The present disclosure relates to semiconductor light-emitting elements, which are characterized by: a body including a bottom with at least one or more holes formed at the bottom; a semiconductor light-emitting element chip, which is located in at least one or more holes, comprises a plurality of semiconductor layers and electrodes, and a plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light through the combination of electrons and holes, with the electrodes and a plurality of holes. The semiconductor layer is electrically connected, and the sealing material is covered with a semiconductor light emitting element chip, in which the bottom inner surface of the forming hole has a plurality of inclined angles.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光元件及其制造方法
本公开(Disclosure)总体上涉及半导体发光元件，尤其是，提高光提取效率的半导体发光元件。
技术介绍
在这里，提供与本公开相关的
技术介绍
，但是并不表示这些技术一定是公知技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。并且，在本说明书中，上侧/下侧、上/下、长度方向/宽度方向等方向以附图为基准。图1是现有的半导体发光元件芯片的一例的示意图。半导体发光元件芯片包括外延生长基板(10；例如蓝宝石基板)、以及依次蒸镀在外延生长基板(10)上的缓冲层(20)、具有第一导电性的第一半导体层(30；例如n型GaN层)、通过电子和孔的复合生成光的有源层(40；例如INGaN/(In)GaNMQWs)、具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层(50；例如p型GaN层)，在其上表面形成有用于扩散电流的透光性导电膜(60)和起到作用的电极(70)，在蚀刻露出的第一半导体层(30)上形成有起到...
【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：主体，其包括底部，在底部形成有至少一个以上的孔；半导体发光元件芯片，其位于各个至少一个以上的孔内，且具备多个半导体层和电极，该多个半导体层包括通过电子和空穴的复合生成光的有源层，该电极与多个半导体层电连接；以及密封材料，其覆盖半导体发光元件芯片，其中，形成孔的底部内侧面具有多个倾斜角。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.07 KR 10-2016-0027072;2016.03.09 KR 10-2011.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：主体，其包括底部，在底部形成有至少一个以上的孔；半导体发光元件芯片，其位于各个至少一个以上的孔内，且具备多个半导体层和电极，该多个半导体层包括通过电子和空穴的复合生成光的有源层，该电极与多个半导体层电连接；以及密封材料，其覆盖半导体发光元件芯片，其中，形成孔的底部内侧面具有多个倾斜角。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，多个倾斜角是第一倾斜角和第二倾斜角，第一倾斜角是底部的内侧面与底部的下表面构成的倾斜角，第二倾斜角是底部的内侧面与平行于底部的下表面的虚拟面构成的倾斜角。3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，第一倾斜角比第二倾斜...
【专利技术属性】
技术研发人员：全水根，金炅珉，朴恩铉，曹永琯，郑桂月，郑东昭，百成皓，朴应锡，李慧智，
申请(专利权)人：世迈克琉明有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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