低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种低温多晶硅薄膜制备方法，包括以下步骤：在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜；用红外光线以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面，以使所述保温层的温度周期性分布；对所述非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜晶化。上述低温多晶硅薄膜的制作方法制备出的低温多晶硅薄膜晶粒尺寸大，分布均匀，具有优良的电学性能。此外，该方法充分利用了准分子激光能量，有利于降低生产成本，利于实现大规模低成本生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器领域，特别是涉及一种低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置。
技术介绍
目前，常用的主动式阵列液晶显示器多采用非晶硅薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管。其中，多晶硅薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)由于具有较高的电子迁移率、开口率高、较快的响应速度、能大幅缩小组件尺寸、分辨率高、可以制作集成化驱动电路等优点，更加适合于大容量的高频显示，有利于提高显示器的成品率和降低生产成本，而得到广泛的应用。制作低温多晶硅薄膜常用准分子激光退火方法，该方法的基本原理为利用高能量的准分子激光照射到非晶硅薄膜表面，使非晶硅融化、冷却、再结11晶，实现从非晶硅到多晶硅的转变。准分子激光退火法制备的低温多晶硅薄膜的晶粒大、空间选择性好、晶内缺陷少、电学特性好，已成为目前低温多晶硅薄膜制备的主要方法。但在目前的现有技术中，利用常用的准分子激光退火方法仅利用高能量的准分子激光照射非晶硅薄膜的表面，由于激光一般具有局部能量高的特性，将高能量的准分子激光照射在非晶硅薄膜的表面很难实现均匀、大尺寸晶粒的低温多晶硅薄膜的制备，进而严重影响低温多晶硅薄膜的使用效果。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜；用红外光线以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面，以使所述保温层的温度周期性分布；对所述非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜晶化。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜；用红外光线以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面，以使所述保温层的温度周期性分布；对所述非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜晶化。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，在透光基板的上面依次沉积保温层及非晶硅薄膜的步骤之前还包括：在所述透光基板的上表面设置透明第一隔热层。3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述透明第一隔热层的材质由硅的氮化物或硅的氧化物构成。4.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述透明第一隔热层的厚度为100～200nm。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32