一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及相应装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及相应装置，用以解决目前常见的LTPS工艺，制作工艺较为复杂，一般需进行10‑11道光刻工艺，增加了低温多晶硅显示设备的生产成本的问题。该方法包括：在衬底基板上依次形成像素电极、遮光层、低温多晶硅有源层、栅极、层间绝缘层、源漏极、以及公共电极的图形；其中通过一道构图工艺形成像素电极和遮光层的图形。本发明专利技术的制作方法中，能够通过一道构图工艺形成像素电极层和遮光层的图形，且在整个阵列基板的制作过程仅需要通过六道构图工艺来实现，相比于现有技术中需进行10‑11道光刻工艺，减少了LTPS工艺使用的掩膜版数量，简化了制程，并降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示面板领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及相应装置。
技术介绍
在各种显示装置的像素单元中，通过施加驱动电压来驱动显示装置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)被大量使用。在TFT的有源层一直使用稳定性和加工性较好的非晶硅(a-Si)材料，但非晶硅本身自有的缺陷问题，如缺陷太多导致的开态电流低、迁移率低、稳定性差，使它在很多领域收到了限制，为了弥补非晶硅本身缺陷，扩大在相关领域的应用，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技术应运而生。采用LTPS工艺的液晶显示装置由于具有较高的电子迁移率，能够有效减小TFT的面积以提升像素的开口率，并且在增强显示亮度的同时能够降低功耗及生产成本，目前已成为液晶显示领域的研究热点。但是现有LTPS工艺中，制作工艺较为复杂，一般需进行10-11道光刻工艺，增加了低温多晶硅显示设备的生产成本。综上所述，目前常见的LTPS工艺，制作工艺较为复杂，一般需进行10-11道光刻工艺，增加了低温多晶硅显示设备的生产成本。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及相应装置，用以解决目前常见的LTPS工艺，制作工艺较为复杂，一般需进行10-11道光刻工艺，增加了低温多晶硅显示设备的生产成本的问题。本专利技术实施例提供的一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成像素电极、遮光层、低温多晶硅有源层、栅极、层
间绝缘层、源漏极、以及公共电极的图形；其中，通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述遮光层的图形。本专利技术实施例提供的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法中，能够通过一道构图工艺形成像素电极层和遮光层的图形，且在整个阵列基板的制作过程仅需要通过六道构图工艺来实现，相比于现有技术中需进行10-11道光刻工艺，减少了LTPS工艺使用的掩膜版数量，简化了制程，并降低了生产成本。较佳的，所述通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述遮光层的图形，具体包括：在衬底基板上依次形成透明导电薄膜、遮光金属薄膜和光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光显影，得到光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全保留区域；所述光刻胶完全去除区域对应于形成像素电极的图形区域，所述光刻胶完全保留区域对应于形成遮光层的图形区域；利用所述光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域的光刻胶的遮挡，去除掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜和遮光金属薄膜；采用灰化工艺去除掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，同时减薄光刻胶完全保留区域的光刻胶；采用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶部分保留区域的遮光金属薄膜，得到所述遮光层的图形；剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，得到所述像素电极和所述遮光层的图形。较佳的，所述掩膜版为半色调掩膜板或灰色调掩膜板。较佳的，在形成所述栅极的图形的同时，形成位于公共电极过孔区域的第一金属层。较佳的，在形成所述源漏极的图形的同时，形成位于所述第一金属层和所述公共电极之间的第二金属层。较佳的，在衬底基板上形成层间绝缘层的图形，具体包括：在衬底基板上沉积层间绝缘层，对所述层间绝缘层进行图案化处理，在所述层间绝缘层中形成用于连接所述源漏极和所述有源层的第一过孔和第二过孔，在所述层间绝缘层中形成用于连接所述源漏极和所述像素电极的第三过孔，在所述层间绝缘层中形成用于连接所述公共电极与所述第一金属层和所述第二金属层的第四过孔。本专利技术实施例提供的一种低温多晶硅TFT阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的像素电极，以及设置在所述像素电极上远离所述衬底基板一侧的遮光层；其中，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影位于所述像素电极在所述衬底基板上的正投影内；位于所述遮光层上的低温多晶硅有源层；位于所述有源层上的栅极；位于所述栅极上的层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上的源漏极，以及与所述源漏极设置在同一层的公共电极。较佳的，该阵列基板还包括：设置在公共电极过孔区域的第一金属层，以及设置在所述第一金属层和所述公共电极之间的第二金属层；其中，所述第一金属层与所述栅极同层设置；所述第二金属层与所述源漏极同层设置；所述第二金属层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一金属层在所述衬底基板上的正投影内。较佳的，在所述层间绝缘层中设置有连接所述有源层和所述源漏极的第一过孔和第二过孔，在所述层间绝缘层中设置有连接所述像素电极和所述源漏极的第三过孔，在所述层间绝缘层中设置有连接所述第一金属层和所述公共电极的第四过孔。本专利技术实施例提供的一种显示装置，所述显示装置包括本专利技术实施例提供的上述低温多晶硅TFT阵列基板。附图说明图1为本专利技术实施例提供的第一种低温多晶硅TFT阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法的步骤流程图；图3a为本专利技术实施例提供的第一种制作像素电极和遮光层的结构示意图；图3b为本专利技术实施例提供的第二种制作像素电极和遮光层的结构示意图；图3c为本专利技术实施例提供的第三种制作像素电极和遮光层的结构示意图；图3d为本专利技术实施例提供的第四种制作像素电极和遮光层的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的第二种低温多晶硅TFT阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各层薄膜厚度和区域形状大小不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成像素电极、遮光层、低温多晶硅有源层、栅极、层间绝缘层、源漏极、以及公共电极的图形；其中，通过一道构图工艺形成像素电极和遮光层的图形。如图1所示，为本专利技术实施例提供的第一种低温多晶硅TFT阵列基板的结构示意图。该低温多晶硅TFT阵列基板为通过上述方法制作的阵列基板，其中，在衬底基板100上通过第一道构图工艺形成像素电极101和遮光层102的图形；通过第二道构图工艺形成低温多晶硅有源层103的图形；通过第三道构图工艺形成栅极104；通过第四道构图工艺形成层间绝缘层105上过孔的图形；通过第
五道构图工艺形成源漏极106的图形；通过第六道构图工艺形成公共电极107的图形。在具体实施时，本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，可以通过六道构图工艺，依次在衬底基板上形成像素电极和遮光层的图形，低温多晶硅有源层的图形，栅极的图形，层间绝缘层上的过孔图形，源漏极的图形，以及公共电极的图形。目前，常见的LTPS工艺，制作工艺较为复杂，一般需进行10-11道光刻工艺，增加了低温多晶硅显示设备的生产成本。基于此，本专利技术实施例提供的上述低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法中，能够通过一道构图工艺形成像素电极层和遮光层的图形，且在整个阵列基板的制作过程仅需要通过六道构图工艺来实现，相比于现有技术中需进行10-11道光刻工艺，减少了LTPS工艺使用的掩膜版数量，简化了制程，并降低了生产成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成像素电极、遮光层、低温多晶硅有源层、栅极、层间绝缘层、源漏极、以及公共电极的图形；其中，通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述遮光层的图形。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成像素电极、遮光层、低温多晶硅有源层、栅极、层间绝缘层、源漏极、以及公共电极的图形；其中，通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述遮光层的图形。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述遮光层的图形，具体包括：在衬底基板上依次形成透明导电薄膜、遮光金属薄膜和光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光显影，得到光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全保留区域；所述光刻胶完全去除区域对应于形成像素电极的图形区域，所述光刻胶完全保留区域对应于形成遮光层的图形区域；利用所述光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域的光刻胶的遮挡，去除掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜和遮光金属薄膜；采用灰化工艺去除掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，同时减薄光刻胶完全保留区域的光刻胶；采用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶部分保留区域的遮光金属薄膜；剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，得到所述像素电极和所述遮光层的图形。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜版为半色调掩膜板或灰色调掩膜板。4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述栅极的图形的同时，形成位于公共电极过孔区域的第一金属层。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述源漏极的图形的同时，形成位于所述第一金属层和所述公共电极之间的第二金属层。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成层间绝缘层的图形，具体包括：在衬底基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺芳，崔承镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11