降压方法及其降压设备技术

本发明专利技术涉及一种降压方法及其降压设备，所述降压设备包括腔室，抽气装置，升温装置，通过使用抽气装置及升温装置对设有板件的腔室进行降压升温操作。所述降压方法包括使用抽气装置对腔室进行抽气以将腔室实际气压降低至真空气压、使用升温装置于腔室实际气压在下降至真空气压期间且落在真空电弧发生压力范围之外时开启复数个加热单元以加热板件至制程温度，以及使用升温装置于腔室实际气压在下降至真空气压期间且介于真空电弧发生压力范围内时关闭复数个加热单元。本发明专利技术既提升半导体制程效率并降低腔室建构成本，亦切实地防止真空电弧的发生，从而有效地解决现有技术中所提及的加热单元在腔室降压期间爆裂损毁的问题。

Method and apparatus for reducing blood pressure

The invention relates to a method and equipment for Buck buck buck, the apparatus includes a chamber, heating device, gas suction device, through the use of gas extraction device and heating device is arranged on the chamber plate can reduce the heating operation. The step-down method includes pumping the chamber pressure to reduce the actual use of vacuum pressure, heating device in the chamber during the actual pressure drop to fall in the vacuum pressure and vacuum arc pressure range of opening a plurality of heating unit to heat plate to process temperature of chamber using gas suction device, a plurality of closed the heating unit and heating device in the chamber during the actual pressure drop to vacuum pressure and vacuum pressure between arc range. The invention can not only improve the semiconductor manufacturing efficiency and reduce the construction cost effectively chamber, but also to prevent the occurrence of vacuum arc, so as to effectively solve the heating unit mentioned in the prior art in the chamber during the depressurization burst damage problem.

【技术实现步骤摘要】
降压方法及其降压设备
本专利技术涉及一种半导体制程系统中降压方法及其降压设备，尤指一种通过将升温装置置于腔室内，使实际气压在下降至真空气压之间并介于真空电弧发生压力范围内时，通过关闭升温装置的复数个加热单元来进行降压的方法及其降压设备。
技术介绍
一般而言，目前半导体制程系统(如枚叶式(cluster)或在线式(inline)制程系统)的基板进出腔室通常仅能用来进行基板取放操作，因此，半导体制程系统往往需额外配置有快速升温腔室以对基板进行升温操作，从而造成制程效率下降以及腔室建构成本增加的问题。虽然上述问题可通过将快速升温装置设置于基板进出腔室中，从而使得快速升温装置对设置于基板进出腔室中的基板进行升温操作的配置来解决，但是由于快速升温装置采用辐射加热设计，故快速升温装置极其容易在基板进出腔室使用抽气装置进行降压至真空气压操作的期间产生真空电弧，从而导致加热单元(如红外线灯管等)爆裂损毁的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在提供一种降压方法，具体提供一种使用抽气装置以及升温装置对至少设有一个板件的腔室进行降压升温操作，所述升温装置包含复数个加热单元，所述降压方法包括：所述抽气装置对所述腔室进行抽气以将所述腔室实际气压降低至真空气压；所述腔室实际气压下降至真空气压期间且在真空电弧发生压力范围之外时，开启所述升温装置的复数个所述加热单元，以将至少一个所述板件加热至制程温度；以及所述腔室实际气压在下降至真空气压期间且介于所述真空电弧发生压力范围内时，关闭所述升温装置的复数个所述加热单元。。本专利技术还可包含以下技术特征：所述真空电弧发生压力范围为0.1torr～100torr。所述真空电弧发生压力范围为0.5torr～50torr。所述每一加热单元与所述腔室的接地距离大于15mm。所述每一加热单元为红外线灯管。所述升温装置施加于每一加热单元的电压介于220V～380V之间。所述抽气装置对所述腔室进行抽气以将所述腔室实际气压降低至真空气压的步骤包括：所述抽气装置以分段式抽气方式对所述腔室进行抽气，以使所述腔室实际气压分段地下降至真空气压。所述腔室的所述制程温度大于特定值时，以氮气充填方式进行回压操作。所述腔室的所述制程温度小于特定值时，以干燥空气充填方式进行回压操作。本专利技术的目的在提供一种降压设备，具体包括：腔室，所述腔室设有至少一个板件；抽气装置，连通于所述腔室的所述抽气装置对所述腔室进行抽气，用来降低所述腔室实际气压至真空气压；升温装置，所述升温装置设置于所述腔室中且具有复数个加热单元，用来于所述腔室实际气压在下降至真空气压期间且介于真空电弧发生压力范围内时关闭复数个所述加热单元，以及用来于所述腔室实际气压在下降至真空气压期间且在所述真空电弧发生压力范围之外时开启复数个所述加热单元，以将所述至少一个板件加热至制程温度。所述真空电弧发生压力范围为0.1torr～100torr。所述真空电弧发生压力范围为0.5torr～50torr。所述每一加热单元与所述腔室的接地距离大于15mm。所述每一加热单元为红外线灯管。所述升温装置施加于所述每一加热单元的电压介于220V～380V之间。所述抽气装置以分段式抽气方式对所述腔室进行抽气，以使所述腔室实际气压分段地下降至所述真空气压。当所述制程温度大于特定值时，所述腔室以氮气充填方式进行回压操作。当所述制程温度小于特定值时，所述腔室以干燥空气充填方式进行回压操作。下面结合附图例举较佳实施例进一步阐明本专利技术。附图说明图1为根据降压设备立体示意图。图2为图1降压设备沿剖面线A-A的剖面示意图。图3为使用抽气装置以及升温装置对设有板件的腔室进行降压升温操作的降压方法流程图。图4为压力与是否加热图2腔室板件的对应关系图一。图5为压力与是否加热图2腔室板件的对应关系图二。图6为压力与是否加热图2腔室板件的对应关系图三。10-降压设备，12-腔室，13-板件，14-抽气装置，16-升温装置，17-加热单元，P-压力，T-时间，F-OFF(停止加热)，N-ON(开始加热)，P0-初始气压，P1-第一设定气压，P2-第二设定气压，P3-第三设定气压，D-接地距离具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细的说明，并不是把本专利技术的实施范围局限于此。参照图1及图2，降压设备10包含腔室12、抽气装置14，以及升温装置16。腔室12可为常见应用在半导体制程系统(如枚叶式制程系统、在线式制程系统、在线式枚叶(linearcluster)制程系统等)中用于板件13进出操作上的进出腔室12，且可用来设置至少一个板件13(如基板、晶圆与托盘之组合等，于图1中显示两个，但不受此限)，其相关腔室12设计已于现有技术中多有揭露，故于此不再赘述。抽气装置14可为常见应用在半导体制程系统中用于抽真空操作上的真空泵浦，且连通于腔室12以对腔室12进行抽气，藉以用来降低腔室12的实际气压至真空气压，从而达到板件13可在真空气压下进入半导体制程系统中的目的。升温装置16设置于腔室12中且具有复数个加热单元17，每一加热单元17优选地为红外线灯管(如碘钨灯管等)，但不受此限，也就是说，只要是可用来在真空环境中进行加热的加热设备，其均可为本专利技术所采用。基于上述，升温装置16即可通过辐射加热方式对板件13进行加热而达到快速升温的目的，以使得板件13的温度可达到半导体制程所需的制程温度。参照图3的流程图，使用抽气装置14以及升温装置16对设有板件13的腔室12进行降压升温操作的降压方法包含下列步骤：步骤300：抽气装置14对腔室12进行抽气以将腔室12的气压从实际气压降低至真空气压。步骤302：升温装置16于腔室12的实际气压在下降至真空气压的期间且大于真空电弧发生压力范围最大值时，开启复数个加热单元17以对板件13进行加热。步骤304：升温装置16于腔室12的实际气压在下降至真空气压的期间且介于真空电弧发生压力范围内时，关闭复数个加热单元17以停止对板件13进行加热。步骤306：升温装置16于腔室12的实际气压在下降至真空气压的期间且小于真空电弧发生压力范围最小值时，开启复数个加热单元17，以将板件13加热至制程温度。针对上述降压方法进行详细描述，请同时参照图2、图3及图4，首先，在板件13进入腔室12之后，抽气装置14可对腔室12进行抽气以使得腔室12的实际气压可从初始气压P0(如一标准大气压760torr)下降至真空气压(步骤300)，举例来说，由图4可知，降压设备10可采用抽气装置14以分段式抽气之方式对腔室12进行抽气且升温装置16同时对板件13进行加热的设计，更详细地说，抽气装置14可先在将腔室12的实际气压从初始气压P0下降至第一设定气压P1(如380torr)后停止抽气一段时间(如从时间t1到时间t2)，接着再将腔室12的实际气压从第一设定气压P1持续下降至小于第三设定气压P3的真空气压。在上述期间，升温装置16可在从时间t1到时间t3期间开启复数个加热单元17以加热板件13，且在从时间t3到时间t4期间(即对应从第二设定气压P2下降至第三设定气压P3期间)关闭复数个加热单元17以停止对板件13加热，以及在从时间t4到时间t5期间(即对应从第三设定气压P3下降至小于第三设定气压P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降压方法，其使用抽气装置以及升温装置对至少设有一个板件的腔室进行降压升温操作，所述升温装置包含复数个加热单元，所述降压方法包括：所述抽气装置对所述腔室进行抽气以将所述腔室实际气压降低至真空气压；所述腔室实际气压下降至真空气压期间且在真空电弧发生压力范围之外时，开启所述升温装置的复数个所述加热单元，以将至少一个所述板件加热至制程温度；以及所述腔室实际气压在下降至真空气压期间且介于所述真空电弧发生压力范围内时，关闭所述升温装置的复数个所述加热单元。

【技术特征摘要】
1.一种降压方法，其使用抽气装置以及升温装置对至少设有一个板件的腔室进行降压升温操作，所述升温装置包含复数个加热单元，所述降压方法包括：所述抽气装置对所述腔室进行抽气以将所述腔室实际气压降低至真空气压；所述腔室实际气压下降至真空气压期间且在真空电弧发生压力范围之外时，开启所述升温装置的复数个所述加热单元，以将至少一个所述板件加热至制程温度；以及所述腔室实际气压在下降至真空气压期间且介于所述真空电弧发生压力范围内时，关闭所述升温装置的复数个所述加热单元。2.如权利要求1所述一种降压方法，其特征在于，所述真空电弧发生压力范围为0.1torr～100torr。3.如权利要求2所述一种降压方法，其特征在于，所述真空电弧发生压力范围为0.5torr～50torr。4.如权利要求1所述一种降压方法，其特征在于，所述每一加热单元与所述腔室的接地距离大于15mm。5.如权利要求1所述一种降压方法，其特征在于，所述每一加热单元为红外线灯管。6.如权利要求1所述一种降压方法，其特征在于，所述升温装置施加于每一加热单元的电压介于220V～380V之间。7.如权利要求1所述一种降压方法，其特征在于，所述抽气装置对所述腔室进行抽气以将所述腔室实际气压降低至真空气压的步骤包括：所述抽气装置以分段式抽气方式对所述腔室进行抽气，以使所述腔室实际气压分段地下降至真空气压。8.如权利要求1所述一种降压方法，其特征在于，还包括：所述腔室的所述制程温度大于特定值时，以氮气充填方式进行回压操作。9.如权利要求1所述一种降压方法，其特征在于，还包括：所述腔室的所述制程温度小于特定值时，以干燥空气充填方式进...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹承育，黄正忠，
申请(专利权)人：英属开曼群岛商精曜有限公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY