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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种SOI器件及其制备方法，通过硅外延生长工艺和热氧化工艺，于SOI衬底内形成埋氧层，且位于沟道区下方的埋氧层的厚度小于位于源极区和/或漏极区下方的埋氧层的厚度；该SOI器件既具有较高的耐软错误性，又可...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。