【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件本申请是申请日为2013年7月18日，申请号为201380004181.9，专利技术名称为“半导体发光器件”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开(disclosure)总体上涉及半导体发光器件，并且更具体地，涉及一种具有光反射面的半导体发光器件。在本文的上下文，术语“半导体发光器件”指的是经由电子-空穴复合来产生光的半导体光学器件，并且一个示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由含Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的化合物组成。其另一个示例是用于红光发射的GaAs基半导体发光器件。
技术介绍
这部分提供与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。图1是例示在美国专利No.7,262,436中提出的半导体发光器件的示例。该半导体发光器件包括：衬底100；在衬底100上生长的n型半导体...
【技术保护点】
1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子‑空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；以及不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有分布式布拉格反射器和作为所述不导电反射...
【技术特征摘要】
2012.07.18 KR 10-2012-0078270;2012.07.30 KR 10-2011.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；以及不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有分布式布拉格反射器和作为所述不导电反射膜的边缘处的倾斜面的角反射器，所述倾斜面对以倾斜角入射在所述不导电反射膜上而向所述分布式布拉格反射器的横向表面传播的光进行反射，所述第一电极和所述第二电极位于所述不导电反射...
【专利技术属性】
技术研发人员：全水根，朴恩铉，金勈德，
申请(专利权)人：世迈克琉明有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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