半导体元件及其制作方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种电子元件及其制作方法，且特别是有关于一种半导体元件及其制作方法。
技术介绍
在现有的太阳能电池技术中，通过异质结技术(HeterojunctionTechnology，HJT)所形成的具有异质结(HeterojunctionwithIntrinsicThin-Layer，HIT)的异质结太阳能电池主要是通过具有不同能带的半导体材料所结合而成。异质结太阳能电池不但具有较高的光电转换效率及较好的温度特性，通过不同能带的结合的异质结还可以减少太阳能电池中自由载流子的损耗。因此，异质结太阳能电池已经成为现今太阳能电池技术中主要发展的技术之一。在现有的异质结太阳能电池中，N型硅晶(Silicon)异质结太阳能电池具有前射极(frontemitter)结构，也就是N型硅经异质结太阳能电池在经由照光面接受光束后所产生的电子(electron)会往太阳能电池相对于照光面的非照光面移动。当上述的异质结太阳能电池要采用电镀工艺制作电极于照光面时需要一外加的接触电极，通过接触电极来强迫给予电子到异质结太阳能电池的照光面，藉以在一电镀溶液中与金属离子的完成还原反应...
【技术保护点】
一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体堆叠层以及一电镀电极于一溶液中，其中该半导体堆叠层具有一入光面及一与该入光面相对的相对面；对该相对面与该电镀电极施加一电压差；以及提供一光束至该半导体堆叠层，其中该电压差使该电镀电极提供至少一金属离子至该溶液中并形成一金属离子溶液，该半导体堆叠层适于吸收该光束并产生至少一电子至该入光面，令该金属离子溶液中的该金属离子与该电子形成一第一电极于该半导体堆叠层的该入光面上。
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体堆叠层以及一电镀电极于一溶液中，其中该半导体堆叠层具有一入光面及一与该入光面相对的相对面；对该相对面与该电镀电极施加一电压差；以及提供一光束至该半导体堆叠层，其中该电压差使该电镀电极提供至少一金属离子至该溶液中并形成一金属离子溶液，该半导体堆叠层适于吸收该光束并产生至少一电子至该入光面，令该金属离子溶液中的该金属离子与该电子形成一第一电极于该半导体堆叠层的该入光面上。2.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该半导体堆叠层还包括一绝缘屏蔽层，配置于该入光面上，该绝缘屏蔽层暴露部分该入光面。3.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中提供该半导体堆叠层以及该电镀电极于该溶液中的步骤包括：提供一第一型掺杂基材；形成一第一型掺杂半导体层于该第一型掺杂基材的一正面上且形成一第二型掺杂半导体层于该第一型掺杂基材的一相对于该正面的反面上；以及形成一第一导电层于该一第一型掺杂半导体层且形成一第二导电层于该第二型掺杂半导体层，其中该入光面位于该第一导电层，该相对面位于该第二导电层。4.根据权利要求3所述的半导体元件的制作方法，其中形成该第一型掺杂半导体层及该第二型掺杂半导体层的步骤之前还包括：形成一第一本征层于该第一型掺杂基材的该正面上且形成一第二本征层于该第一型掺杂基材的该反面上，令该第一本征层及该第一型掺杂基材之间形成一异质结，并令该第二本征层及该第一型掺杂基材之间形成另一异质结。5.根据权利要求4所述的半导体元件的制作方法，其中该第一本征层及该第二本征层的形成方法包括等离子体辅助化学气相沉积、物理气相沉
\t积、常压化学气相沉积、离子镀膜技术及热扩散炉技术。6.根据权利要求3所述的半导体元件的制作方法，其中该第一型掺杂半导体层及该第二型掺杂半导体层的形成方法包括等离子体辅助化学气相沉积、物理气相沉积、常压化学气相沉积及热扩散炉技术。7.根据权利要求3所述的半导体元件的制作方法，其中该第一导电层及该第二导电层的形成方法包括等离子体辅助化学气相沉积、物理气相沉积、常压化学气相沉积、离子镀膜技术及热扩散炉技术。8.根据权利要求3所述的半导体元件的制作方法，其中形成该第一导电层于该第一型掺杂半导体导电层且形成该第二导电层于该第二型掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘书谦，詹逸民，吴建树，
申请(专利权)人：英属开曼群岛商精曜有限公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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