3陶瓷填充相为40wt％～60wt％。

【技术特征摘要】
1.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料是由La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃和Al2O3陶瓷填充相组成，其中，按质量分数计，所述La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃为40wt%～60wt%，所述Al2O3陶瓷填充相为40wt%～60wt%；所述La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃中各组分的质量分数为：La2O3为20wt%～25wt%，B2O3为60wt%～75wt%，Al2O3为5wt%～20wt%。2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料的介电常数为7～8，介电损耗为2.12×10-3～6.38×10-3，所述低温共烧陶瓷材料的频率为8.0GHz～8.9GHz。3.一种根据权利要求1或2所述低温共烧陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：（1）La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃粉体的制备：将氧化镧、氧化硼、氧化铝混合均匀，然后升温至1200℃～1300℃，进行保温熔炼，将所得玻璃液经急冷形成玻璃渣，经球磨后，得到La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃粉体；（2）Al2O3陶瓷粉体的预处理：将Al2O3陶瓷粉体在1400℃～1500℃空气环境下保温进行预处理，得到预处理后的Al2O3陶瓷粉体；（3）复合粉体的制备：将步骤（1）所得La2O3-B2O3-Al2O3微晶玻璃粉体和步骤（2）所得预处理后的Al2O3陶瓷粉体进...

【专利技术属性】
技术研发人员：张为军，陈兴宇，白书欣，刘卓峰，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43